江苏关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告模板范文.docx

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1、泓域咨询/江苏关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告江苏关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告xx集团有限公司报告说明xx集团有限公司主要由xxx集团有限公司和xxx有限公司共同出资成立。其中：xxx集团有限公司出资882.00万元，占xx集团有限公司90%股份；xxx有限公司出资98万元，占xx集团有限公司10%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资32814.44万元，其中：建设投资24459.60万元，占项目总投资的74.54%；建设期利息543.45万元，占项目总投资的1.66%；流动资金7811.39万元，占项目总投资的23.80%。项目正常运营每年营业收入72700.00万元，

2、综合总成本费用58952.41万元，净利润10068.23万元，财务内部收益率22.90%，财务净现值14263.01万元，全部投资回收期5.82年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模

3、板用途。目录第一章 拟组建公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况12第二章 行业、市场分析17一、 功率半导体行业概述17二、 功率器件应用发展机遇18第三章 背景、必要性分析24一、 中国半导体行业发展概况24二、 MOSFET器件概述24三、 功率半导体市场规模与竞争格局29四、 坚持科技自立自强，加快建设科技强省30五、 项目实施的必要性33第四章 公司成立方案35一、 公司经营宗旨35二、 公司的目标、主要

4、职责35三、 公司组建方式36四、 公司管理体制36五、 部门职责及权限37六、 核心人员介绍41七、 财务会计制度42第五章 发展规划46一、 公司发展规划46二、 保障措施50第六章 法人治理结构53一、 股东权利及义务53二、 董事60三、 高级管理人员64四、 监事67第七章 风险评估分析69一、 项目风险分析69二、 项目风险对策71第八章 项目选址方案73一、 项目选址原则73二、 建设区基本情况73三、 聚力打造制造强省，积极构建自主可控安全高效的现代产业体系77四、 深化东西双向开放，加快向开放强省迈进80五、 项目选址综合评价83第九章 项目环境保护84一、 编制依据84二、

5、 环境影响合理性分析84三、 建设期大气环境影响分析85四、 建设期水环境影响分析87五、 建设期固体废弃物环境影响分析88六、 建设期声环境影响分析89七、 建设期生态环境影响分析90八、 清洁生产91九、 环境管理分析92十、 环境影响结论94十一、 环境影响建议95第十章 经济效益及财务分析96一、 经济评价财务测算96营业收入、税金及附加和增值税估算表96综合总成本费用估算表97固定资产折旧费估算表98无形资产和其他资产摊销估算表99利润及利润分配表101二、 项目盈利能力分析101项目投资现金流量表103三、 偿债能力分析104借款还本付息计划表105第十一章 进度规划方案107一、

6、 项目进度安排107项目实施进度计划一览表107二、 项目实施保障措施108第十二章 投资方案分析109一、 投资估算的依据和说明109二、 建设投资估算110建设投资估算表112三、 建设期利息112建设期利息估算表112四、 流动资金114流动资金估算表114五、 总投资115总投资及构成一览表115六、 资金筹措与投资计划116项目投资计划与资金筹措一览表117第十三章 项目综合评价说明118第十四章 附表附录120主要经济指标一览表120建设投资估算表121建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126营业收

7、入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表127固定资产折旧费估算表128无形资产和其他资产摊销估算表129利润及利润分配表130项目投资现金流量表131借款还本付息计划表132建筑工程投资一览表133项目实施进度计划一览表134主要设备购置一览表135能耗分析一览表135第一章 拟组建公司基本信息一、 公司名称xx集团有限公司（以工商登记信息为准）二、 注册资本980万元三、 注册地址江苏xxx四、 主要经营范围经营范围：从事MOSFET功率器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止

8、和限制类项目的经营活动。）五、 主要股东xx集团有限公司主要由xxx集团有限公司和xxx有限公司发起成立。（一）xxx集团有限公司基本情况1、公司简介公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，

9、依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额13722.3210977.8610291.74负债总额7166.265733.015374.69股东权益合计6556.065244.854917.05公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入38594.9330875.9428946.20营业利润6947.505558.005210.63利润总额5924.894739.914443.67净利润4443.673

10、466.063199.44归属于母公司所有者的净利润4443.673466.063199.44（二）xxx有限公司基本情况1、公司简介公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中，综合考虑其对消费者的影响，确保产品安全。积极与消费者沟通，向消费者公开产品安全风险评

11、估结果，努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度，持续推进产品升级，为行业提供先进适用的解决方案，为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额13722.3210977.8610291.74负债总额7166.265733.015374.69股东权益合计6556.065244.854917.05公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入38594.9330875.9428946.20营业利润6947.505558.005210.63利润总额5924.894739.91

12、4443.67净利润4443.673466.063199.44归属于母公司所有者的净利润4443.673466.063199.44六、 项目概况（一）投资路径xx集团有限公司主要从事关于成立MOSFET功率器件公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前

13、十大企业市场份额合计为51.93%。综合发展实力显著增强。经济总量连跨三个万亿元台阶，突破10万亿元，对全国经济增长贡献超过1/10。人均地区生产总值达到12.5万元，位居全国各省（区）之首。实现一般公共预算收入9059亿元，年均增长2.4%。发展的质量效益进一步提高，全员劳动生产率达到21.5万元。投资结构持续优化，民间投资比重达68.5%左右。实际使用外资规模、进出口总额分别位居全国第一、第二。经济保持平稳健康运行。沉着应对外部严峻风险挑战，聚焦“六稳”“六保”工作任务，着力推进结构调整和动能转换，着力突出民生福祉和安全保障，着力强化体系建设和制度完善，牢牢守住稳定、安全、生态、廉政四条底

14、线，有效降低中美经贸摩擦的不利影响，实现高基数上的稳中有进、进中提质。三大攻坚战取得决定性成果，脱贫致富奔小康工程胜利完成，254.9万建档立卡低收入人口实现年收入6000元目标，821个省定经济薄弱村和12个省级重点帮扶县（区）全部达标，6个重点片区和2个革命老区面貌显著改善；助力对口帮扶支援地区102个国家级贫困县全部提前脱贫摘帽，8个省区近400万人实现脱贫；“两减六治三提升”专项行动持续深化，蓝天、碧水、净土保卫战强力推进，空气质量优良天数比率提升到81%，国考断面优比例达86.5%，国省考断面和主要入江支流断面全面消除劣V类；有效控制和缓释金融及房地产等重点领域风险，守住了不发生区域

15、性系统性风险的底线。国家重大战略扎实推进。“一带一路”交汇点建设走深走实，中国（江苏）自由贸易试验区成功获批、形成115项制度创新成果，连云港海港、徐州国际陆港、淮安空港互为支撑的现代物流“金三角”建设加快，中阿（联酋）产能合作示范园、柬埔寨西港特区、中哈（连云港）物流合作基地等标志性工程取得积极进展，各级各类开发园区创新转型迈上新台阶，向东向西双向开放大通道正在递进形成。坚决落实长江经济带“共抓大保护、不搞大开发”要求，坚持生态优先、绿色发展，统筹推进环境整治和产业升级，生态环境污染治理“4+1”工程深入实施，国家交办的生态环境清单事项率先完成整改，省级自查问题全面整改完成，腾退长江岸线60

16、.3公里转为生活、生态岸线，沿江特色示范段建设成果显现，累计依法关闭退出低端落后化工生产企业4454家，化工园区定位由54个减少到29个，“重化围江”治理取得重大进展。抓住长三角区域一体化发展机遇，大力推动产业创新、基础设施、区域市场、绿色发展、公共服务和省内全域“六个一体化”取得新进展，生态绿色一体化发展示范区制度创新成果不断涌现，沿沪宁产业创新带展开布局，水资源保护、水污染防治、水生态修复省际协作进一步加强，4条涉及江苏的省际待贯通路段建成通车，65个政务服务事项实现“一网通办、异地可办、就近办理”，高质量一体化发展格局加快形成。实体经济优势巩固增强。创新型省份建设成效显著，南京辐射支撑和

17、苏南国家自主创新示范区“创新矩阵”作用充分发挥，未来网络、“奋斗者”号万米载人潜水器、“神威太湖之光”超级计算机等重大原创科技成果持续涌现，战略性新兴产业、高新技术产业产值占规模以上工业比重分别达37.8%和46.5%，全社会研发投入强度达2.82%，科技进步贡献率达65%。省级先进制造业集群综合竞争力持续增强，30条优势产业链整合效应不断显现，产业链供应链自主可控能力有效提升，制造业规模约占全国1/8，两化融合指数连续5年位居全国第一。服务业增加值占地区生产总值比重突破50%，生产性服务业规模进一步扩大。农业现代化建设迈出坚实步伐，重要农产品生产和供应稳定，粮食年产量稳定在700亿斤以上，口

18、粮保持自给。市场主体达1238万户，民营经济增加值达到5.8万亿元。4家企业入围世界500强、90家企业进入全国民营企业500强，企业综合竞争力不断提升。成功举办世界物联网博览会、世界智能制造大会等活动，资源集聚能力进一步增强。（三）项目选址项目选址位于xxx（待定），占地面积约68.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）生产规模项目建成后，形成年产xx件MOSFET功率器件的生产能力。（五）建设规模项目建筑面积86399.52，其中：生产工程54747.75，仓储工程13212.58，行政办公及生活服务设施954

19、3.76，公共工程8895.43。（六）项目投资根据谨慎财务估算，项目总投资32814.44万元，其中：建设投资24459.60万元，占项目总投资的74.54%；建设期利息543.45万元，占项目总投资的1.66%；流动资金7811.39万元，占项目总投资的23.80%。（七）经济效益（正常经营年份）1、营业收入（SP）：72700.00万元。2、综合总成本费用（TC）：58952.41万元。3、净利润（NP）：10068.23万元。4、全部投资回收期（Pt）：5.82年。5、财务内部收益率：22.90%。6、财务净现值：14263.01万元。（八）项目进度规划项目建设期限规划24个月。（九）

20、项目综合评价项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。第二章 行业、市场分析一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGB

21、T等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程

22、度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，

23、进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公

24、布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到

25、2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直

26、流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压

27、为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因

28、数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G

29、网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而Mass

30、iveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，

31、达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。第三章 背景、必要性分析一、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集

32、成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模

33、拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占

34、比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国M

35、OSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，

36、普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延

37、浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货

38、量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立

39、器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT

40、广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019

41、年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率

42、半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。四、 坚持科技自立自强，加快建设科技强省突出创新在现代化建设全局中的核心地位，坚持“四个面向”，制定科技强国行动纲要江苏省实施方案，构建与新发展格局相适应的区域创新体系和产业创新模式，打造关键环节抗冲击能力体系，勇当科技和产业创新的开路先锋。（一）全面增强自主创新能力1、构筑区域创新高地强化战略科技力量布局。围绕国家战略需要和江苏产业发展需求，加强基础研究，注重原始创新，充

43、分发挥政府作为重大科技创新组织者的作用，确定科技创新方向和重点，系统推进基础研究、关键核心技术攻关和实验室体系建设，着力解决制约发展和安全的重大难题，全面提升在国家自主创新体系中的地位。2、加快关键核心技术攻坚突破实施重点产业技术攻坚行动。聚焦重点产业集群和标志性产业链，瞄准高端装备制造、集成电路、生物医药、人工智能、移动通信、航空航天、软件、新材料、新能源等重点领域，组织实施关键核心技术攻关工程，力争形成一批具有自主知识产权的原创性标志性技术成果，加快改变关键核心技术受制于人的被动局面。强化目标导向和需求导向，深化产学研协同攻关，综合运用定向择优、联合招标、“揭榜挂帅”、股份合作等方式，进一

44、步提高产业科技创新的组织水平。鼓励和支持民营企业开展关键核心技术攻关。3、强化企业创新主体地位激发企业创新活力。促进各类创新要素向企业集聚，支持企业牵头组建创新联合体，引导建立产学研合作利益分配机制、风险控制机制和信用约束机制。鼓励有条件的企业开展科技成果股权和科技人才股权合作，支持建设行业研究院和产业研究院等共性技术平台，推动产业链上中下游、大中小企业融通创新4、积极融入全球创新网络实施更加开放包容、互惠共享的国际科技合作战略，推动科技领域多层级、多主题、多渠道交流往来，深化与创新大国和关键小国等国政府间的产业研发合作，深入实施与重点国别和地区的联合资助计划，拓展科技创新合作的领域、层次和空

45、间。（二）激发人才创新创造活力1、优化人才培养开发体系实施重点人才工程，实行更加积极、更加开放、更加有效的人才政策，进一步加大人才投入力度。坚持产才融合，以产聚才，以才兴产，集聚一批“高精尖缺”的战略科技人才、科技领军人才和创新团队，造就一批高水平工程师、高技能人才和高层次跨专业实干型人才。突出战略性、前瞻性布局，强化青年人才培养集聚。2、大力引进集聚高端人才实施全球引才聚才计划，建立海外高端人才需求信息发布和定向联系引进机制，探索外籍高层次人才来华停居留、技术移民、出入境等便利政策，建设一批海外人才飞地，更大力度引进集聚海内外优秀人才。实施顶尖人才顶级支持计划，实行“一事一议”“一人一策”，

46、加快集聚一批跨学科、交叉融合的基础研究创新人才和旗舰团队。3、完善人才价值实现机制强化人才分类评价导向，完善人才奖励荣誉制度，鼓励人才弘扬爱国奋斗奉献精神。坚决破除“唯论文、唯职称、唯学历、唯奖项”，建立健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价机制。建立完善以职业资格评价、职业技能等级认定和专项能力考核为主要内容的技能人才评价体系，实施专业技术岗位结构比例动态调整机制。（三）完善科技创新体制机制1、深化科技管理体制改革贯彻落实国家新一轮科技体制改革行动方案，健全完善科技法规体系，加快科技管理职能转变，进一步推动科技创新激励政策落地落实，提升环境营造的创新服务功能。建立战略产品牵引、

47、重大任务带动的科研组织新模式，推动重点领域项目、基地、人才、资金一体化配置。2、健全科技成果转化机制健全科技成果转化收益合理分配机制，开展赋予科研人员职务科技成果所有权或长期使用权政策试点，提高科研人员收益分享比例。推动科技成果评价的社会化、市场化和规范化，大幅提高科技成果转移转化效率。加强高校院所技术转移平台建设，支持企业与高校院所合作共建技术转化与产业化基地。3、强化知识产权创造保护运用打通知识产权创造、运用、保护、管理、服务全链条，增强系统保护能力。加强知识产权法治化建设，充分发挥南京、苏州知识产权法庭作用。完善知识产权纠纷多元化解决机制，健全侵权纠纷行政裁决制度，统一侵权判断标准和行政处罚自由裁量基准，提升纠纷解决效能。实施知识产权惩罚性赔偿制度，严厉打击侵权违法行为。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发