辽阳关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告范文.docx

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1、泓域咨询/辽阳关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告辽阳关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告xx有限公司报告说明xx有限公司主要由xxx有限公司和xx有限责任公司共同出资成立。其中：xxx有限公司出资504.00万元，占xx有限公司45%股份；xx有限责任公司出资616万元，占xx有限公司55%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资35290.73万元，其中：建设投资26978.65万元，占项目总投资的76.45%；建设期利息779.64万元，占项目总投资的2.21%；流动资金7532.44万元，占项目总投资的21.34%。项目正常运营每年营业收入68300.00万元，综合总成本费用51

2、802.27万元，净利润12095.53万元，财务内部收益率27.51%，财务净现值22485.96万元，全部投资回收期5.36年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或

3、模板参考应用。目录第一章 筹建公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况11第二章 行业、市场分析16一、 功率半导体市场规模与竞争格局16二、 MOSFET器件概述16三、 全球半导体行业发展概况21第三章 项目背景分析22一、 功率器件应用发展机遇22二、 功率MOSFET的行业发展趋势26三、 中国半导体行业发展概况28四、 创建民营经济发展新环境29五、 建设营商环境最优市30六、 项目实施的必要性33第四章

4、公司筹建方案34一、 公司经营宗旨34二、 公司的目标、主要职责34三、 公司组建方式35四、 公司管理体制35五、 部门职责及权限36六、 核心人员介绍40七、 财务会计制度41第五章 法人治理结构48一、 股东权利及义务48二、 董事51三、 高级管理人员55四、 监事57第六章 发展规划分析61一、 公司发展规划61二、 保障措施67第七章 环保分析69一、 编制依据69二、 建设期大气环境影响分析70三、 建设期水环境影响分析72四、 建设期固体废弃物环境影响分析73五、 建设期声环境影响分析73六、 环境管理分析74七、 结论75八、 建议75第八章 项目选址77一、 项目选址原则7

5、7二、 建设区基本情况77三、 强化企业创新主体地位80四、 项目选址综合评价82第九章 项目风险防范分析83一、 项目风险分析83二、 公司竞争劣势88第十章 项目经济效益分析89一、 经济评价财务测算89营业收入、税金及附加和增值税估算表89综合总成本费用估算表90固定资产折旧费估算表91无形资产和其他资产摊销估算表92利润及利润分配表94二、 项目盈利能力分析94项目投资现金流量表96三、 偿债能力分析97借款还本付息计划表98第十一章 项目实施进度计划100一、 项目进度安排100项目实施进度计划一览表100二、 项目实施保障措施101第十二章 投资估算102一、 投资估算的依据和说明

6、102二、 建设投资估算103建设投资估算表107三、 建设期利息107建设期利息估算表107固定资产投资估算表109四、 流动资金109流动资金估算表110五、 项目总投资111总投资及构成一览表111六、 资金筹措与投资计划112项目投资计划与资金筹措一览表112第十三章 总结分析114第十四章 附表附件116主要经济指标一览表116建设投资估算表117建设期利息估算表118固定资产投资估算表119流动资金估算表120总投资及构成一览表121项目投资计划与资金筹措一览表122营业收入、税金及附加和增值税估算表123综合总成本费用估算表123固定资产折旧费估算表124无形资产和其他资产摊销估

7、算表125利润及利润分配表126项目投资现金流量表127借款还本付息计划表128建筑工程投资一览表129项目实施进度计划一览表130主要设备购置一览表131能耗分析一览表131第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xx有限公司（以工商登记信息为准）二、 注册资本1120万元三、 注册地址辽阳xxx四、 主要经营范围经营范围：从事MOSFET功率器件相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）五、 主要股东xx有限公司主要由xxx有限公司和xx有限责任公司发起成立。（一）xxx有

8、限公司基本情况1、公司简介公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额15123.0012098.4011342.25负债总额6583.255266.60

9、4937.44股东权益合计8539.756831.806404.81公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入43703.1334962.5032777.35营业利润7450.835960.665588.12利润总额6901.605521.285176.20净利润5176.204037.443726.86归属于母公司所有者的净利润5176.204037.443726.86（二）xx有限责任公司基本情况1、公司简介公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以

10、实现公司的永续经营和品牌发展。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额15123.0012098.4011342.25负债总额6583.255266.604937.44

11、股东权益合计8539.756831.806404.81公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入43703.1334962.5032777.35营业利润7450.835960.665588.12利润总额6901.605521.285176.20净利润5176.204037.443726.86归属于母公司所有者的净利润5176.204037.443726.86六、 项目概况（一）投资路径xx有限公司主要从事关于成立MOSFET功率器件公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为

12、6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。展望二三五年，辽阳要与全国、全省同步基本实现社会主义现代化，实现新时代全面振兴全方位振兴，成为沈阳现代化都市圈中高质量发展的副中心城市，在全省发展大局中的战略地位更加重要，对全省振兴发展的贡献率显著提高。综合实力将大幅跃升，经济总量和城乡居民人均收入将迈上新台阶。建成创新型城市，成为数字辽宁、智造强省的有力支撑；建

13、成现代化经济体系，经济发展质量和效益持续提升，基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化；各方面制度更加完善，基本实现治理体系和治理能力现代化，建成更高水平的法治辽阳、平安辽阳；实现创建全国文明城市目标，市民素质和社会文明程度达到新高度。城市历史文化优势充分彰显，文化软实力显著增强；生态文明建设取得新成效，生态环境根本好转，广泛形成绿色生产生活方式，城市宜居宜业，更具吸引力；形成对外开放新格局，全方位融入以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局；城乡基本公共服务、基础设施通达程度进入全省前列，共建共治共享的现代社会治理格局基本形成，平安建设达到更高水平，人民生活更加美好，人的

14、全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。（三）项目选址项目选址位于xxx（待定），占地面积约90.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）生产规模项目建成后，形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。（五）建设规模项目建筑面积107403.05，其中：生产工程71854.20，仓储工程17483.04，行政办公及生活服务设施12511.73，公共工程5554.08。（六）项目投资根据谨慎财务估算，项目总投资35290.73万元，其中：建设投资26978.65万元，占项目总投资的76.45%；建设期利

15、息779.64万元，占项目总投资的2.21%；流动资金7532.44万元，占项目总投资的21.34%。（七）经济效益（正常经营年份）1、营业收入（SP）：68300.00万元。2、综合总成本费用（TC）：51802.27万元。3、净利润（NP）：12095.53万元。4、全部投资回收期（Pt）：5.36年。5、财务内部收益率：27.51%。6、财务净现值：22485.96万元。（八）项目进度规划项目建设期限规划24个月。（九）项目综合评价经分析，本期项目符合国家产业相关政策，项目建设及投产的各项指标均表现较好，财务评价的各项指标均高于行业平均水平，项目的社会效益、环境效益较好，因此，项目投资建

16、设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本，制定好项目的详细规划及资金使用计划，加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理，特别是加强产品生产的现金流管理，确保企业现金流充足，同时保证各产业链及各工序之间的衔接，控制产品的次品率，赢得市场和打造企业良好发展的局面。第二章 行业、市场分析一、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州

17、仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。二、 MOSFET器

18、件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中

19、国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池

20、管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器

21、件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在

22、器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速

23、。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源

24、汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重

25、大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，I

26、GBT产业将迎来黄金发展期。三、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。第三章 项目背景分析一、 功率器件应用发展机遇受益于新

27、能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，

28、全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提

29、升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW

30、和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直

31、流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300

32、美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；

33、2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度

34、空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。二、 功率

35、MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将

36、替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长

37、率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新

38、能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。三、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战

39、略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。四、 创建民营经济发展新环境优化民营经济发展环境。毫不动摇鼓励支持引导非公有制经济发展，实施公平统一的市场监管制度，严格执行市场准入负面清单制度，强化公平竞争审查制

40、度刚性约束，破除招投标隐性壁垒。制定更加有利于企业发展的政策措施，全面落实惠企政策。健全银行业、金融机构服务民营企业体系，完善直接融资支持制度，健全融资增信支持体系，建立清理和防止拖欠账款机制。规范各类涉企行政行为，健全营商环境评价体系，加强对政府和市场主体的双向约束，严惩干扰经济运行、扰乱市场秩序的违法行为。切实依法保护企业产权和企业家合法权益。提升民营经济发展质量。巩固民营经济发展改革示范市成果，支持民营企业加强质量品牌建设，实施企业创新型高质量技术改造措施。支持民营企业参与国家标准、行业标准和地方标准制定，参加标准化示范点建设，对获得国家级、省级标准化示范试点项目的企业给予奖励，引导民营

41、企业加快转型升级，支持民营企业参与产业链、供应链协同制造。支持民营企业科技创新，鼓励民营企业与国有企业开展技术合作，引导中小企业走“专精特新”发展之路。推进民营企业装备制造高端化、成套化、智能化发展，开展服务型制造专项行动，推动制造业单项冠军企业和产品培育工作，推进“个转企、小升规、规升巨”专项工作。着力培育一批百亿级、十亿级骨干民营企业，把民营经济打造成为辽阳全面振兴全方位振兴最具活力的增长点，吸引更多同类型或相关产业链的企业来辽阳投资兴业。弘扬企业家精神。构建亲清政商关系，规范畅通政企沟通渠道，完善企业家激励机制，促进非公有制经济健康发展和非公有制经济人士健康成长。注重企业家职业道德教育，

42、增强企业家爱国情怀，鼓励企业家成为爱国敬业、诚信守法、创业创新、回报社会的典范。五、 建设营商环境最优市打造办事方便的环境。持续深化“放管服”改革，加大简政放权力度，严格执行负面清单制度，实现清单之外零门槛、证照分离全覆盖，进一步优化审批事项的办理环节，清减材料，压缩时间，不超过国家法定时限的50%。建设服务型政府，持续推进服务标准化，营造“办事不求人”的氛围，推进综合窗口建设，完善“项目管家”长效服务机制，推行投资项目承诺制、告知承诺制、容缺受理制和“好差评”机制，持续提升企业和群众营商环境满意度，使“人人都是营商环境，个个都是开放形象”理念深入人心。推进政府服务智能化，拓展“一网通办”“一

43、网通管”广度和深度，探索“全省通办”和“跨区域通办”，加强数据共享，推进电子证照全面归集，大范围推行一证通办，推动政府服务数据产业化。到2025年，实现各领域指标全面进入省内先进行列，晋升全国优化营商环境领先城市。营造法治良好的氛围。对标世界银行营商环境指标，全面完善营商环境法规体系，提升运用法治思维方式优化营商环境的能力和水平。保障司法公正，全面依法平等保护市场主体合法权益，提升司法质量和效率，推进司法服务方便快捷、司法质效大幅提升、司法成本有效降低、司法生态明显改观。完善司法救济，有效破解“执行难”。牢固树立“服务型执法”理念，打造程序公平、信息公开、高效便民、监督有力的执法环境。加强反不

44、正当竞争执法，保障市场公平竞争。加快健全以技术为引领，以包容审慎为原则，以信用为基础，以数据为核心，以“双随机、一公开”为基本手段的新型监管机制，构建全社会共建共治共享的协同监管新格局。提升法治意识，强化违法惩戒，提高违法成本。增强成本竞争力。有效降低市场准入门槛和企业运营成本，努力降低企业制度性交易成本，加强市场监管和服务。深入落实“1+4+N”工作体制，强化阶段性政策与制度性安排相结合，探索形成更多高水平制度创新成果，出台更多的便民惠企政策，落实落细已有政策，营造长期稳定可预期的制度环境，提升区域成本竞争力，全面形成“没有旁观者，人人皆环境”的浓厚氛围。坚决整治涉企违规收费，动态调整政府定

45、价的涉企经营服务性收费目录清单，建立和完善中小企业综合服务体系。坚持市场化资源配置，破除阻碍要素自由流动的体制机制障碍，促进要素自由流动。健全劳动、资本、土地、知识、技术、管理、数据等生产要素市场，依托互联网、云计算等技术，畅通共享经济合作机制，提高资源利用效率。实行简易注销登记程序。完善信用体系建设。持续推进政务诚信、商务诚信、社会诚信、司法公信融合协同开放共建。规范和完善失信约束制度，有序健康推进政府、企业、社会三大主体信用建设协同发展。建立健全政府失信责任追究制度，治理政府失信行为。加强政府部门对信用信息应用，以政府诚信带动企业诚信、社会诚信。紧紧把握“以信用优化营商环境”“以信用助力社

46、会治理”两条主线，开展企业信用评价和分类监管。全面推进守信联合激励和失信联合惩戒。科学规范推进个人信用积分建设，大力发展“信易贷”等“信易+”产品在20个应用场景落地，成为全国信用体系建设示范市，在东北地区起到引领示范作用。六、 项目实施的必要性（一）提升公司核心竞争力项目的投资，引入资金的到位将改善公司的资产负债结构，补充流动资金将提高公司应对短期流动性压力的能力，降低公司财务费用水平，提升公司盈利能力，促进公司的进一步发展。同时资金补充流动资金将为公司未来成为国际领先的产业服务商发展战略提供坚实支持，提高公司核心竞争力。第四章 公司筹建方案一、 公司经营宗旨公司通过整合资源，实现产品化、智

47、能化和平台化。二、 公司的目标、主要职责（一）目标近期目标：深化企业改革，加快结构调整，优化资源配置，加强企业管理，建立现代企业制度；精干主业，分离辅业，增强企业市场竞争力，加快发展；提高企业经济效益，完善管理制度及运营网络。远期目标：探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌，提升企业核心竞争力。此外，面向国际、国内两个市场，优化资源配置，实施多元化战略，向产业集团化发展，力争利用3-5年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实力的大型企业集团。（二）主要职责1、执行国家法律、法规和产业政策，在国家宏观调控和行业监管下，以市场需求为导向，依法自主经营。2、根据国家和地方产业政策、MOSFET功率器件行业发展规划和市场需求，制定并组织实施公司的发展战略、中长期发展规划、年度计划和重大经营决策。3、深化企业改