郴州碳化硅项目建议书_模板参考.docx
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1、泓域咨询/郴州碳化硅项目建议书目录第一章 项目概况7一、 项目名称及项目单位7二、 项目建设地点7三、 可行性研究范围7四、 编制依据和技术原则7五、 建设背景、规模9六、 项目建设进度9七、 环境影响10八、 建设投资估算10九、 项目主要技术经济指标10主要经济指标一览表11十、 主要结论及建议12第二章 背景、必要性分析14一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%14二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期15三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心17四、 建设对外开放新高地18第三章 行业发展分析20一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优
2、越20二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期21三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临23第四章 选址方案分析25一、 项目选址原则25二、 建设区基本情况25三、 强化招商引资。积极开展“对接500强提升产业链”行动,实施精准招商、链式招商、集群招商。坚持引资引技引智相结合,重点围绕石墨新材料、大数据、有色金属、硅材料、电子信息、食品医药、智能家居、节能环保、化工、矿物宝石、装备制造和农业机械等产业链开展招商,进一步延伸产业链,建设加工贸易转型升级示范区。强化招商跟踪服务,提高项目履约率、开工率和资金到位率。积极开展“对接郴籍商人建设新家乡”行动,推动郴商产业回归、总部
3、回归、资本回归、人才回归,着力强化郴商回归服务。积极开展“对接北上广优化大环境”行动,营造“安商”法治环境、“兴商”发展环境,构建良好政商关系。28四、 提升开放型经济水平28五、 项目选址综合评价29第五章 产品规划与建设内容30一、 建设规模及主要建设内容30二、 产品规划方案及生产纲领30产品规划方案一览表30第六章 运营管理32一、 公司经营宗旨32二、 公司的目标、主要职责32三、 各部门职责及权限33四、 财务会计制度36第七章 法人治理结构42一、 股东权利及义务42二、 董事47三、 高级管理人员52四、 监事54第八章 工艺技术方案分析56一、 企业技术研发分析56二、 项目
4、技术工艺分析58三、 质量管理59四、 设备选型方案60主要设备购置一览表61第九章 原辅材料分析62一、 项目建设期原辅材料供应情况62二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理62第十章 进度实施计划63一、 项目进度安排63项目实施进度计划一览表63二、 项目实施保障措施64第十一章 项目环境保护65一、 编制依据65二、 环境影响合理性分析66三、 建设期大气环境影响分析67四、 建设期水环境影响分析69五、 建设期固体废弃物环境影响分析69六、 建设期声环境影响分析69七、 环境管理分析70八、 结论及建议71第十二章 投资计划方案72一、 编制说明72二、 建设投资72建筑工程投资一览
5、表73主要设备购置一览表74建设投资估算表75三、 建设期利息76建设期利息估算表76固定资产投资估算表77四、 流动资金78流动资金估算表79五、 项目总投资80总投资及构成一览表80六、 资金筹措与投资计划81项目投资计划与资金筹措一览表81第十三章 经济收益分析83一、 经济评价财务测算83营业收入、税金及附加和增值税估算表83综合总成本费用估算表84固定资产折旧费估算表85无形资产和其他资产摊销估算表86利润及利润分配表88二、 项目盈利能力分析88项目投资现金流量表90三、 偿债能力分析91借款还本付息计划表92第十四章 招标方案94一、 项目招标依据94二、 项目招标范围94三、
6、招标要求94四、 招标组织方式96五、 招标信息发布100第十五章 项目总结101第十六章 附表附录103主要经济指标一览表103建设投资估算表104建设期利息估算表105固定资产投资估算表106流动资金估算表107总投资及构成一览表108项目投资计划与资金筹措一览表109营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费用估算表110固定资产折旧费估算表111无形资产和其他资产摊销估算表112利润及利润分配表113项目投资现金流量表114借款还本付息计划表115建筑工程投资一览表116项目实施进度计划一览表117主要设备购置一览表118能耗分析一览表118第一章 项目概况一、 项目名称及项
7、目单位项目名称:郴州碳化硅项目项目单位:xx有限责任公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约88.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析,为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会
8、发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;2、中国制造2025;3、建设项目经济评价方法与参数及使用手册(第三版);4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。(二)技术原则坚持以经济效益为中心,社会效益和不境效益为重点指导思想,以技术先进、经济可行为原则,立足本地、面向全国、着眼未来,实现企业高质量、可持续发展。1、优化规划方案,尽可能减少工程项目的投资额,以求得最好的经济效益。2、结合厂址和装置特点,总图布置力求做到布置紧凑,流程顺畅,操作方便,尽量减少用地。3、在工艺路线及公用工程的技术方案选择上,既要考虑先进性,又要确保技术成熟可靠,做到先进、可靠、合理、经济。4、结合当地有
9、利条件,因地制宜,充分利用当地资源。5、根据市场预测和当地情况制定产品方向,做到产品方案合理。6、依据环保法规,做到清洁生产,工程建设实现“三同时”,将环境污染降低到最低程度。7、严格执行国家和地方劳动安全、企业卫生、消防抗震等有关法规、标准和规范。做到清洁生产、安全生产、文明生产。五、 建设背景、规模(一)项目背景据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积58667.
10、00(折合约88.00亩),预计场区规划总建筑面积95225.59。其中:生产工程55906.14,仓储工程20143.90,行政办公及生活服务设施10600.78,公共工程8574.77。项目建成后,形成年产xx吨碳化硅材料的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xx有限责任公司将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目生产过程中产生的“三废”和产生的噪声均可得到有效治理和控制,各种污染物排放均满足国家有关环保标准。因此在设计和建设中认真按“三同时”落实、执行,严
11、格遵守国家关于基本建设项目中有关环境保护的法规、法令,投产后,在生产中加强管理,不会给周围生态环境带来显著影响。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资31195.07万元,其中:建设投资25861.31万元,占项目总投资的82.90%;建设期利息346.56万元,占项目总投资的1.11%;流动资金4987.20万元,占项目总投资的15.99%。(二)建设投资构成本期项目建设投资25861.31万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用22088.20万元,工程建设其他费用3278.61万元,预备
12、费494.50万元。九、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入58500.00万元,综合总成本费用46897.07万元,纳税总额5484.93万元,净利润8488.82万元,财务内部收益率21.46%,财务净现值13216.22万元,全部投资回收期5.47年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积58667.00约88.00亩1.1总建筑面积95225.591.2基底面积34026.861.3投资强度万元/亩277.952总投资万元31195.072.1建设投资万元25861.312.1.1工程费用万元22088.2
13、02.1.2其他费用万元3278.612.1.3预备费万元494.502.2建设期利息万元346.562.3流动资金万元4987.203资金筹措万元31195.073.1自筹资金万元17049.633.2银行贷款万元14145.444营业收入万元58500.00正常运营年份5总成本费用万元46897.076利润总额万元11318.437净利润万元8488.828所得税万元2829.619增值税万元2370.8210税金及附加万元284.5011纳税总额万元5484.9312工业增加值万元19123.6113盈亏平衡点万元21021.35产值14回收期年5.4715内部收益率21.46%所得税后
14、16财务净现值万元13216.22所得税后十、 主要结论及建议综上所述,本项目能够充分利用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想,有利于行业结构调整。第二章 背景、必要性分析一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中
15、SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、
16、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Mod
17、el3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更
18、多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch
19、数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近
20、10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科
21、锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流
22、良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。四、 建设对外开放新高地主动融入粤港澳大湾区、长江经济带、中部地区崛起等国家发展战略,开展“对接粤港澳提升大平台”行动,积极建设中国(湖南)自由贸易试验
23、区郴州片区,积极推进湘粤合作示范区建设,加快建设粤港澳投资贸易走廊,在与长沙、岳阳片区实现“跨域通办”的基础上,逐步实现与上海、广东等自由贸易试验区“跨省通办”,深入开展贸易和投资自由化便利化改革创新。积极建设湘南湘西承接产业转移示范区,创新跨区域合作模式,加快培育经济合作和竞争新优势。积极建设跨境电子商务综合试验区,打造线上综合服务和线下园区两大平台,建设信息共享、智能物流、金融服务、信用管理、统计监测、品牌营销、人才服务等七大体系。积极建设湘赣边区域合作示范区,将示范区建设成为全国革命老区推进乡村振兴引领区、多省交界地区协同发展样板区。积极开展红三角、海西、北部湾等区域合作,推动有色金属精
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