绵阳关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告范文模板.docx

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1、泓域咨询/绵阳关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告绵阳关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告xxx集团有限公司报告说明2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万

2、个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。xxx集团有限公司主要由xxx投资管理公司和xx有限责任公司共同出资成立。其中：xxx投资管理公司出资189.00万元，占xxx集团有限公司35%股份；xx有限责任公司出资351万元，占xxx集团有限公司65%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资14896.47万元，其中：建设投资12229.14万元，占项目总投资的82.09%；建设期利息163.69万元，占项目总投资的1.1

3、0%；流动资金2503.64万元，占项目总投资的16.81%。项目正常运营每年营业收入27400.00万元，综合总成本费用22225.58万元，净利润3781.11万元，财务内部收益率19.54%，财务净现值4943.07万元，全部投资回收期5.73年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。综上所述，本项目能够充分利用现有设施，属于投资合理、见效快、回报高项目；拟建项目交通条件好；供电供水条件好，因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想，有利于行业结构调整。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资

4、参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 拟组建公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况13第二章 项目背景分析17一、 MOSFET器件概述17二、 功率半导体市场规模与竞争格局21三、 中国半导体行业发展概况22四、 加快建设西部内陆改革开放新高地23五、 加快形成“一核两翼、三区协同”区域发展新格局25六、 项目实施的必要性27第三章 市场预测28一、 功率半导体行业概述28二、 功率器件应用发展机遇29三、

5、 全球半导体行业发展概况34第四章 公司筹建方案35一、 公司经营宗旨35二、 公司的目标、主要职责35三、 公司组建方式36四、 公司管理体制36五、 部门职责及权限37六、 核心人员介绍41七、 财务会计制度42第五章 法人治理49一、 股东权利及义务49二、 董事56三、 高级管理人员60四、 监事63第六章 发展规划65一、 公司发展规划65二、 保障措施69第七章 选址分析72一、 项目选址原则72二、 建设区基本情况72三、 加快发展现代产业体系，着力提高经济质量效益和核心竞争力75四、 项目选址综合评价76第八章 风险评估分析78一、 项目风险分析78二、 公司竞争劣势81第九章

6、 项目环保分析82一、 编制依据82二、 环境影响合理性分析82三、 建设期大气环境影响分析84四、 建设期水环境影响分析84五、 建设期固体废弃物环境影响分析84六、 建设期声环境影响分析85七、 建设期生态环境影响分析86八、 清洁生产86九、 环境管理分析88十、 环境影响结论90十一、 环境影响建议90第十章 经济效益92一、 基本假设及基础参数选取92二、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表94利润及利润分配表96三、 项目盈利能力分析96项目投资现金流量表98四、 财务生存能力分析99五、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101六、

7、经济评价结论101第十一章 投资计划方案103一、 编制说明103二、 建设投资103建筑工程投资一览表104主要设备购置一览表105建设投资估算表106三、 建设期利息107建设期利息估算表107固定资产投资估算表108四、 流动资金109流动资金估算表110五、 项目总投资111总投资及构成一览表111六、 资金筹措与投资计划112项目投资计划与资金筹措一览表112第十二章 进度计划方案114一、 项目进度安排114项目实施进度计划一览表114二、 项目实施保障措施115第十三章 总结分析116第十四章 附表117主要经济指标一览表117建设投资估算表118建设期利息估算表119固定资产投

8、资估算表120流动资金估算表121总投资及构成一览表122项目投资计划与资金筹措一览表123营业收入、税金及附加和增值税估算表124综合总成本费用估算表124固定资产折旧费估算表125无形资产和其他资产摊销估算表126利润及利润分配表127项目投资现金流量表128借款还本付息计划表129建筑工程投资一览表130项目实施进度计划一览表131主要设备购置一览表132能耗分析一览表132第一章 拟组建公司基本信息一、 公司名称xxx集团有限公司（以工商登记信息为准）二、 注册资本540万元三、 注册地址绵阳xxx四、 主要经营范围经营范围：从事MOSFET功率器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，

9、开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）五、 主要股东xxx集团有限公司主要由xxx投资管理公司和xx有限责任公司发起成立。（一）xxx投资管理公司基本情况1、公司简介公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以

10、实现公司的永续经营和品牌发展。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额5136.974109.583852.73负债总额2825.562260.452119.17股东权益合计2311.411849.131733.56公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入20789.9316631.9415592.45营业利润4461.363569.093346.02利润总额4082.893266.313062.17净利润3062.172388.492204.76归属于母公司所有者的净利润3062.172388.492

11、204.76（二）xx有限责任公司基本情况1、公司简介当前，国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看，世界经济深度调整、复苏乏力，外部环境的不稳定不确定因素增加，中小企业外贸形势依然严峻，出口增长放缓。从国内看，发展阶段的转变使经济发展进入新常态，经济增速从高速增长转向中高速增长，经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长，经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战，企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境，公司依然面临着较大的经营压力，资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时，也面临着重大机遇。随着改革的深化，新型工

12、业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进，以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施，企业发展基本面向好的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势，利用好国际国内两个市场、两种资源，抓住发展机遇，转变发展方式，提高发展质量，依靠创业创新开辟发展新路径，赢得发展主动权，实现发展新突破。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念，倡导“诚信尊重”的企业情怀；坚持“品质营造未来，细节决定成败”为质量方针；以“真诚服务赢得市场，以优质品质谋求发展”的营销思路；以科学发展观纵观全局，争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 2、主要财务数据公司合并

13、资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额5136.974109.583852.73负债总额2825.562260.452119.17股东权益合计2311.411849.131733.56公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入20789.9316631.9415592.45营业利润4461.363569.093346.02利润总额4082.893266.313062.17净利润3062.172388.492204.76归属于母公司所有者的净利润3062.172388.492204.76六、 项目概况（一）投资路径xxx集团有限

14、公司主要从事关于成立MOSFET功率器件公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。“十三五”时期是绵阳决胜全面小康取得决定性成就的五年，是全面践行新发展理念、推动治绵兴绵取得重大突破具有里程碑意义的五年。地区生产总值预计突破3000亿元大关，连续跨过两个千亿元台阶，在全国城市排名由120位上升至93位、时隔14年重返全国百强。二是科技城建设取得巨大成就。一批重大国防科技项目建成投用;

15、国家级高新技术企业预计达到440家、增长175%;R&D经费投入强度保持6.5%以上，11个项目获得国家科学技术进步奖，位居全国城市前列。三是全面深化改革纵深推进。全国推广的全创试验经验中绵阳贡献近1/6;36项改革经验入选国省典型案例;获得三项督查激励，位居全国地级市第2位。四是开放合作取得历史性突破。建成和在建高速公路里程由全省第11位跃升至第3位，绵阳机场跻身全国机场50强;跨境电商综合试验区、综合保税区获批设立;引进京东方、惠科等百亿元以上重大产业项目并建成投产。五是三大攻坚战成效显著。22.7万农村贫困人口提前一年实现脱贫;污染防治力度加大，生态环境持续改善;防范化解重大风险取得积极

16、成效。六是区域发展更加协调。“一核”引领、“两翼”支撑、“三区”协同区域发展新格局初步形成;“一城双心、组团协调”城市发展新格局加速构建，“重构一环、贯通二环”全面实现;县域经济竞相发展，县域地区生产总值占全市比重由78.1%提升至81.4%。七是文化事业和产业繁荣发展。蝉联四届全国文明城市称号，“绵古创新之印”城市标识彰显城市底蕴，“一个枢纽基地、三条精品线路、全域旅游示范区”文旅发展格局初步构建，文化强市旅游强市建设融合推进。八是全面依法治市取得重大进展。地方立法权有效行使，颁布4部地方性实体法规;乡镇行政区划和村级建制调整改革扎实推进，城乡基层治理能力全面加强;法治绵阳平安绵阳建设成效明

17、显。九是人民生活水平显著提高。城乡居民人均可支配收入分别增长37.9%、43.6%，累计城镇新增就业达27.7万人，城镇登记失业率从3.9%下降到2.74%，社会保障体系更加完善，教育事业发展硕果累累，健康绵阳建设成效显著，新冠肺炎疫情防控取得重大成果。十是全面从严治党深入推进。政治纪律和政治规矩进一步严明，各领域基层党组织建设分层分类推进，干部队伍和党风廉政建设全面加强，风清气正的良好政治生态更加巩固。（三）项目选址项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约33.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）生产规

18、模项目建成后，形成年产xx件MOSFET功率器件的生产能力。（五）建设规模项目建筑面积38925.06，其中：生产工程23348.95，仓储工程10238.18，行政办公及生活服务设施3405.14，公共工程1932.79。（六）项目投资根据谨慎财务估算，项目总投资14896.47万元，其中：建设投资12229.14万元，占项目总投资的82.09%；建设期利息163.69万元，占项目总投资的1.10%；流动资金2503.64万元，占项目总投资的16.81%。（七）经济效益（正常经营年份）1、营业收入（SP）：27400.00万元。2、综合总成本费用（TC）：22225.58万元。3、净利润（N

19、P）：3781.11万元。4、全部投资回收期（Pt）：5.73年。5、财务内部收益率：19.54%。6、财务净现值：4943.07万元。（八）项目进度规划项目建设期限规划12个月。（九）项目综合评价本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。第二章 项目背景分析一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与

20、数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3

21、.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOS

22、FET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通

23、MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度

24、高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（

25、折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件

26、市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛

27、应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全

28、球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导

29、体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业

30、发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。四、 加快建设西部内陆改革开放新高地坚定不移推动更深层次改革，着力破除制约高质量发展的体制机制障碍，以深化改革增强发展动

31、力活力。坚定不移实行更高水平开放，加快形成全方位、多层次、多元化的开放合作格局，以全面开放拓展发展空间。激发各类市场主体活力。毫不动摇巩固和发展公有制经济，毫不动摇鼓励、支持、引导非公有制经济发展。健全管资本为主的国有资产监管体制。加快全市国有经济布局优化和结构调整，深化国资国企改革，做强做优做大国资国企。推动商业类竞争性国有企业向实业集中、向主业集中，增强商业类功能性国有企业筹融资能力、加快市场化转型，提高公益类国有企业公共服务可及性、公平性。有序推进国有企业混合所有制改革。健全市场化经营机制，加快推进职业经理人制度，健全市场化薪酬分配机制，完善激励约束机制。依法平等保护各种所有制企业产权和

32、自主经营权，支持引导民营经济健康发展。落实减税降费政策，健全支持中小微企业和个体工商户发展政策措施。依法平等保护民营企业产权和企业家权益，弘扬企业家精神。推进要素市场化配置改革。盘活存量建设用地，支持建设用地资源向重点区域倾斜。引导劳动力要素有序流动，推动基本公共服务与常住人口挂钩。深化地方法人金融机构改革，提升金融科技水平，加快普惠金融体系建设。支持符合条件的企业上市，切实优化金融信贷环境，提升直接融资比重。加速在绵各类技术市场扩容提质，提高技术转移专业服务能力。加快培育数据要素市场。坚持平等准入、公正监管、开放有序和诚信守法，形成高效规范、公平竞争的统一市场。持续优化营商环境。建设职责明确

33、、依法行政的政府治理体系，着力打造国内一流、四川领先的市场化法治化国际化营商环境。深化“放管服”“最多跑一次”改革，持续推行重点招商项目和重点企业“服务绿卡”制度。实施涉企经营许可事项清单管理，深化企业集群注册登记和证照分离改革。在项目投资审批等领域推行承诺制。加快社会信用体系建设。持续推进“互联网+监管”“双随机一公开”。严厉打击假冒伪劣和知识产权侵权行为。落实重大政策事前评估和事后评价制度，畅通参与政策制定渠道。加快建设数字政府，深化政务公开，推进政务服务标准化规范化便利化。深化在绵行业协会、商会和中介机构改革。建立健全规范化常态化政商沟通机制，构建亲清政商关系。实行更高水平开放。实施更大

34、范围、更宽领域、更深层次的全面开放，主动融入“一带一路”建设和长江经济带发展。深化与成都平原经济区城市一体化发展。争取中国(绵阳)科技城纳入中国(四川)自由贸易试验区扩区范围，推进综合保税区提档升级、跨境电商综合试验区提质增效。促进全市各类开发区改革创新发展，开展“亩均论英雄”综合评价。进一步提升中国(绵阳)科技城国际科技博览会专业化、市场化水平。培育外贸综合服务平台。突出招大引强、招新引优，围绕产业链价值链创新链开展精准专业化招商，承接优质产业转移。推进技术、装备和服务等加快“走出去”。依法保护外资企业合法权益，落实外商投资准入前国民待遇加负面清单管理制度。五、 加快形成“一核两翼、三区协同

35、”区域发展新格局实施区域协调发展战略、主体功能区战略，增强中心城区发展能级，提升县域经济发展能力，提高新型城镇化建设质量，加快形成优势互补、高质量发展的区域经济版块。增强区域发展支撑能力。强化“一核”辐射带动和极核引领，促进人口集聚、产业集群，引领带动周边协同发展，培育区域经济核心增长极。壮大“两翼”骨干支撑力量，做大产业规模，提升质量效益和综合竞争力，打造县域发展新引擎，构筑绵阳北向西出和南向东出的战略支点。统筹“三区”错位发展、协同发展，促进基础设施互联互通、产业协同发展、土地高效利用，拓展集约高效的生产空间，框定山清水秀的生态空间，打造宜居适度的生活空间。探索经济区与行政区适度分离改革，

36、健全完善合作互助、利益共享等区域协同发展体制机制。提升中心城区发展能级。坚持新区有机生长、组团协调发展、旧城双修更新同步推进，不断拓展城市空间、优化城市布局、完善城市功能、提升城市品质，增强经济和人口承载能力。按照“300平方公里、300万人口”规划建设中心城区，加快建设型大城市，推动双中心、组团式发展，实现组团内部产城融合、组团之间均衡发展。实施城市更新行动，推进城市生态修复、功能完善工程，强化历史文化保护、城市风貌塑造，加强老旧小区改造和社区建设。有序推进城市地下空间开发利用，系统推进排涝除险、蓄水空间、消防安全等设施建设，打造宜居城市、韧性城市、海绵城市、智慧城市。推进以人为核心的新型城

37、镇化。深化产业培育提速、城乡建设攻坚、改革开放突破、民营经济提振、生态环境优化、社会民生促进“六大行动”，持续推动县域经济高质量发展。深入实施“宜居县城建设行动”，推进以县城为重要载体的城镇化建设，统筹推进县城功能完善、品质提升、特色塑造，争创一批国家新型城镇化建设示范县城。坚持“房住不炒”定位，建立多主体供给、多渠道保障、租购并举的住房制度，促进房地产市场平稳健康发展。推行公租房货币化和实物保障，有效增加保障性住房供给。深化户籍制度改革，加快农业转移人口市民化。六、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销

38、售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业

39、的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第三章 市场预测一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至7

40、0年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需

41、要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材

42、料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴

43、随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。

44、“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前

45、我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最

46、大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFE

47、T将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算