郑州碳化硅项目招商引资方案参考模板.docx
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1、泓域咨询/郑州碳化硅项目招商引资方案郑州碳化硅项目招商引资方案xxx(集团)有限公司目录第一章 行业发展分析9一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%9二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越10第二章 项目概况12一、 项目名称及项目单位12二、 项目建设地点12三、 可行性研究范围12四、 编制依据和技术原则12五、 建设背景、规模14六、 项目建设进度15七、 环境影响15八、 建设投资估算15九、 项目主要技术经济指标16主要经济指标一览表16十、 主要结论及建议18第三章 项目背景、必要性19一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心19二、 受益新能源车
2、爆发,SiC产业化黄金时代将来临20三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期22四、 构筑市场化法治化国际化营商环境24五、 项目实施的必要性25第四章 产品方案27一、 建设规模及主要建设内容27二、 产品规划方案及生产纲领27产品规划方案一览表27第五章 项目选址30一、 项目选址原则30二、 建设区基本情况30三、 畅通内外双循环,打造内陆高水平开放新高地35四、 加快发展现代产业体系,推动产业链供应链优化升级39五、 项目选址综合评价42第六章 法人治理43一、 股东权利及义务43二、 董事46三、 高级管理人员51四、 监事54第七章 发展规划分析56一、 公司发展规
3、划56二、 保障措施57第八章 进度规划方案60一、 项目进度安排60项目实施进度计划一览表60二、 项目实施保障措施61第九章 工艺技术说明62一、 企业技术研发分析62二、 项目技术工艺分析65三、 质量管理66四、 设备选型方案67主要设备购置一览表68第十章 组织机构及人力资源70一、 人力资源配置70劳动定员一览表70二、 员工技能培训70第十一章 劳动安全评价73一、 编制依据73二、 防范措施76三、 预期效果评价80第十二章 项目投资计划81一、 编制说明81二、 建设投资81建筑工程投资一览表82主要设备购置一览表83建设投资估算表84三、 建设期利息85建设期利息估算表85
4、固定资产投资估算表86四、 流动资金87流动资金估算表88五、 项目总投资89总投资及构成一览表89六、 资金筹措与投资计划90项目投资计划与资金筹措一览表90第十三章 经济效益92一、 经济评价财务测算92营业收入、税金及附加和增值税估算表92综合总成本费用估算表93固定资产折旧费估算表94无形资产和其他资产摊销估算表95利润及利润分配表97二、 项目盈利能力分析97项目投资现金流量表99三、 偿债能力分析100借款还本付息计划表101第十四章 招标方案103一、 项目招标依据103二、 项目招标范围103三、 招标要求104四、 招标组织方式104五、 招标信息发布105第十五章 项目风险
5、防范分析106一、 项目风险分析106二、 项目风险对策108第十六章 总结评价说明111第十七章 补充表格113主要经济指标一览表113建设投资估算表114建设期利息估算表115固定资产投资估算表116流动资金估算表117总投资及构成一览表118项目投资计划与资金筹措一览表119营业收入、税金及附加和增值税估算表120综合总成本费用估算表120利润及利润分配表121项目投资现金流量表122借款还本付息计划表124报告说明据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未
6、来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。根据谨慎财务估算,项目总投资38051.4
7、1万元,其中:建设投资31546.31万元,占项目总投资的82.90%;建设期利息339.76万元,占项目总投资的0.89%;流动资金6165.34万元,占项目总投资的16.20%。项目正常运营每年营业收入77000.00万元,综合总成本费用61880.40万元,净利润11045.04万元,财务内部收益率22.02%,财务净现值11069.73万元,全部投资回收期5.43年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。该项目的建设符合国家产业政策;同时项目的技术含量较高,其建设是必要的;该项目市场前景较好;该项目外部配套条件齐备,可以满足生产要求;财务分析表明,该项目具有
8、一定盈利能力。综上,该项目建设条件具备,经济效益较好,其建设是可行的。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 行业发展分析一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导
9、电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽
10、车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(S
11、iC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3
12、-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。第二章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称:郑州碳化硅项目项目单位:xxx(集团)有限公司二、 项目建设
13、地点本期项目选址位于xx园区,占地面积约94.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析,为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要;2、中国制造2025;3、建设项目经济评价
14、方法与参数及使用手册(第三版);4、项目公司提供的发展规划、有关资料及相关数据等。(二)技术原则本项目从节约资源、保护环境的角度出发,遵循创新、先进、可靠、实用、效益的指导方针。保证本项目技术先进、质量优良、保证进度、节省投资、提高效益,充分利用成熟、先进经验,实现降低成本、提高经济效益的目标。1、力求全面、客观地反映实际情况,采用先进适用的技术,以经济效益为中心,节约资源,提高资源利用率,做好节能减排,在采用先进适用技术的同时,做好投资费用的控制。2、根据市场和所在地区的实际情况,合理制定产品方案及工艺路线,设计上充分体现设备的技术先进,操作安全稳妥,投资经济适度的原则。3、认真贯彻国家产业
15、政策和企业节能设计规范,努力做到合理利用能源和节约能源。采用先进工艺和高效设备,加强计量管理,提高装置自动化控制水平。4、根据拟建区域的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及安全,保护环境、节约用地原则进行布置;同时遵循国家安全、消防等有关规范。5、在环境保护、安全生产及消防等方面,本着“三同时”原则,设计上充分考虑装置在上述各方面投资,使得环境保护、安全生产及消防贯穿工程的全过程。做到以新代劳,统一治理,安全生产,文明管理。五、 建设背景、规模(一)项目背景由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为
16、例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积62667.00(折合约94.00亩
17、),预计场区规划总建筑面积116583.63。其中:生产工程73431.69,仓储工程23342.20,行政办公及生活服务设施11194.77,公共工程8614.97。项目建成后,形成年产xxx吨碳化硅材料的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx(集团)有限公司将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目选址合理,符合相关规划和产业政策,通过采取有效的污染防治措施,污染物可做到达标排放,对周边环境的影响在可承受范围内,因此,在切实落实评价提出的污染控制措施和严格
18、执行“三同时”制度的基础上,从环境影响的角度,本项目的建设是可行的。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资38051.41万元,其中:建设投资31546.31万元,占项目总投资的82.90%;建设期利息339.76万元,占项目总投资的0.89%;流动资金6165.34万元,占项目总投资的16.20%。(二)建设投资构成本期项目建设投资31546.31万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用27464.36万元,工程建设其他费用3196.69万元,预备费885.26万元。九、 项目主要技术经济指
19、标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入77000.00万元,综合总成本费用61880.40万元,纳税总额7348.61万元,净利润11045.04万元,财务内部收益率22.02%,财务净现值11069.73万元,全部投资回收期5.43年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积62667.00约94.00亩1.1总建筑面积116583.631.2基底面积40106.881.3投资强度万元/亩324.112总投资万元38051.412.1建设投资万元31546.312.1.1工程费用万元27464.362.1.2其他费用万元3196.692
20、.1.3预备费万元885.262.2建设期利息万元339.762.3流动资金万元6165.343资金筹措万元38051.413.1自筹资金万元24183.793.2银行贷款万元13867.624营业收入万元77000.00正常运营年份5总成本费用万元61880.406利润总额万元14726.727净利润万元11045.048所得税万元3681.689增值税万元3274.0510税金及附加万元392.8811纳税总额万元7348.6112工业增加值万元25216.9613盈亏平衡点万元31380.21产值14回收期年5.4315内部收益率22.02%所得税后16财务净现值万元11069.73所得
21、税后十、 主要结论及建议经初步分析评价,项目不仅有显著的经济效益,而且其社会救益、生态效益非常显著,项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定,构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好,项目的实施不但是可行而且是十分必要的。第三章 项目背景、必要性一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(
22、向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需
23、的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的
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