贵港MOSFET功率器件项目实施方案参考范文.docx

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1、泓域咨询/贵港MOSFET功率器件项目实施方案贵港MOSFET功率器件项目实施方案xxx有限责任公司目录第一章 项目总论8一、 项目名称及建设性质8二、 项目承办单位8三、 项目定位及建设理由9四、 报告编制说明10五、 项目建设选址12六、 项目生产规模12七、 建筑物建设规模12八、 环境影响12九、 项目总投资及资金构成13十、 资金筹措方案13十一、 项目预期经济效益规划目标13十二、 项目建设进度规划14主要经济指标一览表14第二章 背景及必要性17一、 MOSFET器件概述17二、 中国半导体行业发展概况21三、 功率半导体市场规模与竞争格局22四、 完善创新驱动机制23第三章 行

2、业发展分析24一、 功率MOSFET的行业发展趋势24二、 功率器件应用发展机遇25三、 全球半导体行业发展概况30第四章 选址可行性分析32一、 项目选址原则32二、 建设区基本情况32三、 培育科技创新动力36四、 全面融入粤港澳大湾区37五、 项目选址综合评价37第五章 产品方案与建设规划38一、 建设规模及主要建设内容38二、 产品规划方案及生产纲领38产品规划方案一览表38第六章 建筑工程技术方案40一、 项目工程设计总体要求40二、 建设方案40三、 建筑工程建设指标41建筑工程投资一览表41第七章 运营模式分析43一、 公司经营宗旨43二、 公司的目标、主要职责43三、 各部门职

3、责及权限44四、 财务会计制度47第八章 发展规划53一、 公司发展规划53二、 保障措施54第九章 原材料及成品管理57一、 项目建设期原辅材料供应情况57二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理57第十章 节能方案说明59一、 项目节能概述59二、 能源消费种类和数量分析60能耗分析一览表61三、 项目节能措施61四、 节能综合评价63第十一章 工艺技术及设备选型64一、 企业技术研发分析64二、 项目技术工艺分析66三、 质量管理67四、 设备选型方案68主要设备购置一览表69第十二章 环保方案分析71一、 环境保护综述71二、 建设期大气环境影响分析71三、 建设期水环境影响分析74四、

4、 建设期固体废弃物环境影响分析74五、 建设期声环境影响分析74六、 环境影响综合评价75第十三章 投资方案分析76一、 投资估算的依据和说明76二、 建设投资估算77建设投资估算表81三、 建设期利息81建设期利息估算表81固定资产投资估算表83四、 流动资金83流动资金估算表84五、 项目总投资85总投资及构成一览表85六、 资金筹措与投资计划86项目投资计划与资金筹措一览表86第十四章 经济收益分析88一、 基本假设及基础参数选取88二、 经济评价财务测算88营业收入、税金及附加和增值税估算表88综合总成本费用估算表90利润及利润分配表92三、 项目盈利能力分析93项目投资现金流量表94

5、四、 财务生存能力分析96五、 偿债能力分析96借款还本付息计划表97六、 经济评价结论98第十五章 风险防范99一、 项目风险分析99二、 项目风险对策101第十六章 项目综合评价说明103第十七章 附表104主要经济指标一览表104建设投资估算表105建设期利息估算表106固定资产投资估算表107流动资金估算表108总投资及构成一览表109项目投资计划与资金筹措一览表110营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表111利润及利润分配表112项目投资现金流量表113借款还本付息计划表115第一章 项目总论一、 项目名称及建设性质（一）项目名称贵港MOSFET功率器件项目（

6、二）项目建设性质本项目属于新建项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xxx有限责任公司（二）项目联系人丁xx（三）项目建设单位概况公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。经过多年的发展，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用

7、研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。公司在发展中始终坚持以创新为源动力，不断投入巨资引入先进研发设备，更新思想观念，依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势，不断加大新产品的研发力度，以实现公司的永续经营和品牌发展。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。三、 项目定位及建设理由根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高

8、于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。全面落实自治区“十四五”时期实现“加快发展、转型升级、全面提质”的主要目标，充分考虑我市发展的阶段性特征和未来发展的支撑条件，坚持目标导向和问题导向相结合，经济发展的质量和效益显著提升。在

9、提高发展均衡性、包容性、可持续性的基础上，保持高于全国、全区的经济增长速度，力争到二二五年地区生产总值达到两千亿元左右。广西战略性新兴产业城基本建成，港口服务业带动明显提升，科技创新能力明显增强，现代农业发展基础更加夯实。城镇化率稳步提高，城乡差距和区域差距缩小，发展空间格局更加优化。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济发展规划；5、其他相关资料。（二）报告编制原则1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的

10、设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论。（二） 报告主要内容1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件

11、、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。五、 项目建设选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约27.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积37969.16，其中：生产工程25438.10，

12、仓储工程8317.55，行政办公及生活服务设施3296.16，公共工程917.35。八、 环境影响项目符合国家和地方产业政策，选址布局合理，拟采取的各项环境保护措施具有经济和技术可行性。建设单位在严格执行项目环境保护“三同时制度”、认真落实相应的环境保护防治措施后，项目的各类污染物均能做到达标排放或者妥善处置，对外部环境影响较小，故项目建设具有环境可行性。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资13296.15万元，其中：建设投资10069.92万元，占项目总投资的75.74%；建设期利息244.07万元，

13、占项目总投资的1.84%；流动资金2982.16万元，占项目总投资的22.43%。（二）建设投资构成本期项目建设投资10069.92万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用8739.42万元，工程建设其他费用1048.10万元，预备费282.40万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资13296.15万元，其中申请银行长期贷款4980.91万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：25100.00万元。2、综合总成本费用（TC）：19339.76万元。3、净利润（NP）：4216.33万元。（二）经济效

14、益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.73年。2、财务内部收益率：23.94%。3、财务净现值：4957.99万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积18000.00约27.00亩1.1总

15、建筑面积37969.161.2基底面积11160.001.3投资强度万元/亩365.712总投资万元13296.152.1建设投资万元10069.922.1.1工程费用万元8739.422.1.2其他费用万元1048.102.1.3预备费万元282.402.2建设期利息万元244.072.3流动资金万元2982.163资金筹措万元13296.153.1自筹资金万元8315.243.2银行贷款万元4980.914营业收入万元25100.00正常运营年份5总成本费用万元19339.766利润总额万元5621.777净利润万元4216.338所得税万元1405.449增值税万元1153.9110税金

16、及附加万元138.4711纳税总额万元2697.8212工业增加值万元8970.9013盈亏平衡点万元9034.53产值14回收期年5.7315内部收益率23.94%所得税后16财务净现值万元4957.99所得税后第二章 背景及必要性一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计

17、市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据

18、了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET

19、继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压V

20、DMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此

21、常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体

22、管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%

23、，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、

24、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73

25、%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。三、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，20

26、19年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的

27、功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。四、 完善创新驱动机制深入推进科技体制改革，优化市级与各县（市、区）创新驱动规划体系、信息共享体系和运行机制。加强知识产权保护监管工作，设立创新驱动专项基金，完善科技评价机制，落实科技成果转化有关政策，建立健全科技成果转化激励机制。鼓励企业加大研发投入，落实企业研发投入税收优惠政策。完善金融支持创新体系，弘扬科学精神和工匠精神，加强科普工作，推进科技馆等科普基础设施建设

28、，营造崇尚创新的社会氛围。积极参与“一带一路”科技创新行动计划，布局建设双向离岸创新平台及“创新飞地”。第三章 行业发展分析一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MO

29、SFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。

30、根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在

31、小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域

32、之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增

33、长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直

34、流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerF

35、actorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主

36、。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共

37、享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可

38、以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需

39、要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。三、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全

40、球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。第四章 选址可行性分析一、 项目选址原则项目选址应符合城市发展总体规划和对市政公共服务设施的布局要求；依托选址的地理条件，交通状况，进行建址分析；避免不良地质地段(如溶洞、断层、软土、湿陷土等)；公用工程如城市电力、供排水管网等市政设施配套完善；场址要求交通方便，环境安静，地形比较平整，能够充分利.用城市基础设施，远离污染源和易燃易爆的生产、储存

41、场所，便于生活和服务设施合理布局；场址上空无高压输电线路等障碍物通过，与其他公共建筑不造成相互干扰。二、 建设区基本情况贵港，位于中华人民共和国广西壮族自治区东南部，西江流域中游，浔郁平原中部，是大西南出海通道的重要门户，中缅油气管道天然气管道终点。贵港港为中国西部地区内河第一大港，国家智慧城市试点城市，西江黄金水道流经市境，东临梧州、南临玉林和钦州、西接南宁、北邻来宾。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，贵港市常住人口为4316262人。1995年10月经批准升为地级市，辖港北区、港南区、覃塘区和平南县，代管县级桂平市，总面积10602平方公里。特产有菠萝蜜、贵港莲藕、龙眼

42、、桂圆干、覃塘毛尖茶、罗汉果等。贵港市因城里多种植荷花而别称荷城，是一座具有两千多年历史的古郡新城，也是一座充满生机的新兴内河港口城市。贵港市是国家一类对外开放口岸、全国内河港口十强、中国西部地区最大内河港口、国家承接产业专业示范区、全国双拥模范城、全国群众文化和体育先进城市、广西壮族自治区园林城市、广西壮族自治区爱国卫生先进城市、广西壮族自治区文明城市。贵港地区人杰地灵，英才辈出，涌现了石达开、杨秀清、萧朝贵、韦昌辉、黄彰、罗尔纲等一批杰出人物。2018年10月，获得“国家森林城市”称号。2020年10月，被评为全国双拥模范城（县）。当前和今后一个时期，我市发展仍处于赶超跨越期，机遇和挑战都

43、有新的变化，机遇大于挑战。从挑战看，新冠肺炎疫情全球蔓延加速世界百年未有之大变局的演化，国际环境日趋复杂，不稳定性不确定性明显增加；广西发展面临新旧动能转换不畅、创新能力不适应高质量发展要求和“不进则退、慢进亦退”的严峻挑战；我市仍属欠发达地区，经济总量小，综合实力弱，工业化进程起步晚，区域竞争日趋激烈，城镇化、信息化发展滞后，支撑全市经济社会发展的核心竞争力、集聚力不足；对内对外互联互通水平较低，对外贸易与投资水平不高，推进“东进融合”仍有很大空间；生态环境保护仍需加强；民生保障短板和社会治理仍有弱项，发展不平衡不充分问题仍然明显。从机遇看，进入新发展阶段，区域全面经济伙伴关系协定（RCEP

44、）正式签署，西部陆海新通道上升为国家战略，珠江西江经济带建设加速推进，广西“一湾相挽十一国、良性互动东中西”的独特区位优势更加凸显，为我市承接粤港澳大湾区溢出效应，促进珠江西江经济带和西部陆海新通道有机衔接，加快我市产业转型升级、培育壮大发展新动能，全方位开放融入国内国际双循环带来重大机遇；自治区推动港产城融合发展，建设西部制造强区、现代特色农业强区、生态经济强区、文化旅游强区、现代物流强区、数字广西和面向东盟的金融开放门户，大力推进区域协调发展和新型城镇化，推动西部大开发形成新格局，全面推进乡村振兴，为我市加快发展、扩大开放带来重大机遇。我市已站在全面建成小康社会新起点上，发展方式加快转变，

45、新的增长动力孕育形成；后发优势明显，社会大局稳定，人力资源丰富，市场空间广阔，区位、交通、资源等比较优势凸显；思想解放、敢作善成、勇于担当、创先争优已成为全市干部群众的行动自觉，发展韧性强劲，潜力巨大。进入新发展阶段，全市上下要充分认识面临的风险和挑战，增强机遇意识和风险意识，立足贵港仍处于赶超跨越期的基本市情，保持战略定力，发扬新时代“四干”新作风，树立底线思维，善于在危机中育先机、于变局中开新局，解放思想，抢抓机遇，克难攻坚，补短板、强弱项，走出一条质量更高、效益更好、结构更优的发展新路，在社会主义现代化建设征程中谱写贵港发展新篇章。展望二三五年，我市综合实力大幅跃升，经济总量和城乡居民人

46、均收入迈上新台阶，地区生产总值达到全区中上水平，与全国、全区同步基本实现社会主义现代化，珠江西江经济带核心港口城市和战略性新兴产业城辐射带动作用进一步增强；经济结构更加优化，创新能力显著提升，实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化，建成贵港特色现代化经济体系；开放水平大幅提升，全面形成“东进融合”发展新格局，成为“珠江西江经济带”与“西部陆海新通道”有机衔接支点城市，内外联动、区域协同的全方位、多层次、高水平对外开放格局基本形成；实现贵港治理现代化，人民平等参与、平等发展权利得到充分保障，建成法治贵港、法治政府、法治社会；全域旅游示范市优势进一步凸显，体育强市、健康贵港建成，教育高质量发展，人才队伍不断壮大，市民素质和社会文明程度达到新高度；生态环境持续改善，广泛形成绿色生产生活方式，生态经济发展壮大，美丽贵港建设目标实现；城乡面貌根本改观，基本公共服务实现均等化，城乡融合、区域协调格局全面形成；乡村振兴取得决定性进展，农业农村现代化基本实现；重要领域改革与基本制度成熟定型，资源配置合理，要素流动顺畅，营商环境达到国内一流水平；民族团结进步得到巩固提升，建成更高水平的平安贵港；民生福祉达到新水平，社会