西安MOSFET功率器件项目商业计划书(范文参考).docx
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1、泓域咨询/西安MOSFET功率器件项目商业计划书西安MOSFET功率器件项目商业计划书xxx有限公司报告说明2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。根据谨慎财务估算,项目总投资17096.74万元,其中:建设投资13291.63万元,占项目总投资的77.74%;建设期利息282.53万元,占项目总投资的1.65%;流动资金3522.58万元,占项目总投资的20.60%。项目正常运营每年
2、营业收入36100.00万元,综合总成本费用29759.67万元,净利润4637.59万元,财务内部收益率19.60%,财务净现值4274.59万元,全部投资回收期6.14年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公司可持续发展的基础。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目投资背景分析9一、 全球半导体行业发展概况9二、 MOSFET器件概述9
3、三、 功率MOSFET的行业发展趋势14四、 做强支柱产业15五、 做大新兴产业16第二章 项目概述18一、 项目名称及建设性质18二、 项目承办单位18三、 项目定位及建设理由19四、 报告编制说明20五、 项目建设选址22六、 项目生产规模22七、 建筑物建设规模23八、 环境影响23九、 项目总投资及资金构成23十、 资金筹措方案24十一、 项目预期经济效益规划目标24十二、 项目建设进度规划24主要经济指标一览表25第三章 项目承办单位基本情况27一、 公司基本信息27二、 公司简介27三、 公司竞争优势28四、 公司主要财务数据29公司合并资产负债表主要数据29公司合并利润表主要数据
4、30五、 核心人员介绍30六、 经营宗旨32七、 公司发展规划32第四章 选址可行性分析37一、 项目选址原则37二、 建设区基本情况37三、 激发人才创新活力39四、 项目选址综合评价39第五章 建筑工程方案41一、 项目工程设计总体要求41二、 建设方案42三、 建筑工程建设指标43建筑工程投资一览表43第六章 发展规划分析45一、 公司发展规划45二、 保障措施49第七章 SWOT分析说明52一、 优势分析(S)52二、 劣势分析(W)53三、 机会分析(O)54四、 威胁分析(T)55第八章 组织机构管理59一、 人力资源配置59劳动定员一览表59二、 员工技能培训59第九章 原辅材料
5、成品管理61一、 项目建设期原辅材料供应情况61二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理61第十章 项目节能方案62一、 项目节能概述62二、 能源消费种类和数量分析63能耗分析一览表64三、 项目节能措施64四、 节能综合评价65第十一章 技术方案分析66一、 企业技术研发分析66二、 项目技术工艺分析68三、 质量管理69四、 设备选型方案70主要设备购置一览表71第十二章 项目投资分析73一、 投资估算的依据和说明73二、 建设投资估算74建设投资估算表76三、 建设期利息76建设期利息估算表76四、 流动资金78流动资金估算表78五、 总投资79总投资及构成一览表79六、 资金筹措与投资
6、计划80项目投资计划与资金筹措一览表81第十三章 经济效益及财务分析82一、 经济评价财务测算82营业收入、税金及附加和增值税估算表82综合总成本费用估算表83固定资产折旧费估算表84无形资产和其他资产摊销估算表85利润及利润分配表87二、 项目盈利能力分析87项目投资现金流量表89三、 偿债能力分析90借款还本付息计划表91第十四章 招标方案93一、 项目招标依据93二、 项目招标范围93三、 招标要求94四、 招标组织方式96五、 招标信息发布96第十五章 总结说明97第十六章 附表附件98建设投资估算表98建设期利息估算表98固定资产投资估算表99流动资金估算表100总投资及构成一览表1
7、01项目投资计划与资金筹措一览表102营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表104固定资产折旧费估算表105无形资产和其他资产摊销估算表106利润及利润分配表106项目投资现金流量表107第一章 项目投资背景分析一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心,信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点,全球半导体行业具有一定的周期性,景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计,全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元,较2018年下降约12.
8、1%。过去五年,随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展,以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起,带动了整个半导体行业规模增长。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回
9、增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级
10、换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主
11、流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电
12、压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压
13、超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGB
14、T具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2
15、.41%。根据Omdia的统计,2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,
16、未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域,IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件,随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能,从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进,当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时,就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时,随着各个应用领域对性能和效率
17、的要求不断提升,也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此,高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围,实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言,沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET;屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET;超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓,具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点,在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先,由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加,第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下
18、更好的表现,SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据,2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元,预计到2025年将增长至15.53亿美元,复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段,国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展,例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要,提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外,终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中,客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块
19、需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,其封装工艺和结构更复杂;在小功率应用场景中,功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前,工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起,功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测,2020-2024年分立器件市场增速为2.8%,而功率模块市场增速为9.2%,高于分立器件市场增速。四、 做强支柱产业依靠创新驱动、集群发展,增强电子信息、汽车、航空航天、高端装备、新材料新能源、食品和生物医药6大支柱产业核心竞争力。积极培育引进产业链龙头企业、关键项目,实施产业基础再造工程和产业链提升工程,大力
20、补链、延链、强链,构建自主可控、安全高效的产业链供应链。以集成电路、智能终端和新型电子元器件等为重点,打造电子信息制造产业集群。以新能源汽车、节能汽车和关键零部件等为重点,打造汽车产业集群。以飞机制造、航空发动机和航天运载动力等为重点,打造航空航天产业集群。以超特高压输配电设备、工程机械和轨道交通装备等为重点,打造高端装备产业集群。以超导材料、铝镁新材料和太阳能光伏等为重点,打造新材料新能源产业集群。以现代食品、生物医药和医疗器械等为重点,打造食品和生物医药产业集群。持续开展质量提升和“标准化+”专项行动,打响“西安制造”品牌。到2025年,力争规模以上先进制造业总产值超过1万亿元,形成6个千
21、亿级产业集群,新增规模以上先进制造业企业1000户以上。五、 做大新兴产业加快新技术产业化、规模化,培育壮大人工智能、增材制造(3D打印)、机器人、大数据、卫星应用等5大新兴产业。以建设国家硬科技创新示范区为载体,推动互联网、物联网、大数据、人工智能等与各产业深度融合,围绕优势领域重点发展智能机器人、关键器件、核心芯片、无人机、卫星通讯导航遥感市场化应用,搭建实施典型应用示范场景,鼓励支持新技术、新产品、新业态、新模式布局应用,形成各具特色、优势互补、结构合理的新兴产业增长引擎,打造“西安创造”品牌。紧盯产业发展趋势,谋划发展量子信息、类脑智能、生命健康等一批未来产业,抢占经济发展“新赛道”。
22、到2025年,新兴产业主营业务收入超过2000亿元。第二章 项目概述一、 项目名称及建设性质(一)项目名称西安MOSFET功率器件项目(二)项目建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xxx有限公司(二)项目联系人肖xx(三)项目建设单位概况企业履行社会责任,既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路,也是实现企业自身可持续发展的必然选择;既是顺应经济社会发展趋势的外在要求,也是提升企业可持续发展能力的内在需求;既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径,也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨,公司积极履行社会责任,依法经营、诚实守信,
23、节约资源、保护环境,以人为本、构建和谐企业,回馈社会、实现价值共享,致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础,从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手,建立了一套较为完善的社会责任管理机制。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维
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