邢台碳化硅衬底项目商业计划书参考模板.docx

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1、泓域咨询/邢台碳化硅衬底项目商业计划书邢台碳化硅衬底项目商业计划书xxx有限责任公司目录第一章 项目总论9一、 项目名称及投资人9二、 项目建设背景9三、 结论分析11主要经济指标一览表13第二章 项目背景分析15一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心15二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期16三、 实施创新驱动发展战略，培育高质量赶超发展新引擎18四、 集聚高质量赶超发展新动力20第三章 项目建设单位说明24一、 公司基本信息24二、 公司简介24三、 公司竞争优势25四、 公司主要财务数据27公司合并资产负债表主要数据27公司合并利润表主要数据27五、 核心

2、人员介绍27六、 经营宗旨29七、 公司发展规划29第四章 市场预测31一、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%31二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越32三、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期33第五章 发展规划36一、 公司发展规划36二、 保障措施37第六章 创新驱动40一、 企业技术研发分析40二、 项目技术工艺分析42三、 质量管理43四、 创新发展总结44第七章 SWOT分析说明45一、 优势分析（S）45二、 劣势分析（W）47三、 机会分析（O）47四、 威胁分析（T）48第八章 法人治理结构56一、 股东权利及义务56二、 董事58三、 高级

3、管理人员62四、 监事65第九章 运营模式分析67一、 公司经营宗旨67二、 公司的目标、主要职责67三、 各部门职责及权限68四、 财务会计制度72第十章 建设内容与产品方案79一、 建设规模及主要建设内容79二、 产品规划方案及生产纲领79产品规划方案一览表79第十一章 建筑技术方案说明82一、 项目工程设计总体要求82二、 建设方案83三、 建筑工程建设指标84建筑工程投资一览表84第十二章 项目进度计划86一、 项目进度安排86项目实施进度计划一览表86二、 项目实施保障措施87第十三章 风险风险及应对措施88一、 项目风险分析88二、 项目风险对策90第十四章 投资估算及资金筹措92

4、一、 投资估算的依据和说明92二、 建设投资估算93建设投资估算表97三、 建设期利息97建设期利息估算表97固定资产投资估算表99四、 流动资金99流动资金估算表100五、 项目总投资101总投资及构成一览表101六、 资金筹措与投资计划102项目投资计划与资金筹措一览表102第十五章 经济效益及财务分析104一、 基本假设及基础参数选取104二、 经济评价财务测算104营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表106利润及利润分配表108三、 项目盈利能力分析108项目投资现金流量表110四、 财务生存能力分析111五、 偿债能力分析112借款还本付息计划表113六、 经

5、济评价结论113第十六章 项目综合评价说明115第十七章 补充表格117主要经济指标一览表117建设投资估算表118建设期利息估算表119固定资产投资估算表120流动资金估算表121总投资及构成一览表122项目投资计划与资金筹措一览表123营业收入、税金及附加和增值税估算表124综合总成本费用估算表124利润及利润分配表125项目投资现金流量表126借款还本付息计划表128报告说明SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍

6、；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。根据谨慎财务估算，项目总投资25276.41万元，其中：建设投资19907.78万元，占项目总投资的78.76%；建设期利息203.43万元，占项目总投资的0.80%；流动资金5165.20万元，占项目总投资的20.43%。项目正常运营每年营业收入52

7、400.00万元，综合总成本费用41156.90万元，净利润8238.14万元，财务内部收益率25.78%，财务净现值15661.10万元，全部投资回收期5.14年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策，具有前瞻性；项目产品技术及工艺成熟，达到大批量生产的条件，且项目产品性能优越，是推广型产品；项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案；项目设施对环境的影响经评价分析是可行的；根据项目财务评价分析，经济效益好，在财务方面是充分可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合

8、行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目总论一、 项目名称及投资人（一）项目名称邢台碳化硅衬底项目（二）项目投资人xxx有限责任公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（以最终选址方案为准）。二、 项目建设背景SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。“十三五”期间全市地区生产总值预计年均增长5.5%左右；规上工业增加值预计年均增长5%左右；一般公共预算收入预计达到171亿元，年均增长7%左右，在全省前移2个位次。主要经济指标年均增速快于

9、全省平均水平，与全省先进地区差距进一步缩小。三是产业转型升级成效明显。“3+2+2”现代产业体系不断壮大，先进装备制造、新能源、新材料等主导产业快速崛起，规模以上高新技术产业增加值占工业增加值的比重达到20%以上。提前完成“十三五”化解过剩产能任务。三次产业结构由“二三一”演变为“三二一”，2020年服务业增加值比重预计达到48.4%。四是创新能力稳步提升。“十三五”期间，组织实施重点创新项目480个，研发重点新产品、新技术、新工艺800余项，获国家科技进步奖一等奖1项，21个项目获河北省科学技术进步奖。实施创新平台和科技园区“双提升行动”，共建成国家级创新平台14个，省级以上创新平台196个

10、，市级创新平台925个，实现了主导产业和县域特色产业的全覆盖。五是城乡发展更加协调。中心城市行政区划调整顺利实施，城市发展空间扩大。城镇化水平进一步提升，全市常住人口城镇化率预计达到55，户籍人口城镇化率预计达到43。中心城市基础和公共服务设施建设、老旧小区改造加快推进，邢东新区建设取得阶段性进展。县城和特色小镇建设不断加快。乡村振兴战略扎实推进，美丽乡村建设成效明显。六是民生福祉不断增进。城乡居民收入大幅增长，城镇居民和农村居民人均可支配收入预计达到33740元和14902元，分别是2015年的1.54倍和1.63倍。全市就业、教育、医疗、住房保障水平不断提升，城乡居民基本养老保险参保率达到

11、95%以上。推动“四医联动”改革，针对失能、半失能人员设立了长期护理险，成为全国唯一一个长期护理保险全覆盖的地级市。在省内率先实现全域公交一体化。七是改革开放取得突破。商事制度改革成效显著，创新“两不见面”改革，获通报表扬，在全国率先开展企业投资项目承诺制改革试点。推进资源要素优化配置，实施了项目“双进双产”“亩均论英雄”“234+1.5”标准地改革。优化政务服务，推行“妈妈式”服务，城市信用排名首次进入全国前30名。深化金融体制改革，扶持企业上市融资。设立重点企业服务办公室，优化包办帮办服务。八是社会治理和谐有序。基层党组织建设日益加强。法治邢台建设取得积极进展，社会治理不断创新。立体化治安

12、防控体系和社会治理网络更加完善，平安邢台建设不断推进。乡村治理体系日益健全，乡风文明程度大幅提升，社会治理基础平台基本建立。三、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（以最终选址方案为准），占地面积约69.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx万片碳化硅衬底的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资25276.41万元，其中：建设投资19907.78万元，占项目总投资的78.76%；建设期利息203.43万元，占项目总投资的0.80%；流动资金5165.

13、20万元，占项目总投资的20.43%。（五）资金筹措项目总投资25276.41万元，根据资金筹措方案，xxx有限责任公司计划自筹资金（资本金）16973.05万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额8303.36万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：52400.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：41156.90万元。3、项目达产年净利润（NP）：8238.14万元。4、财务内部收益率（FIRR）：25.78%。5、全部投资回收期（Pt）：5.14年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：16239.85万元（产值）。（七）社会效益该项目符合国家

14、有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积46000.00约69.00亩1.1总建筑面积64506.311.2基底面积25760.001.3投资强度万元/亩272.002总投资万元25276.412.1建设投资万元19907.782.1.1工程费用万元17115

15、.932.1.2其他费用万元2209.142.1.3预备费万元582.712.2建设期利息万元203.432.3流动资金万元5165.203资金筹措万元25276.413.1自筹资金万元16973.053.2银行贷款万元8303.364营业收入万元52400.00正常运营年份5总成本费用万元41156.906利润总额万元10984.197净利润万元8238.148所得税万元2746.059增值税万元2157.5610税金及附加万元258.9111纳税总额万元5162.5212工业增加值万元17216.7313盈亏平衡点万元16239.85产值14回收期年5.1415内部收益率25.78%所得税

16、后16财务净现值万元15661.10所得税后第二章 项目背景分析一、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8

17、英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以

18、上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到

19、200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使用量将达到100-150颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸Si

20、C衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化

21、硅功率器件。据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1

22、491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 实施创新驱动发展战略，培育高质量赶超发展新引擎坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，强化创新、创业、创投、创客“四创联动”，促进众创、众包、众扶、众筹“四众发展”，统筹抓好创新主体、创新基础、

23、创新资源、创新环境，提升自主创新能力，培育高质量赶超发展新引擎，加快建设创新创业活力之城。（一）积极打造创新协同高地充分发挥邢东新区和邢台经济开发区的区域空间优势，高标准谋划建设创新创业载体，打造全市创新驱动发展“双引擎”。围绕现代商贸、金融服务、科技教育、生命健康、创意时尚、文化演艺等领域，打造创客街区、创投街区、创业孵化街区等创新创业社区，布局创业园、微总部、创客空间等多元化创业服务载体，建设一批便利化、专业化、全要素、开放式的众创空间。吸引国内外著名高校和科研机构建设中试基地、产学研基地、产业化中心、研发中心等各类创新载体，加快发展虚拟大学园、大学科创园、留学生创业园等多元化创新平台。（

24、二）提升企业技术创新能力努力培育一批创新型领军企业，鼓励行业龙头企业通过并购重组、资源整合和引进战略投资者等途径整合创新资源，发展成为具有国际竞争力的创新型领军企业；深入开展科技型中小企业成长行动，完善科技型中小企业综合服务体系，支持中小企业开展专项技术突破和专利技术购买，引导企业走“专精特新”发展道路，打造一批创新能力强、市场占有率高、品牌价值高的科技“小巨人”企业、独角兽企业。（三）激发人才创新创造活力实施“人才强市”战略，开展创新人才快速引育计划，全力引进领军型创新团队和人才。持续实施大学生人才引进计划，完善邢台籍人才回邢就业相关政策，吸引在外地工作的邢台籍公务员及事业单位工作人员回邢发

25、展。培养壮大适用型人才队伍，推动高技能人才培养，调整优化邢台学院、邢台职业技术学院、邢台医学高等专科学校、河北机电职业技术学院、邢台现代职业学校、邢台技师学院、邢台应用职业技术学院等学校专业设置和学科建设，加强企业与院校定向合作培养，推动校企合作办学和新型学徒制人才培养，分层次、多渠道、有针对性地培养一批复合型、应用型高技能人才。大力弘扬科学精神和工匠精神，营造崇尚创新的社会氛围。（四）完善科技创新体制机制推进科技计划体系改革，建立市级科技计划联席会议制度，改进科技项目组织管理方式，实行“揭榜挂帅”等制度，给予创新领军人才更大技术路线决定权和经费使用权。加快科技管理职能转变，整合财政科研投入，

26、支持企业扩大研发投入，不断提高全社会研发支出占生产总值比重。推进军民融合发展，努力实现区域创新和军民创新“双协同”。四、 集聚高质量赶超发展新动力坚持以申报省级综合改革试验市为契机，全面深化重点领域和关键环节改革，积极探索内陆开放型经济发展的新路径新模式，努力将我市打造成为京津冀东南门户城市。（一）打造最优营商环境。持续深化“放管服”改革，推进市场化法治化国际化便利化营商环境建设，加快“无证明城市”建设，推行“妈妈式”服务，最大程度优化审批流程，推进更多政务服务事项“最多跑一次”“最多跑一地”。全面实施市场准入负面清单制度。健全企业家圆桌会议和领导干部包联企业机制，建立亲清政商关系。持续推进“

27、信用邢台”建设，完善社会信用体系和企业诚信体系，健全失信行为认定、失信联合惩戒、信用修复等机制，力争城市综合信用指数排名持续保持全国前30。（二）优化资源要素配置方式全面落实“亩均论英雄”综合评价机制，持续推行企业“234+1.5”的集约用地政策，加大“五未”土地处理力度，全面推进“标准地”供应，打造“标准地”供应的邢台样板。有序推进农村用地管理制度改革，逐步建立城乡统一的土地市场。全面推进资源要素差别化配置改革。推进投融资体制改革。加快推进国企改革。持续推广普惠式金融。拓宽中小微企业、民营企业、科技型企业、个体工商户等市场主体融资渠道。（三）提升开发区能级推进园区管理体制改革，加大园区放权力

28、度，进一步强化园区自主发展职能。推动园区财政核算改革、人事薪酬制度改革。创新园区运营模式，积极引入战略投资者，促进园区跨越式发展。争列冀中南国家内陆开放型经济试验区。强化招商的“大好高优”导向，守牢“一高两低”门槛，完善招商项目评估遴选机制。应用推广“湖邢结对招商”模式，全方位提升招商引资能力。健全项目建设管理机制，强化项目推进的考核监督，完善重大项目进展情况调度及通报制度，建立县（市、区）和部门项目建设“红黑榜”。（四）借力京津打造高质量赶超发展动力源加强与京津产业园区、科技园、企业、科研机构等对接合作，打造京津中高端制造业转移承接地。推进邢东新区、邢台经济开发区、邢台高新技术产业开发区、清

29、河经济开发区、隆尧经济开发区、沙河经济开发区、广宗经济开发区和威县顺义产业园8个重点承接平台建设。完善京津疏解转移项目落地发展服务体系。推动与京津教育、医疗互联互通。（五）融入全省、全国开放大格局推进与雄安新区、自由贸易试验区、沿海地区等高开放度区域合作，建立与雄安新区产业联动机制，支持邢台经济开发区、邢东新区等申建河北省自贸试验区邢台联动发展区。支持邢台高新区争创国家级高新区。加强与秦皇岛、唐山和沧州地区港口、产业深度合作。打造石邢融合发展先行区，建立与邯郸同城协作发展机制。推进与晋、鲁相邻地区交通设施互联互通，加强与晋东相邻地区生态联合建设、旅游业一体发展。强化与鲁西相邻地区大运河百里生态

30、文化景观带联合开发。（六）放眼海外打造国际合作新优势依托冀蒙俄、冀新欧等国际大通道，加强与“一带一路”沿线国家和地区的贸易合作。全力提升外资外贸水平。推进利用外资供给侧结构性改革。打造一批出口优势领军企业。积极参加“河北品牌全球行”等活动，支持企业建立海外采购中心、境外展示交易中心。第三章 项目建设单位说明一、 公司基本信息1、公司名称：xxx有限责任公司2、法定代表人：郝xx3、注册资本：790万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2012-2-217、营业期限：2012-2-21至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营

31、范围：从事碳化硅衬底相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念，将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念，不断提升公司资产管理能力和风险控制能力。三、 公司竞争优势（一）工艺技术优势公司一直注重技术进步和工艺创新，通过引入国际先进的设备，不断加大自主技术

32、研发和工艺改进力度，形成较强的工艺技术优势。公司根据客户受托产品的品种和特点，制定相应的工艺技术参数，以满足客户需求，已经积累了丰富的工艺技术。经过多年的技术改造和工艺研发，公司已经建立了丰富完整的产品生产线，配备了行业先进的设备，形成了门类齐全、品种丰富的工艺，可为客户提供一体化综合服务。（二）节能环保和清洁生产优势公司围绕清洁生产、绿色环保的生产理念，依托科技创新，注重从产品结构和工艺技术的优化来减少三废排放，实现污染的源头和过程控制，通过引进智能化设备和采用自动化管理系统保障清洁生产，提高三废末端治理水平，保障环境绩效。经过持续加大环保投入，公司已在节能减排和清洁生产方面形成了较为明显的

33、竞争优势。（三）智能生产优势近年来，公司着重打造 “智慧工厂”，通过建立生产信息化管理系统和自动输送系统，将企业的决策管理层、生产执行层和设备运作层进行有机整合，搭建完整的现代化生产平台，智能系统的建设有利于公司的订单管理和工艺流程的优化，在确保满足客户的各类功能性需求的同时缩短了产品交付期，提高了公司的竞争力，增强了对客户的服务能力。（四）区位优势公司地处产业集聚区，在集中供气、供电、供热、供水以及废水集中处理方面积累了丰富的经验，能源配套优势明显。产业集群效应和配套资源优势使公司在市场拓展、技术创新以及环保治理等方面具有独特的竞争优势。（五）经营管理优势公司拥有一支敬业务实的经营管理团队，

34、主要高级管理人员长期专注于印染行业，对行业具有深刻的洞察和理解，对行业的发展动态有着较为准确的把握，对产品趋势具有良好的市场前瞻能力。公司通过自主培养和外部引进等方式，建立了一支团结进取的核心管理团队，形成了稳定高效的核心管理架构。公司管理团队对公司的品牌建设、营销网络管理、人才管理等均有深入的理解，能够及时根据客户需求和市场变化对公司战略和业务进行调整，为公司稳健、快速发展提供了有力保障。四、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额8803.477042.786602.60负债总额2694.092155.272020.57股东权

35、益合计6109.384887.504582.03公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入21595.6417276.5116196.73营业利润4985.173988.143738.88利润总额4559.293647.433419.47净利润3419.472667.192462.02归属于母公司所有者的净利润3419.472667.192462.02五、 核心人员介绍1、郝xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。2、方xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4

36、月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。3、程xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。4、赵xx，1957年出生，大专学历。1994年5月至2002年6月就职于xxx有限公司；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2018年3月至今任公司董事。5、贾xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任

37、公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。6、孟xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。7、莫xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961年出生，本科学历，高级工程师。2002年11月至今任xxx总经理。2017年8月至今任公司独立董事。8、蒋xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；

38、2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。六、 经营宗旨以市场经济为导向，立足主业，引进新项目、开发新技术、开辟新市场，以求高信誉、高效率、高效益，为用户提供一流的产品和服务，为股东和投资者获得更多的利益，实现社会效益和经济效益的最大化。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商

39、率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的

40、中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第四章 市场预测一、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领

41、域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建

42、设。二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射

43、频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐

44、高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进

45、军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山

46、东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。第五章 发展规划一、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成