泸州MOSFET功率器件项目实施方案【范文模板】.docx

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1、泓域咨询/泸州MOSFET功率器件项目实施方案泸州MOSFET功率器件项目实施方案xxx集团有限公司目录第一章 项目建设背景、必要性8一、 全球半导体行业发展概况8二、 功率器件应用发展机遇8三、 发展壮大开放型经济13四、 项目实施的必要性15第二章 行业发展分析16一、 中国半导体行业发展概况16二、 MOSFET器件概述16第三章 项目绪论22一、 项目名称及项目单位22二、 项目建设地点22三、 可行性研究范围22四、 编制依据和技术原则22五、 建设背景、规模24六、 项目建设进度24七、 环境影响24八、 建设投资估算25九、 项目主要技术经济指标25主要经济指标一览表26十、 主

2、要结论及建议27第四章 建筑工程可行性分析29一、 项目工程设计总体要求29二、 建设方案29三、 建筑工程建设指标30建筑工程投资一览表30第五章 选址方案32一、 项目选址原则32二、 建设区基本情况32三、 激发释放投资活力34四、 全面融入成渝地区双城经济圈建设36五、 项目选址综合评价38第六章 法人治理39一、 股东权利及义务39二、 董事46三、 高级管理人员51四、 监事54第七章 SWOT分析说明56一、 优势分析（S）56二、 劣势分析（W）58三、 机会分析（O）58四、 威胁分析（T）59第八章 运营模式65一、 公司经营宗旨65二、 公司的目标、主要职责65三、 各部

3、门职责及权限66四、 财务会计制度69第九章 原辅材料供应73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理73第十章 劳动安全评价75一、 编制依据75二、 防范措施78三、 预期效果评价82第十一章 技术方案分析83一、 企业技术研发分析83二、 项目技术工艺分析86三、 质量管理87四、 设备选型方案88主要设备购置一览表89第十二章 组织机构及人力资源90一、 人力资源配置90劳动定员一览表90二、 员工技能培训90第十三章 项目环保分析92一、 编制依据92二、 建设期大气环境影响分析92三、 建设期水环境影响分析95四、 建设期固体废弃物环境影响分析95

4、五、 建设期声环境影响分析96六、 环境管理分析97七、 结论98八、 建议99第十四章 投资计划方案100一、 投资估算的编制说明100二、 建设投资估算100建设投资估算表102三、 建设期利息102建设期利息估算表103四、 流动资金104流动资金估算表104五、 项目总投资105总投资及构成一览表105六、 资金筹措与投资计划106项目投资计划与资金筹措一览表107第十五章 经济效益评价109一、 经济评价财务测算109营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表110固定资产折旧费估算表111无形资产和其他资产摊销估算表112利润及利润分配表114二、 项目盈利能力分

5、析114项目投资现金流量表116三、 偿债能力分析117借款还本付息计划表118第十六章 风险分析120一、 项目风险分析120二、 项目风险对策122第十七章 项目综合评价125第十八章 补充表格127主要经济指标一览表127建设投资估算表128建设期利息估算表129固定资产投资估算表130流动资金估算表131总投资及构成一览表132项目投资计划与资金筹措一览表133营业收入、税金及附加和增值税估算表134综合总成本费用估算表134固定资产折旧费估算表135无形资产和其他资产摊销估算表136利润及利润分配表137项目投资现金流量表138借款还本付息计划表139建筑工程投资一览表140项目实施

6、进度计划一览表141主要设备购置一览表142能耗分析一览表142第一章 项目建设背景、必要性一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业

7、规模增长。二、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础

8、设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共

9、桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流

10、桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了201

11、9年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100k

12、W的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率

13、更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMI

14、MO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设

15、备的增加带动MOSFET用量提升。三、 发展壮大开放型经济（一）加快形成全域开放格局深化国际合作，加强战略对接，主动融入区域全面经济伙伴关系协定（RCEP）等国际合作，积极参与中新（重庆）互联互通战略项目、“一带一路”进出口商品集散中心建设。突出南向，深化与粤港澳大湾区、北部湾经济区协作，融入泛珠三角高铁经济带发展，合力建设西部陆海新通道，全面对接21世纪海上丝绸之路和中国中南半岛、孟中印缅经济走廊。提升东向，依托长江黄金水道和沿江铁路，构建通江达海、首尾互动的东向国际开放大通道，主动对接长三角一体化发展，积极融入亚太经济圈。深化西向，常态化开行“中欧班列+泸州港”铁水联运班列，探索开行泸州至

16、中亚、泛亚铁路班列等，加快融入新亚欧大陆桥经济走廊。扩大北向，提升泸州港经蒙古至俄罗斯中欧班列效能，打造木材、汽车等大宗商品贸易新通道，积极融入中蒙俄经济走廊。（二）大力发展口岸经济积极参与川渝自贸试验区协同开放示范区建设，争创航空水运国家开放口岸及更多的进境产品指定监管场地。依托口岸集聚资源要素，培育一批装备制造、电子信息、纺织加工、商贸物流、文化旅游等特色外向型产业。推动口岸经济主体在国省级开发区集聚，畅通与重点市场国家合作机制。做优进境粮食指定监管场地、进口肉类指定监管场地口岸功能，打造长江上游进口粮食加工贸易中心、成渝地区进口肉类重要分拨中心。加快口岸经济体系建设，推动全市开放平台联动

17、发展、融合发展，服务区域协同开放。（三）深入开展对外交流合作深度融入全球供应链、产业链、价值链、商品链、服务链，强化国际高端要素集聚运筹功能，建立重大外资项目协调机制和绿色通道，推动贸易和投资自由化便利化。支持具备条件的企业提升国际化经营水平，增强在全球配置要素资源、布局市场网络的能力。充分运用多元化招商模式，加大招商力度，进一步提升招商实效。提高重大展会国际化水平，着力提升中国国际酒业博览会、中国（泸州）西南商品博览会、中国（泸州）农产品交易博览会规模效益和国际国内影响力。探索建设国际产业合作平台，力争建设国别合作园区。加快建设东盟留学生基地。四、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项

18、目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第二章 行业发展分析一、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，

19、显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称

20、金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本

21、土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，

22、有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电

23、阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以

24、在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2

25、020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航

26、空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力

27、电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。第三章 项目绪

28、论一、 项目名称及项目单位项目名称：泸州MOSFET功率器件项目项目单位：xxx集团有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx，占地面积约39.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、国民经济和社

29、会发展第十三个五年计划纲要；2、投资项目可行性研究指南；3、相关财务制度、会计制度；4、投资项目可行性研究指南；5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件；6、根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料；7、可行性研究与项目评价；8、建设项目经济评价方法与参数；9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。（二）技术原则1、坚持科学发展观，采用科学规划，合理布局，一次设计，分期实施的建设原则。2、根据行业未来发展趋势，合理制定生产纲领和技术方案。3、坚持市场导向原则，根据行业的现有格局和未来发展方向，优化设备选型和工艺方案，使企业的建设与未来的市场需求相吻合。4、贯彻技术

30、进步原则，产品及工艺设备选型达到目前国内领先水平。同时合理使用项目资金，将先进性与实用性有机结合，做到投入少、产出多，效益最大化。5、严格遵守“三同时”设计原则，对项目可能产生的污染源进行综合治理，使其达到国家规定的排放标准。五、 建设背景、规模（一）项目背景根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积26000.00（折合约39.00亩），预计场区规划总建筑面积51217.96。其中：生产工程32554.55，仓储工程9213.20，行

31、政办公及生活服务设施5434.20，公共工程4016.01。项目建成后，形成年产xx件MOSFET功率器件的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx集团有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响项目建设拟定的环境保护方案、生产建设中采用的环保设施、设备等，符合项目建设内容要求和国家、省、市有关环境保护的要求，项目建成后不会造成环境污染。本项目没有采用国家明令禁止的设备、工艺，生产过程中产生的污染物通过合理的污染防治措施处理后，均能达标排放，符合清洁生产理念。八

32、、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资16011.10万元，其中：建设投资12613.89万元，占项目总投资的78.78%；建设期利息165.00万元，占项目总投资的1.03%；流动资金3232.21万元，占项目总投资的20.19%。（二）建设投资构成本期项目建设投资12613.89万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用10887.68万元，工程建设其他费用1459.37万元，预备费266.84万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入34300

33、.00万元，综合总成本费用27053.62万元，纳税总额3373.44万元，净利润5305.82万元，财务内部收益率25.99%，财务净现值7260.76万元，全部投资回收期5.13年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积26000.00约39.00亩1.1总建筑面积51217.961.2基底面积15340.001.3投资强度万元/亩308.322总投资万元16011.102.1建设投资万元12613.892.1.1工程费用万元10887.682.1.2其他费用万元1459.372.1.3预备费万元266.842.2建设期利息万元165.002.3流动资金

34、万元3232.213资金筹措万元16011.103.1自筹资金万元9276.503.2银行贷款万元6734.604营业收入万元34300.00正常运营年份5总成本费用万元27053.626利润总额万元7074.437净利润万元5305.828所得税万元1768.619增值税万元1432.8810税金及附加万元171.9511纳税总额万元3373.4412工业增加值万元11265.3113盈亏平衡点万元12034.31产值14回收期年5.1315内部收益率25.99%所得税后16财务净现值万元7260.76所得税后十、 主要结论及建议项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，

35、达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。第四章 建筑工程可行性分析一、 项目工程设计总体要求（一）设计原则本设计按照国家及行业指定的有关建筑、消防、规划、环保等各项规定，在满足工艺和生产管理的条件下，尽可能的改善工人的操作环境。在不额外增加投资的前提下，对建筑单体从型体到色彩质地力求简洁、鲜明、大方，突出现代化工业建筑的个性。在整个建筑设计中，力求采用新材料、新技术，以使建筑物富有艺术感，突出时代特点。（二）设计规范、依据1、建筑设计防火

36、规范2、建筑结构荷载规范3、建筑地基基础设计规范4、建筑抗震设计规范5、混凝土结构设计规范6、给排水工程构筑物结构设计规范二、 建设方案（一）结构方案1、设计采用的规范（1）由有关主导专业所提供的资料及要求；（2）国家及地方现行的有关建筑结构设计规范、规程及规定；（3）当地地形、地貌等自然条件。2、主要建筑物结构设计（1）车间与仓库：采用现浇钢筋混凝土结构，砖砌外墙作围护结构，基础采用浅基础及地梁拉接，并在适当位置设置伸缩缝。（2）综合楼、办公楼:采用现浇钢筋砼框架结构，（二）建筑立面设计为使建筑物整体风格具有时代特征，更加具有强烈的视觉效果，更加耐人寻味、引人入胜。建筑外形设计时尽可能简洁明

37、了，重点把握个体与部分之间的比例美与逻辑美，并注意各线、面、形之间的相互关系，充分利用方向、形体、质感、虚实等多方位的建筑处理手法。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积51217.96，其中：生产工程32554.55，仓储工程9213.20，行政办公及生活服务设施5434.20，公共工程4016.01。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程8283.6032554.553915.301.11#生产车间2485.089766.361174.591.22#生产车间2070.908138.64978.831.33#生产车间1988.067813.09939

38、.671.44#生产车间1739.566836.46822.212仓储工程3988.409213.20879.692.11#仓库1196.522763.96263.912.22#仓库997.102303.30219.922.33#仓库957.222211.17211.132.44#仓库837.561934.77184.733办公生活配套975.625434.20774.423.1行政办公楼634.153532.23503.373.2宿舍及食堂341.471901.97271.054公共工程2147.604016.01330.31辅助用房等5绿化工程3247.4055.16绿化率12.49%6其

39、他工程7412.6019.177合计26000.0051217.965974.05第五章 选址方案一、 项目选址原则1、符合国家地区城市规划要求；2、满足项目对：原材料、能源、水和人力的供应；3、节约和效力原则；安全的原则；4、实事求是的原则；5、节约用地；6、注意环保（以人为本，减少对生态环境影响）。二、 建设区基本情况泸州，古称“江阳”，别称酒城、江城，是四川省地级市，全国区域中心城市，川渝滇黔结合部区域中心城市和成渝地区双城经济圈南翼中心城市、重要的商贸物流中心，长江上游重要的港口城市。截止2020年12月底，全市乡镇政区126个，面积12232.34平方千米。根据第七次人口普查数据，截

40、至2020年11月1日零时，泸州市常住人口为4254149人。泸州是国家历史文化名城，具有两千多年历史文化；西汉设江阳侯国；梁武帝大同年间建置泸州；泸州在宋代即为西南要会，明代即与成都、重庆三足鼎立，成为当时全国33个商业大都会之一。形成了以名酒文化、生态文化、红色文化、历史文化、长江文化为代表的五大特色旅游资源；拥有国家4A级旅游景区14个，国家3A级旅游景区8个，国家2A级旅游景区10个。泸州是长江中上游地区第二大集装箱码头，四川第三大航空港；也是第三批国家新型城镇化综合试点地区、跨境电子商务综合试验区；世界级白酒产业基地，国家重要的以名优酒为主体的食品工业基地、循环型化工基地、清洁能源生

41、产基地、国家高性能液压件高新技术产业化基地、国家9大工程机械生产基地之一。2020年全市实现地区生产总值2157.2亿元。先后获得过联合国改善人居环境最佳范例奖（迪拜奖）、中国地级市民生发展100强、国家卫生城市、中国优秀旅游城市、国家森林城市、国家园林城市、全国文明城市、国家水生态文明城市等荣誉。经济实力大幅提升。经济持续平稳增长，保持年均增速高于全国全省平均水平，人均水平与全国差距进一步缩小，经济发展质量和效益明显提升。现代产业体系加快构建，先进制造业集群发展，服务业发展质量提高，农业基础更加稳固。常住人口城镇化率提升幅度高于全国全省，城乡区域发展协调性明显增强。到2025年，地区生产总值

42、突破4000亿元，力争跨越4500亿元，建成全省和成渝地区经济副中心。发展活力全面迸发。重点领域和关键环节改革取得重大进展，高标准市场体系基本建成，更高水平的开放型经济新体制基本形成，营商环境优化提升，全社会创新创造活力充分迸发。科技创新对经济增长的贡献显著增强。展望二三五年，泸州经济实力大幅跃升，与重庆都市圈一体化发展取得新成效，全省和成渝地区经济副中心地位进一步巩固，力争建成型大城市，基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化。科技创新能力显著增强，进入全国创新型城市前列。全国性综合交通枢纽和内陆开放新高地基本建成，开放型经济发展水平全面提升，开放合作和竞争新优势明显增强。治理体系和治

43、理能力现代化基本实现，法治泸州、法治政府、法治社会基本建成，平安泸州建设达到更高水平。市民素质和社会文明程度达到新高度。生态环境更加优美，长江上游重要生态屏障更加稳固，绿色生产生活方式广泛形成。社会事业发展水平显著提升，基本公共服务实现均等化，人民生活更加美好，人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。三、 激发释放投资活力（一）开辟“两新一重”投资新领域准确把握当前经济社会发展需求与基础设施新特征，统筹当前与长远、传统与新型、补短板与加长板关系，在新型基础设施、新型城镇化以及交通、水利设施等领域，实施一批全局性、基础性、战略性的重大工程项目，让投资更好地惠及群众、支撑发展。加大

44、数字基础设施投资力度，优先实现5G网络在交通枢纽、产业园区、热门景区、核心商圈等热点区域深度覆盖，加快建设一批大数据资源中心。夯实新型城镇化发展新基础，加快城市公共设施、建筑、环保等领域智能化改造，推进污染源智慧环境监测监控设施、智慧管廊综合运营系统建设。提升交通、水利设施数字化智能化水平，推动区域港口、物流基础设施数字化、智能化改造升级。（二）拓展民间投资新渠道放宽民间投资准入领域，在城市基础设施、铁路、公路、机场、能源、水利、生态环保等投资领域，实施市场准入负面清单，给予各类市场主体公平参与的机会，为企业和社会资本拓宽投资渠道、放开投资限制。降低民间投资准入门槛，打破行业垄断、引入竞争机制

45、、实行宽进严管，鼓励社会资本以多元主体、多种方式参与教育、医疗、养老、体育健身、文化、旅游等基础设施建设，支持民间资本通过参股、联合、联营、并购等方式进入投资公司或项目公司。创新投资方式，鼓励民间资本采取私募等方式发起设立主要投资公共服务、生态环保、基础设施等领域的产业投资基金，政府可通过投资补助、基金注资、担保补贴、融资贴息、股权投资、资本金注入等方式，引导民间资本参与重点领域的投资、建设和经营。（三）完善政府投资机制健全政府投资决策机制，围绕“两新一重”等重点领域，突出政府投资在补短板、强民生、促引导方面的作用，在公共基础设施、社会公益服务、农业农村、生态环境保护、社会管理和公共安全等方面，制定相关领域投资规划，建设常态化、制度化的项目推介、跟踪调度及后续服务长效机制。完善政府投资管理机制，严格执行政府投资相关法律政策，履行法定审批程序。强化政府投资监督机制，加强事中事后监管，完善依法审计机制，健全权责明晰、各司其职的政府投资监管体系，创新在线监测、现场核查等方式加强项目实施监督检查。建立政府投资社会监督评价机制，依法公开政府投资年度计划、审批、实施、检查等信息，完善政府投资重大项目的公众参与、专家评议、风险评估机制。