绵阳MOSFET功率器件项目招商引资方案_范文参考.docx
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1、泓域咨询/绵阳MOSFET功率器件项目招商引资方案目录第一章 项目投资背景分析8一、 功率MOSFET的行业发展趋势8二、 功率半导体行业概述9三、 加快构建现代化基础设施体系11四、 项目实施的必要性13第二章 行业、市场分析14一、 功率半导体市场规模与竞争格局14二、 中国半导体行业发展概况14三、 MOSFET器件概述15第三章 项目绪论21一、 项目名称及投资人21二、 编制原则21三、 编制依据22四、 编制范围及内容22五、 项目建设背景23六、 结论分析24主要经济指标一览表26第四章 项目选址28一、 项目选址原则28二、 建设区基本情况28三、 加快发展现代产业体系,着力提
2、高经济质量效益和核心竞争力32四、 加快形成“一核两翼、三区协同”区域发展新格局33五、 项目选址综合评价35第五章 产品方案分析36一、 建设规模及主要建设内容36二、 产品规划方案及生产纲领36产品规划方案一览表36第六章 SWOT分析39一、 优势分析(S)39二、 劣势分析(W)41三、 机会分析(O)41四、 威胁分析(T)43第七章 法人治理结构51一、 股东权利及义务51二、 董事53三、 高级管理人员58四、 监事60第八章 发展规划63一、 公司发展规划63二、 保障措施69第九章 进度实施计划71一、 项目进度安排71项目实施进度计划一览表71二、 项目实施保障措施72第十
3、章 劳动安全生产73一、 编制依据73二、 防范措施74三、 预期效果评价80第十一章 工艺技术方案分析81一、 企业技术研发分析81二、 项目技术工艺分析84三、 质量管理85四、 设备选型方案86主要设备购置一览表87第十二章 项目环境影响分析89一、 编制依据89二、 环境影响合理性分析89三、 建设期大气环境影响分析90四、 建设期水环境影响分析91五、 建设期固体废弃物环境影响分析91六、 建设期声环境影响分析92七、 环境管理分析93八、 结论及建议94第十三章 组织机构管理96一、 人力资源配置96劳动定员一览表96二、 员工技能培训96第十四章 项目投资分析98一、 编制说明9
4、8二、 建设投资98建筑工程投资一览表99主要设备购置一览表100建设投资估算表101三、 建设期利息102建设期利息估算表102固定资产投资估算表103四、 流动资金104流动资金估算表105五、 项目总投资106总投资及构成一览表106六、 资金筹措与投资计划107项目投资计划与资金筹措一览表107第十五章 经济效益及财务分析109一、 基本假设及基础参数选取109二、 经济评价财务测算109营业收入、税金及附加和增值税估算表109综合总成本费用估算表111利润及利润分配表113三、 项目盈利能力分析114项目投资现金流量表115四、 财务生存能力分析117五、 偿债能力分析117借款还本
5、付息计划表118六、 经济评价结论119第十六章 项目风险评估120一、 项目风险分析120二、 项目风险对策122第十七章 项目招标及投标分析125一、 项目招标依据125二、 项目招标范围125三、 招标要求126四、 招标组织方式126五、 招标信息发布130第十八章 总结131第十九章 附表133建设投资估算表133建设期利息估算表133固定资产投资估算表134流动资金估算表135总投资及构成一览表136项目投资计划与资金筹措一览表137营业收入、税金及附加和增值税估算表138综合总成本费用估算表139固定资产折旧费估算表140无形资产和其他资产摊销估算表141利润及利润分配表141项
6、目投资现金流量表142报告说明2020年,充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间,政府工作报告中强调“建设充电桩,推广新能源汽车,激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示,截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆,与2019年年底相比增加36万辆,增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长,新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长,截止2019年12月,全国充电基础设施累计数量为121.9万个,其中公共桩51.6万个,私人桩70.3万个,充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办,服务对象面向
7、所有电动汽车车主。2015年至2019年,全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个,复合年增长率达到了72.9%。根据谨慎财务估算,项目总投资37649.58万元,其中:建设投资29506.70万元,占项目总投资的78.37%;建设期利息296.97万元,占项目总投资的0.79%;流动资金7845.91万元,占项目总投资的20.84%。项目正常运营每年营业收入74800.00万元,综合总成本费用57416.52万元,净利润12730.30万元,财务内部收益率25.86%,财务净现值26622.61万元,全部投资回收期5.16年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回
8、收期合理。由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目投资背景分析一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能,从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。
9、造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进,当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时,就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时,随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升,也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此,高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围,实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言,沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET;屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET;超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓,具有禁带宽度
10、大、电子迁移率高、热导率高的特点,在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先,由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加,第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现,SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据,2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元,预计到2025年将增长至15.53亿美元,复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段,国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展,例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要,提出要加快培育一批第
11、三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外,终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中,客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,其封装工艺和结构更复杂;在小功率应用场景中,功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前,工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起,功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测,2020-2024年分立器件市场增速为2.8%,而功率模块市场增速为9.2%,高于分立器件市场增速。二、
12、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来,随着国民经济的快速发展,功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场,市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类,其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中,20世纪50年代,功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代,晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末,平面型功
13、率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期,沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世,半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代,超级结MOSFET逐步出现,打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言,功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度,还较大程度上依赖进口,未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高,功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言,技术驱动的性能
14、提升主要包括三个方面:更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标,功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上,线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米,提升了功率器件的密度、品质因数(FOM)以及开关效率。在器件结构改进方面,功率器件经历了平面(Planar)、沟槽(Trench)、超级结(SuperJunction)等器件结构的变化,进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面,新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)材料,进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗,也改善了其高温特性。三、
15、 加快构建现代化基础设施体系按照科学规划、合理布局原则,加快补齐交通、能源、水利等基础设施短板,布局建设新型基础设施,构建系统完备、高效实用、智能绿色、安全可靠的现代化基础设施体系,全面赋能和强力支撑高质量发展。打造区域综合交通枢纽。对接西部陆海新通道建设,深入推进交通建设攻坚,构建外联内畅、通江达海的现代综合交通运输体系,加快建设交通强市。拓展对外开放通道,建成成兰铁路(绵阳段),开工建设绵遂内铁路、成都至三台至巴中铁路,规划建设重庆至遂宁至绵阳高铁。建成投运南郊机场T2航站楼,推进绵阳机场迁建,加快建设通用机场。建成九绵、广平、中遂、G5成绵广扩容、绵苍等高速公路,推进三大、南盐、茂盐等高
16、速公路前期工作。畅通内部交通网络,加快国省干线提档升级,推进县域间骨干路网建设,推进中心城区到县(市)快速通道扩容改造或第二快速通道建设。推动铁路、公路、航空等实现货运多式联运和“无缝衔接”。强化能源保障能力建设。因地制宜开发利用新能源和可再生能源。优化输变电设施布局,促进主网架提档升级,着力补强配网短板。加快农村电网改造升级,提升农村地区供电能力和服务水平。加快天然气储气设施及能力建设,构建多层次天然气储备体系。加强水利设施建设。推进重点水利工程建设,建成开茂水库、沉水水库、引通济安工程,实施武引灌区、人民渠等大中型灌区续建配套和现代化改造。加强饮用水水源地和备用水源建设,推进城乡供水工程一
17、体化规模化。实施涪江干支流和中小河流治理、病险水库除险加固、山洪灾害防治工程。加强涪江干支流控制性水利枢纽和河堤建设,提高防洪标准。加快新型基础设施建设。加快布局信息基础设施,推进5G网络、物联网、工业互联网等通信网络基础设施建设,布局数据中心、智能计算中心等算力基础设施,构建高速、移动、安全、泛在的新一代信息基础设施。加快布局融合基础设施,应用人工智能、云计算、区块链等技术,实施传统基础设施转型升级。建设城市智能交通体系,推进北斗卫星导航在安全、交通、旅游等领域深度应用。四、 项目实施的必要性(一)提升公司核心竞争力项目的投资,引入资金的到位将改善公司的资产负债结构,补充流动资金将提高公司应
18、对短期流动性压力的能力,降低公司财务费用水平,提升公司盈利能力,促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持,提高公司核心竞争力。第二章 行业、市场分析一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美元,2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域,国际厂商优势明显,全球前十大功率半导体公司均为海外厂商,包括英飞凌(Infineon)、德州仪器(TexasInstruments)、安森美(ONSemiconductor)、意法
19、半导体(STMicroelectronics)等。行业整体集中度较低,2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%,前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。同时,中国也是全球最大的功率半导体消费国,2019年市场规模达到177亿美元,增速为-3.3%,占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长,2024年市场规模有望达到206亿美元,2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下,中国半
20、导体行业不断发展。步入21世纪以来,我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年,中国半导体产业市场规模达8,848亿元,比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%,显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台,以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视,我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化,未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期,逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举
21、足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下,加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度,中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。三、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回
22、增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级
23、换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主
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