襄阳关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告【参考模板】.docx
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1、泓域咨询/襄阳关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告襄阳关于成立MOSFET功率器件公司可行性报告xx公司目录第一章 拟成立公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况11第二章 项目建设背景、必要性16一、 MOSFET器件概述16二、 功率半导体市场规模与竞争格局20三、 全力夯实企业创新主体地位21第三章 公司成立方案23一、 公司经营宗旨23二、 公司的目标、主要职责23三、 公司组建方式24四、 公司管理体
2、制24五、 部门职责及权限25六、 核心人员介绍29七、 财务会计制度31第四章 行业发展分析36一、 功率器件应用发展机遇36二、 全球半导体行业发展概况40三、 功率半导体行业概述41第五章 发展规划分析43一、 公司发展规划43二、 保障措施44第六章 法人治理47一、 股东权利及义务47二、 董事50三、 高级管理人员56四、 监事58第七章 项目选址60一、 项目选址原则60二、 建设区基本情况60三、 构建全方位创新发展格局66四、 项目选址综合评价68第八章 环境保护分析70一、 编制依据70二、 建设期大气环境影响分析71三、 建设期水环境影响分析74四、 建设期固体废弃物环境
3、影响分析74五、 建设期声环境影响分析75六、 环境管理分析76七、 结论77八、 建议77第九章 项目风险分析78一、 项目风险分析78二、 公司竞争劣势85第十章 进度实施计划86一、 项目进度安排86项目实施进度计划一览表86二、 项目实施保障措施87第十一章 项目经济效益评价88一、 经济评价财务测算88营业收入、税金及附加和增值税估算表88综合总成本费用估算表89固定资产折旧费估算表90无形资产和其他资产摊销估算表91利润及利润分配表93二、 项目盈利能力分析93项目投资现金流量表95三、 偿债能力分析96借款还本付息计划表97第十二章 投资计划方案99一、 投资估算的编制说明99二
4、、 建设投资估算99建设投资估算表101三、 建设期利息101建设期利息估算表102四、 流动资金103流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表106第十三章 总结分析108第十四章 附表附件110主要经济指标一览表110建设投资估算表111建设期利息估算表112固定资产投资估算表113流动资金估算表114总投资及构成一览表115项目投资计划与资金筹措一览表116营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表117固定资产折旧费估算表118无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表120项
5、目投资现金流量表121借款还本付息计划表122建筑工程投资一览表123项目实施进度计划一览表124主要设备购置一览表125能耗分析一览表125报告说明xx公司主要由xxx投资管理公司和xxx有限责任公司共同出资成立。其中:xxx投资管理公司出资1179.00万元,占xx公司90%股份;xxx有限责任公司出资131万元,占xx公司10%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资36081.27万元,其中:建设投资29948.18万元,占项目总投资的83.00%;建设期利息309.13万元,占项目总投资的0.86%;流动资金5823.96万元,占项目总投资的16.14%。项目正常运营每年营业收入61800
6、.00万元,综合总成本费用50953.00万元,净利润7915.47万元,财务内部收益率15.54%,财务净现值7300.08万元,全部投资回收期6.24年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下,其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品,具体应用于充电桩的功率因数校正(PowerFactorCorrection,“PFC”)、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计,1
7、00kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元,预计随着充电桩的不断建设,功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 拟成立公司基本信息一、 公司名称xx公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本1310万元三、 注册地址襄阳xxx四、 主要经营范围经营范围:从事MOSFET功率器件相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要
8、股东xx公司主要由xxx投资管理公司和xxx有限责任公司发起成立。(一)xxx投资管理公司基本情况1、公司简介公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定,制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则,董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司在发展中始终坚持以创新为源动力,不断投入巨资引入先进研发设备,更新思想观念,依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势,不断加大新产品的研发力度,以实现公司的永续经营和品牌发展。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额12459.
9、399967.519344.54负债总额4544.833635.863408.62股东权益合计7914.566331.655935.92公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入43324.0634659.2532493.04营业利润6505.135204.104878.85利润总额5349.664279.734012.24净利润4012.243129.552888.81归属于母公司所有者的净利润4012.243129.552888.81(二)xxx有限责任公司基本情况1、公司简介公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理
10、念,不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营造和谐发展环境。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额12459.399967.519344.54负债总额4544.833635.863408.62股东权益合计7914.566331.655935.92公司
11、合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入43324.0634659.2532493.04营业利润6505.135204.104878.85利润总额5349.664279.734012.24净利润4012.243129.552888.81归属于母公司所有者的净利润4012.243129.552888.81六、 项目概况(一)投资路径xx公司主要从事关于成立MOSFET功率器件公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由5G网络主要部署在高频频段,即毫米波频段(mmWave)。因接收功率与波长的平方成正比,毫米波的信号衰减严重,而发射功率又受到限制,所以5G网络部署需要
12、增加发射天线和接收天线的数量,使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计,传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元,而过渡为MassvieMIMO天线阵列后,所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元,达到原来的4倍。展望二三五年,我市经济总量、综合实力大幅跃升,城乡居民人均收入达到全国平均水平,人均地区生产总值达到中等发达经济体水平,基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化,建成现代化经济体系,形成与“一极两中心”相适应的综合实力和辐射带动功能;建成特色鲜明、结链成群的产业体系,新经济蓄势突破、新业态蓬勃发展、新模式不断涌现,成为引领区域高质量发展的活跃增长极和
13、强劲动力源;建成主体多元、活力迸发的创新体系,企业创新能力大幅提升,人才创新活力全面激发,科技创新机制更加完善,创新要素加速集聚,创新活动广泛深入,成为国内重要的创新之城;建成统一开放、竞争有序的市场体系,交通网络立体拓展,物流通道快捷畅达,服务和消费不断升级,成为汉江流域城市群的引领者;建成内外联动、安全高效的开放体系,资源要素高效集散、内外贸易繁荣兴盛,成为汉江流域对外贸易和产业合作的桥头堡;建成保护自然、和谐共生的生态体系,生产场景、生活场景、生态场景有机融合,生态系统质量和环境稳定性全面提升,成为“两山”理论实践创新基地;建成智能精准、共建共享的治理体系,构建系统完备、科学规范、运行有
14、效的制度体系,让人民群众更好享受高效能治理成果和高品质生活,成为全国同类城市市域治理的示范标杆,基本建成富强民主文明和谐美丽的社会主义现代化强市。(三)项目选址项目选址位于xx,占地面积约100.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积91644.92,其中:生产工程60214.29,仓储工程10882.72,行政办公及生活服务设施10097.85,公共工程10450.06。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资3608
15、1.27万元,其中:建设投资29948.18万元,占项目总投资的83.00%;建设期利息309.13万元,占项目总投资的0.86%;流动资金5823.96万元,占项目总投资的16.14%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):61800.00万元。2、综合总成本费用(TC):50953.00万元。3、净利润(NP):7915.47万元。4、全部投资回收期(Pt):6.24年。5、财务内部收益率:15.54%。6、财务净现值:7300.08万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划12个月。(九)项目综合评价本项目生产所需的原辅材料来源广泛,产品市场需求旺盛,潜力巨大;本项目产品生产
16、技术先进,产品质量、成本具有较强的竞争力,三废排放少,能够达到国家排放标准;本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设;项目产品畅销,经济效益好,抗风险能力强,社会效益显著,符合国家的产业政策。第二章 项目建设背景、必要性一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至
17、73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份
18、额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十
19、年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平
20、面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和
21、高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型
22、三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合
23、计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的统计,2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入
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