邯郸功率器件项目实施方案_模板.docx

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1、泓域咨询/邯郸功率器件项目实施方案邯郸功率器件项目实施方案xxx集团有限公司目录第一章 行业、市场分析8一、 中国半导体行业发展概况8二、 MOSFET器件概述8三、 功率器件应用发展机遇13第二章 绪论18一、 项目名称及项目单位18二、 项目建设地点18三、 可行性研究范围18四、 编制依据和技术原则18五、 建设背景、规模19六、 项目建设进度20七、 环境影响20八、 建设投资估算20九、 项目主要技术经济指标21主要经济指标一览表21十、 主要结论及建议23第三章 背景及必要性24一、 功率半导体行业概述24二、 功率MOSFET的行业发展趋势25三、 坚持扩大内需战略，积极融入新发

2、展格局27第四章 建筑工程说明31一、 项目工程设计总体要求31二、 建设方案31三、 建筑工程建设指标32建筑工程投资一览表32第五章 产品方案与建设规划34一、 建设规模及主要建设内容34二、 产品规划方案及生产纲领34产品规划方案一览表35第六章 选址分析36一、 项目选址原则36二、 建设区基本情况36三、 建设现代产业体系，打造高质量发展冀南标杆39四、 强化创新体系建设，全面塑造发展新优势42五、 项目选址综合评价45第七章 发展规划分析46一、 公司发展规划46二、 保障措施52第八章 运营模式分析54一、 公司经营宗旨54二、 公司的目标、主要职责54三、 各部门职责及权限55

3、四、 财务会计制度58第九章 法人治理结构62一、 股东权利及义务62二、 董事66三、 高级管理人员71四、 监事73第十章 劳动安全75一、 编制依据75二、 防范措施78三、 预期效果评价80第十一章 项目节能方案82一、 项目节能概述82二、 能源消费种类和数量分析83能耗分析一览表84三、 项目节能措施84四、 节能综合评价87第十二章 原辅材料供应88一、 项目建设期原辅材料供应情况88二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理88第十三章 建设进度分析89一、 项目进度安排89项目实施进度计划一览表89二、 项目实施保障措施90第十四章 工艺技术说明91一、 企业技术研发分析91二、

4、 项目技术工艺分析94三、 质量管理95四、 设备选型方案96主要设备购置一览表97第十五章 投资计划98一、 投资估算的依据和说明98二、 建设投资估算99建设投资估算表101三、 建设期利息101建设期利息估算表101四、 流动资金103流动资金估算表103五、 总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表106第十六章 项目经济效益107一、 基本假设及基础参数选取107二、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表109利润及利润分配表111三、 项目盈利能力分析111项目投资现金流量表113四

5、、 财务生存能力分析114五、 偿债能力分析115借款还本付息计划表116六、 经济评价结论116第十七章 风险风险及应对措施118一、 项目风险分析118二、 项目风险对策120第十八章 总结说明122第十九章 附表附件123主要经济指标一览表123建设投资估算表124建设期利息估算表125固定资产投资估算表126流动资金估算表127总投资及构成一览表128项目投资计划与资金筹措一览表129营业收入、税金及附加和增值税估算表130综合总成本费用估算表130固定资产折旧费估算表131无形资产和其他资产摊销估算表132利润及利润分配表133项目投资现金流量表134借款还本付息计划表135建筑工程

6、投资一览表136项目实施进度计划一览表137主要设备购置一览表138能耗分析一览表138第一章 行业、市场分析一、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构

7、的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、

8、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2

9、017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电

10、子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOS

11、FET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特

12、性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至3

13、5.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11

14、.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域

15、。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器

16、件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共

17、服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超

18、级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交

19、流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电

20、功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100kW的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021

21、中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使

22、用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMIMO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网

23、络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。第二章 绪论一、 项目名称及项目单位项目名称：邯郸功率器件项目项目单位：xxx集团有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx园区，占地面积约28.00亩。

24、项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析，为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济发展规划；5、其他相关资料。（二）技术原则

25、1、所选择的工艺技术应先进、适用、可靠，保证项目投产后，能安全、稳定、长周期、连续运行。2、所选择的设备和材料必须可靠，并注意解决好超限设备的制造和运输问题。3、充分依托现有社会公共设施，以降低投资，加快项目建设进度。4、贯彻主体工程与环境保护、劳动安全和工业卫生、消防同时设计、同时建设、同时投产。5、消防、卫生及安全设施的设置必须贯彻国家关于环境保护、劳动安全的法规和要求，符合行业相关标准。6、所选择的产品方案和技术方案应是优化的方案，以最大程度减少投资，提高项目经济效益和抗风险能力。科学论证项目的技术可靠性、项目的经济性，实事求是地作出研究结论。五、 建设背景、规模（一）项目背景2019年

26、全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积18667.00（折合约28.00亩），预计场区规划总建筑面积33539.80。其中：生产工程24113.58，仓储工程3225.66，行政办公及生活服务设施4958.08，公共工程1242.48。项目建成后，形成年产xxx件功率器件的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx集团有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土

27、建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响该项目在建设过程中，必须严格按照国家有关建设项目环保管理规定，建设项目须配套建设的环境保护设施必须与主体工程同时设计、同时施工、同时投产使用。各类污染物的排放应执行环保行政管理部门批复的标准。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资15164.60万元，其中：建设投资11614.82万元，占项目总投资的76.59%；建设期利息153.45万元，占项目总投资的1.01%；流动资金3396.33万元，占项目总投资的22.40%。（二）建设投资构成本期项目建设

28、投资11614.82万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用10057.76万元，工程建设其他费用1269.20万元，预备费287.86万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入29400.00万元，综合总成本费用23314.84万元，纳税总额2895.77万元，净利润4450.38万元，财务内部收益率23.05%，财务净现值5640.79万元，全部投资回收期5.41年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积18667.00约28.00亩1.1总建筑面积33539.801.2基底面积1194

29、6.881.3投资强度万元/亩396.112总投资万元15164.602.1建设投资万元11614.822.1.1工程费用万元10057.762.1.2其他费用万元1269.202.1.3预备费万元287.862.2建设期利息万元153.452.3流动资金万元3396.333资金筹措万元15164.603.1自筹资金万元8901.343.2银行贷款万元6263.264营业收入万元29400.00正常运营年份5总成本费用万元23314.846利润总额万元5933.847净利润万元4450.388所得税万元1483.469增值税万元1260.9910税金及附加万元151.3211纳税总额万元289

30、5.7712工业增加值万元10099.3413盈亏平衡点万元10341.70产值14回收期年5.4115内部收益率23.05%所得税后16财务净现值万元5640.79所得税后十、 主要结论及建议项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。第三章 背景及必要性一、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、

31、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国

32、内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了

33、功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。二、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺

34、不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、

35、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOS

36、FET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。三、 坚持扩大内需战略，积极融入新发展格局牢牢把握扩

37、大内需这个战略基点，积极融入以国内大循环为主体、国内国际双循环相互促进的新发展格局，推动提振消费与扩大投资有效结合、相互促进，实现供给和需求更高水平的动态平衡。（一）加快“两新一重”建设着力推动交通、水利、能源等重大基础设施建设。加快打造全国性综合交通枢纽，铁路方面：争取开工建设聊邯长高铁、石邢邯城际项目，谋划推进邯黄铁路复线、沙午线提升改造等货运铁路项目和衡潢铁路等客运铁路项目，加快建设一批铁路专用线项目，全面提升铁路枢纽城市地位。公路方面：加快推进主城区大外环、515国道邯郸段改扩建、雄安新区至郑州高速公路等重点项目，逐步构建“五纵三横一环”的高速公路网络和市县联通、快速直达的干线公路网络

38、；谋划推进青兰和邯馆高速公路扩能建设以及出入口改造，实施赵王大街南延工程。谋划推进城市轨道交通建设，打造以主城区为核心的辐射状轻轨快速交通网络。航空方面：推动邯郸机场航线辐射全国主要城市，推进魏县、涉县等通用机场建设，打造“1N”航空网络。完善水利基础设施体系，提升城市和骨干行洪河道防洪能力，实施水库枢纽和水资源配置工程，谋划推进娄里水库、匡门口水库、茅岭底水库、牤牛河东延、洺河龙泉和东洺阳缓洪工程、东部平原水源调蓄工程等重点水利工程，补齐供水工程短板，加强引水调水。完善综合能源体系，实施电网提升行动，大力建设智能电网。加快清洁能源设施建设，推进域内供气管道互联互通，构建多元化燃气保障格局。着

39、力推动新型基础设施建设。加快第五代移动通信、工业互联网、大数据中心等建设，实施“5G数字邯郸”战略，建设覆盖全市的5G通信网络和应用服务体系。加快智慧城市建设，谋划建设“智慧邯郸城市大脑”、市云计算中心二期等重点项目，建立全市统一的物联网感知设施标识，推动公交、路网、管网等传统城市基础设施数字化改造。着力推动新型城镇化建设。加快市政管网、排水防涝、配送投递、停车场、新能源汽车充电桩等城镇公共设施建设，大力推进垃圾处理、污水处理、生态环保、公共厕所等城镇环境卫生设施建设，发展医疗卫生、教育、养老托育、社区综合服务等城镇公共服务，切实补齐功能短板。（二）扩大精准有效投资实施项目带动战略，加快重点项

40、目建设，聚焦主导产业和县域特色产业，加强项目谋划，高标准建设投资项目库，动态完善在建、新开、储备“三个清单”。突出“两新”导向，加强项目全过程管理，落实领导包联全覆盖机制，形成“开工一批、投产一批、储备一批、谋划一批”的滚动发展格局，全面提高项目建设实效。发挥政府投资撬动作用，统筹使用好各类专项资金、债券、国债、基金，优化投资方向和结构，合理安排一批打基础、利长远、补短板、惠民生的政府投资项目。市县政府谋划设立产业投资引导基金，支持重大招商项目和省市重点项目建设。激发民间投资活力，全面清理市场准入负面清单之外的准入许可和隐性门槛，常态化公开推介优质项目，引导民间资本参与基础设施、生态环保、民生

41、保障等重点领域，形成市场主导的投资内生增长机制。（三）全面释放消费潜力顺应消费升级趋势，努力扩大消费需求，稳定消费增长。大力提振传统消费，搭建系列促销平台，鼓励餐饮住宿、商业零售、文化娱乐等行业开展各类优惠促销活动，激发消费潜力。开展新一轮汽车下乡和以旧换新，鼓励家电等绿色智能产品更新替代，拓展大宗消费渠道。实施夜间经济发展计划，打造新世纪、美乐城等高端夜经济品牌示范商业区以及滨河酒吧街、滏东美食街等夜经济消费聚集区。培育壮大新型消费，拓展“互联网消费”新空间，加强与美团等集团战略合作，培育定制、体验、智能、绿色等消费新热点新模式。推进电商平台建设，建设引进唯品会等知名品牌电商区域总部。举办邯

42、郸直播带货网红大赛等活动，释放网上展销、网络直播、网红带货等电商消费潜力。持续推进国家电子商务进农村综合示范县建设，扩大电商进农村覆盖面，整合县域物流快递资源，加强名优特新农产品线上线下展销。优化提升消费环境，引进建设高品质酒店，改造提升串城街等特色商业示范街，培育一批品牌连锁便利店。实施增品种、提品质、创品牌“三品”战略和放心消费工程，强化消费者权益保护，促进消费向绿色、健康、安全发展。落实带薪休假制度，扩大节假日消费。第四章 建筑工程说明一、 项目工程设计总体要求1、建筑结构设计力求贯彻“经济、实用和兼顾美观”的原则，根据工艺需要，结合当地地质条件及地需条件综合考虑。2、为满足工艺生产的需

43、要，方便操作、检修和管理，尽量采取厂房一体化，充分考虑竖向组合，立求缩短管线，降低能耗，节约用地，减少投资。3、为加快建设速度并为今后的技术改造留下发展空间，主厂房设计成轻钢结构，各层主要设备的悬挂、支撑均采用钢结构，实现轻型化，并满足防腐防爆规范及有关规定。二、 建设方案（一）结构方案1、设计采用的规范（1）由有关主导专业所提供的资料及要求；（2）国家及地方现行的有关建筑结构设计规范、规程及规定；（3）当地地形、地貌等自然条件。2、主要建筑物结构设计（1）车间与仓库：采用现浇钢筋混凝土结构，砖砌外墙作围护结构，基础采用浅基础及地梁拉接，并在适当位置设置伸缩缝。（2）综合楼、办公楼:采用现浇钢

44、筋砼框架结构，（二）建筑立面设计为使建筑物整体风格具有时代特征，更加具有强烈的视觉效果，更加耐人寻味、引人入胜。建筑外形设计时尽可能简洁明了，重点把握个体与部分之间的比例美与逻辑美，并注意各线、面、形之间的相互关系，充分利用方向、形体、质感、虚实等多方位的建筑处理手法。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积33539.80，其中：生产工程24113.58，仓储工程3225.66，行政办公及生活服务设施4958.08，公共工程1242.48。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程6929.1924113.583038.651.11#生产车间2078.76

45、7234.07911.601.22#生产车间1732.306028.40759.661.33#生产车间1663.015787.26729.281.44#生产车间1455.135063.85638.122仓储工程3225.663225.66314.062.11#仓库967.70967.7094.222.22#仓库806.41806.4178.522.33#仓库774.16774.1675.372.44#仓库677.39677.3965.953办公生活配套829.114958.08790.173.1行政办公楼538.923222.75513.613.2宿舍及食堂290.191735.33276.564公共工程955.751242.48141.96辅助用房等5绿化工程2506.9849.60绿化率13.43%6其他工程4213.1420.727合计18667.0033539.804355.16第五章 产品方案与建设规划一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积18667.00（折合约28.00亩），预计场区规划总建筑面积33539.80。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx集团有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx件功率器件，预计年营业收入29400.00万元。二、 产品规划方案及生产纲