连云港MOSFET功率器件项目商业计划书【范文模板】.docx

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1、泓域咨询/连云港MOSFET功率器件项目商业计划书目录第一章 项目总论8一、 项目概述8二、 项目提出的理由9三、 项目总投资及资金构成12四、 资金筹措方案12五、 项目预期经济效益规划目标13六、 项目建设进度规划13七、 环境影响13八、 报告编制依据和原则14九、 研究范围15十、 研究结论15十一、 主要经济指标一览表15主要经济指标一览表15第二章 市场预测18一、 全球半导体行业发展概况18二、 功率器件应用发展机遇18三、 中国半导体行业发展概况23第三章 项目建设背景、必要性24一、 MOSFET器件概述24二、 功率半导体市场规模与竞争格局28三、 创新驱动发展建设国家创新

2、型城市29四、 建设现代化国际性海滨城市促进城乡协调发展34五、 项目实施的必要性38第四章 建设规模与产品方案40一、 建设规模及主要建设内容40二、 产品规划方案及生产纲领40产品规划方案一览表40第五章 建筑工程可行性分析42一、 项目工程设计总体要求42二、 建设方案42三、 建筑工程建设指标42建筑工程投资一览表43第六章 运营模式45一、 公司经营宗旨45二、 公司的目标、主要职责45三、 各部门职责及权限46四、 财务会计制度49第七章 发展规划分析56一、 公司发展规划56二、 保障措施60第八章 SWOT分析63一、 优势分析（S）63二、 劣势分析（W）65三、 机会分析（

3、O）65四、 威胁分析（T）67第九章 安全生产70一、 编制依据70二、 防范措施73三、 预期效果评价78第十章 原辅材料分析79一、 项目建设期原辅材料供应情况79二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理79第十一章 组织机构及人力资源81一、 人力资源配置81劳动定员一览表81二、 员工技能培训81第十二章 节能方案说明83一、 项目节能概述83二、 能源消费种类和数量分析84能耗分析一览表85三、 项目节能措施85四、 节能综合评价86第十三章 投资方案分析88一、 编制说明88二、 建设投资88建筑工程投资一览表89主要设备购置一览表90建设投资估算表91三、 建设期利息92建设期利

4、息估算表92固定资产投资估算表93四、 流动资金94流动资金估算表95五、 项目总投资96总投资及构成一览表96六、 资金筹措与投资计划97项目投资计划与资金筹措一览表97第十四章 经济收益分析99一、 经济评价财务测算99营业收入、税金及附加和增值税估算表99综合总成本费用估算表100固定资产折旧费估算表101无形资产和其他资产摊销估算表102利润及利润分配表104二、 项目盈利能力分析104项目投资现金流量表106三、 偿债能力分析107借款还本付息计划表108第十五章 风险防范110一、 项目风险分析110二、 项目风险对策112第十六章 招标方案114一、 项目招标依据114二、 项目

5、招标范围114三、 招标要求115四、 招标组织方式115五、 招标信息发布119第十七章 总结分析120第十八章 附表附件122建设投资估算表122建设期利息估算表122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126营业收入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表128固定资产折旧费估算表129无形资产和其他资产摊销估算表130利润及利润分配表130项目投资现金流量表131报告说明目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为

6、主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。根据谨慎财务估算，项目总投资20268.81万元，其中：建设投资15823.43万元，占项目总投资的78.07%；建设期利息208.96万元，占项目总投资的1.03%；流动资金4236.42万元，占项目总投资的20.90%。项目正常运营每年营业收入42600.00万元，综合总成本费用3

7、4988.12万元，净利润5563.45万元，财务内部收益率21.30%，财务净现值8237.49万元，全部投资回收期5.57年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章

8、项目总论一、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：连云港MOSFET功率器件项目2、承办单位名称：xx公司3、项目性质：技术改造4、项目建设地点：xx（待定）5、项目联系人：王xx（二）主办单位基本情况公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司不

9、断推动企业品牌建设，实施品牌战略，增强品牌意识，提升品牌管理能力，实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等，加强品牌策划与设计，丰富品牌内涵，不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设，提高区域内企业影响力。公司自成立以来，坚持“品牌化、规模化、专业化”的发展道路。以人为本，强调服务，一直秉承“追求客户最大满意度”的原则。多年来公司坚持不懈推进战略转型和管理变革，实现了企业持续、健康、快速发展。未来我司将继续以“客户第一，质量第一，信誉第一”为原则，在产品质量上精益求精，追求完美，对客户以诚相待，互动双赢。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于x

10、x（待定），占地面积约52.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xx件MOSFET功率器件/年。二、 项目提出的理由2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。按照2035年远景目标的阶段性部署安排，“十四五”时期，创造性落实“争当表率、争做示范、走在前列

11、”要求，以探索性、创新性、引领性的发展，建设“强富美高”连云港，推动“高质发展、后发先至”迈上新台阶、进入新境界。高质发展更加强劲，综合实力明显提升。坚持创新驱动，推动经济结构持续优化，发展内生动力不断增强，在发展速度和效率上走在前列。累计产业投资6000亿元，地区生产总值跨越2个千亿元台阶，工业应税销售收入、一般公共预算收入实现翻番。高端创新要素集聚能力显著增强，科技成果向生产力转化的通道更加顺畅，科技进步贡献率突破60%，产业基础高级化、产业链现代化深入推进，国家石化产业基地基本建成，“中华药港”建设取得明显成效，海洋经济做大做强，数字连云港建设实现重大突破，现代服务业加快发展，农业基础更

12、加稳固，高质量现代产业体系更加健全，供给体系质量和效率进一步增强。县域经济赶超进位，市域内部基础设施体系进一步完善，区域和城乡发展更加协调。社会民生更加优化，生活品质明显提升。实现更加充分更高质量就业，城乡居民收入和经济同步增长，城乡居民收入差距和生活水平差距持续缩小。教育、医疗、文化等公共服务投入稳步加大，普惠型、均等化的城乡基本公共服务体系基本建成。教育发展水平整体跃升，健康和经济社会良性协调发展，全民健身公共服务体系更加健全。社会保障网络体系更加完善，医疗、养老保险等覆盖范围和保障水平持续提高，低收入群体居住生活条件得到更大改善，房地产市场平稳健康发展，群众对高质量发展的获得感和满意度进

13、一步提高。自然生态更加向好，环境质量明显提升。“两山”理论深入践行，生态文明制度健全，绿色低碳生产生活方式深入人心，美丽连云港建设深入推进。生态优先、绿色发展，资源节约型、环境友好型社会建设取得扎实成效。生态环境质量明显改善，大气、水、土壤等污染得到有效治理，化工整治深入推进，生态修复全面提升，生态环境质量改善、节能减排等约束性指标完成省定任务。建设公园城市，构建美丽乡村，山海之美、生态之美、城乡之美、人文之美充分彰显。社会文明更加进步，精神文化明显提升。“中国梦”和社会主义核心价值观更加深入人心，爱国主义、集体主义、社会主义精神广为弘扬，新时代“连云港精神”凝聚力和影响力明显提升，“一群好人

14、、满城春风”城市形象进一步彰显。文明创建纵深发展，全国文明城市、国家卫生城市创建成果巩固提升，申建国家历史文化名城。文化和旅游深度融合，以文塑旅、以旅彰文的文旅产业繁荣发展。推进全民终身学习，市民思想道德、科学文化和健康素养明显提高。深化改革更加拓展，开放能级明显提升。围绕构建新发展格局推出系列改革举措，不断深化供给侧结构性改革，“放管服”改革、要素市场化配置改革、国资国企改革等取得更显著成效，在改革创新、推动高质量发展上争当表率。打造全方位、多层次、多元化的平台载体，深度融入“一带一路”建设，全面推进国家东中西区域合作示范区建设，东西双向开放不断深化，支点城市全面构建，“东方大港”地位凸显，

15、“两基地、一班列”提档升级，自贸试验区建设取得重大阶段性成效，服务国内国际双循环的能力进一步增强，高水平开放成为高质量发展的强大动能。港口吞吐量达到3亿吨，集装箱运量达到600万标箱，外贸进出口（货物贸易和服务贸易）总额达到140亿美元，累计实际利用外资50亿美元。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资20268.81万元，其中：建设投资15823.43万元，占项目总投资的78.07%；建设期利息208.96万元，占项目总投资的1.03%；流动资金4236.42万元，占项目总投资的20.90%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金

16、筹措方案项目总投资20268.81万元，根据资金筹措方案，xx公司计划自筹资金（资本金）11739.87万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额8528.94万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：42600.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：34988.12万元。3、项目达产年净利润（NP）：5563.45万元。4、财务内部收益率（FIRR）：21.30%。5、全部投资回收期（Pt）：5.57年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：17474.55万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报

17、告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 环境影响本期项目采用国内领先技术，把可能产生污染的各环节控制在生产工艺过程中，使外排的“三废”量达到最低限度，项目投产后不会给当地环境造成新污染。八、 报告编制依据和原则（一）编制依据1、一般工业项目可行性研究报告编制大纲;2、建设项目经济评价方法与参数(第三版);3、建设项目用地预审管理办法;4、投资项目可行性研究指南;5、产业结构调整指导目录。（二）编制原则为实现产业高质量发展的目标，报告确定按如下原则编制：1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路：资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定

18、的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术，在保证产品质量的同时，力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。九、 研究范围1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。十、 研究结论此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生

19、产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积34667.00约52.00亩1.1总建筑面积60608.141.2基底面积22186.881.3投资强度万元/亩290.482总投资万元20268.812.1建设投资万元15823.432.1.1工程费用万元13567.132.1.2其他费用万元1830.202.1.3预备费万元426.102.2建设期利息万元208.962.3流动资金万元4236.423资金筹措万元20

20、268.813.1自筹资金万元11739.873.2银行贷款万元8528.944营业收入万元42600.00正常运营年份5总成本费用万元34988.126利润总额万元7417.937净利润万元5563.458所得税万元1854.489增值税万元1616.2310税金及附加万元193.9511纳税总额万元3664.6612工业增加值万元12373.1613盈亏平衡点万元17474.55产值14回收期年5.5715内部收益率21.30%所得税后16财务净现值万元8237.49所得税后第二章 市场预测一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产

21、技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。二、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器

22、件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共

23、服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超

24、级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交

25、流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电

26、功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021

27、中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使

28、用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网

29、络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。三、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业

30、市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背

31、景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。第三章 项目建设背景、必要性一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模

32、有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-

33、C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，

34、用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层

35、和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率

36、器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相

37、对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdi

38、a的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，

39、目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroele

40、ctronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 创新驱动发展建设国家创新型城市深入实施创新驱动发展战略，以建设国家创新型城市为抓手，立足“中华药港”、燃气轮机大科学装置、新材料产

41、业基地等重点科创载体和平台，在更高水平上集聚创新资源，加速攻关核心关键技术，在科技创新上争当表率，推动经济增长向创新驱动转变。（一）建设创新创业载体聚焦优势特色产业，以产业升级、企业需求为导向，构建以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系，打造“地标产业+产业研发服务平台+高新技术企业和高端研发机构”的产业创新发展生态，深化区域性产业科技创新体系建设。1、建设技术研发创新平台聚焦产业发展需求，规划建设花果山大道科创走廊，打造科创资源集中承载区和创新经济发展引领区。积极融入国家科技创新战略布局，建成高效低碳燃气轮机试验装置国家重大科技基础设施项目，促进科技成果落地转化，集聚一批燃气

42、轮机配套及关联企业。到2025年，建成省级以上企业研发机构200个，大中型工业企业研发机构基本实现全覆盖。推动设立海外研发机构、海外联合实验室、离岸孵化器等平台，配置全球创新资源，承接高端技术转移。2、建设创新创业孵化平台发挥高新区创新发展示范引领作用，建设科技服务大市场，加快建设“创业苗圃孵化器加速器”孵化链、众创社区（研发社区）和科技服务业集聚区。深化建设国家农业科技园区，加快东海县省级农高区建设，创建国家级农高区。3、培育创新型企业强化企业创新主体地位，完善企业创新支持服务，支持大中小企业和各类主体融通创新，培育充满活力的创新型企业集群。4、强化企业创新主体地位加大对企业自主创新的引导和

43、支持，鼓励加大科技研发投入，加强应用技术研发和先进技术应用，促进科技成果向现实生产力转化。支持参与国家、省级科技计划和重大工程项目，健全由企业牵头实施应用性重大科技项目机制，引导创新要素向企业集聚，使企业成为研发投入、技术创新、创新成果应用的主体。5、强化产学研合作促进创新链和产业链精准对接，加快科研成果从样品到产品再到商品的转化。到2025年，校企合作联盟达到1500个。6、健全多元科技创新投入体系加快形成多元化、多层次、多渠道的科技创新投融资体系，有效引导各类资本围绕科技创新进行金融产品创新与资源配置，构建覆盖科技创新全链条的金融支撑体系。（二）集聚创新创业人才坚持人才是第一资源，深化人才

44、发展体制机制改革，实行更加开放的人才政策，全方位培养、引进、用好人才，构筑集聚国内外优秀人才的发展高地。1、强化人才培养开发把人才资源开发放在创新驱动发展最优先的位置，强化创新型人才培养导向，创新高校教育模式，完善科研院所人才培养机制，加快形成一支规模大、富有创新精神、敢于承担风险的创新型人才队伍。2、加大人才引进力度建立灵活高效的人才引进机制，构建政府引导、用人单位主体、社会参与的人才引进体系。加大对“一带一路”沿线国家教育合作项目的支持力度，打造“丝路东方留学连云港”教育品牌，培养引进国际化复合型人才。探索国际人才管理改革试点，推进海外人才离岸创新创业基地建设。3、健全人才发展机制完善人才

45、评价机制，强化人才分类评价导向，以职业属性和岗位要求为基础，充分发挥政府、市场、专业组织和用人单位等多元主体的作用，分类建立符合不同人才成长规律和职业专业特点的人才评价机制。（三）优化科技创新体制机制深入推进科技体制改革，加快转变政府职能，大力破除束缚创新的制度性障碍，优化创新政策供给，鼓励开展协同创新、协同研发，构建开放包容、公平竞争、活力彰显的一流创新环境。1、建立协同创新机制推动创新资源整合，集合优质资源与优势平台，加快形成科教资源共建共享的机制。优化专业服务体系，共建创新服务联盟，加强中小企业公共服务平台网络建设。2、建立多层次协同研发创新体系推动国家级专业性公共服务平台、省级中小企业

46、公共服务示范平台和龙头骨干企业公共技术平台在连云港落户发展，为企业、创业团体和个人提供跨学科、跨区域的创新研发服务。3、深化创新体制机制改革加快科技管理职能转变，推动政府职能从分钱、分物、定项目向定战略、定方针、定政策转变。（四）激发创新创业活力整合创新资源，完善创新支持体系，建设功能完善的创新创业载体，加强知识产权保护，大幅提高科技成果转移转化成效，构建适宜创新创业的生态系统。1、培育优良创新创业生态实施全民创业行动计划。加强“双创”载体和服务平台建设，加大创新创业税收、用地、融资、人才等政策支持力度，降低创业门槛和成本，打造良好创新创业生态，努力营造“敢为人先、宽容失败”创新创业文化氛围，鼓励更多劳动者创业创新。健全优秀创业项目遴选制度，促进创业项目向创业实体转化。建立创业风险预警和防范机制。2、加强知识产权保护运用建设国家知识产权示范城市，建立健全以知识产权为导向的技术需求和供给对接机制。加快建设连云港市知识产权保护中心，鼓励市场化知识产权运营机构发展，严厉打击知识产权侵权行为，持续提升知识产权创造、运用、保护、管理和服务能力，培育知识产权密集型产业和企业，推动全市知识产权综合实力达苏北领先水平。