鄂尔多斯功率器件项目招商引资方案_模板参考.docx
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1、泓域咨询/鄂尔多斯功率器件项目招商引资方案鄂尔多斯功率器件项目招商引资方案xx有限责任公司目录第一章 背景及必要性9一、 全球半导体行业发展概况9二、 中国半导体行业发展概况9三、 功率半导体行业概述10四、 加快工业园区高质量发展12五、 健全以企业为主体的技术创新体系12六、 项目实施的必要性12第二章 行业、市场分析14一、 MOSFET器件概述14二、 功率半导体市场规模与竞争格局18第三章 项目建设单位说明20一、 公司基本信息20二、 公司简介20三、 公司竞争优势21四、 公司主要财务数据23公司合并资产负债表主要数据23公司合并利润表主要数据23五、 核心人员介绍24六、 经营
2、宗旨25七、 公司发展规划26第四章 项目绪论31一、 项目名称及建设性质31二、 项目承办单位31三、 项目定位及建设理由32四、 报告编制说明33五、 项目建设选址35六、 项目生产规模35七、 建筑物建设规模35八、 环境影响36九、 项目总投资及资金构成36十、 资金筹措方案36十一、 项目预期经济效益规划目标36十二、 项目建设进度规划37主要经济指标一览表37第五章 产品方案分析40一、 建设规模及主要建设内容40二、 产品规划方案及生产纲领40产品规划方案一览表40第六章 选址可行性分析42一、 项目选址原则42二、 建设区基本情况42三、 项目选址综合评价44第七章 运营管理4
3、5一、 公司经营宗旨45二、 公司的目标、主要职责45三、 各部门职责及权限46四、 财务会计制度49第八章 法人治理56一、 股东权利及义务56二、 董事63三、 高级管理人员68四、 监事70第九章 SWOT分析73一、 优势分析(S)73二、 劣势分析(W)75三、 机会分析(O)75四、 威胁分析(T)76第十章 节能分析82一、 项目节能概述82二、 能源消费种类和数量分析83能耗分析一览表84三、 项目节能措施84四、 节能综合评价85第十一章 工艺技术方案分析87一、 企业技术研发分析87二、 项目技术工艺分析89三、 质量管理91四、 设备选型方案92主要设备购置一览表92第十
4、二章 人力资源配置94一、 人力资源配置94劳动定员一览表94二、 员工技能培训94第十三章 项目规划进度97一、 项目进度安排97项目实施进度计划一览表97二、 项目实施保障措施98第十四章 环境保护方案99一、 编制依据99二、 环境影响合理性分析100三、 建设期大气环境影响分析101四、 建设期水环境影响分析104五、 建设期固体废弃物环境影响分析104六、 建设期声环境影响分析104七、 建设期生态环境影响分析105八、 清洁生产106九、 环境管理分析107十、 环境影响结论111十一、 环境影响建议111第十五章 投资估算112一、 投资估算的编制说明112二、 建设投资估算11
5、2建设投资估算表114三、 建设期利息114建设期利息估算表115四、 流动资金116流动资金估算表116五、 项目总投资117总投资及构成一览表117六、 资金筹措与投资计划118项目投资计划与资金筹措一览表119第十六章 经济收益分析121一、 基本假设及基础参数选取121二、 经济评价财务测算121营业收入、税金及附加和增值税估算表121综合总成本费用估算表123利润及利润分配表125三、 项目盈利能力分析125项目投资现金流量表127四、 财务生存能力分析128五、 偿债能力分析129借款还本付息计划表130六、 经济评价结论130第十七章 项目招标、投标分析132一、 项目招标依据1
6、32二、 项目招标范围132三、 招标要求132四、 招标组织方式133五、 招标信息发布136第十八章 项目风险分析137一、 项目风险分析137二、 项目风险对策139第十九章 项目综合评价说明141第二十章 附表附件143主要经济指标一览表143建设投资估算表144建设期利息估算表145固定资产投资估算表146流动资金估算表147总投资及构成一览表148项目投资计划与资金筹措一览表149营业收入、税金及附加和增值税估算表150综合总成本费用估算表150利润及利润分配表151项目投资现金流量表152借款还本付息计划表154第一章 背景及必要性一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核
7、心,信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点,全球半导体行业具有一定的周期性,景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计,全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元,较2018年下降约12.1%。过去五年,随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展,以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起,带动了整个半导体行业规模增长。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下,中国半导体行业不断发展。步入
8、21世纪以来,我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年,中国半导体产业市场规模达8,848亿元,比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%,显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台,以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视,我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化,未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期,逐步在全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩
9、擦等宏观环境不确定性增加的背景下,加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度,中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。三、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心,主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来,随着国民经济的快速发展,功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场,市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类,其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT等产品。在功率半导体发展过程中,20世纪50年代,
10、功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代,晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末,平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期,沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世,半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代,超级结MOSFET逐步出现,打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言,功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化,而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度,还较大程度上依赖进口,未来进口替代空间巨大。2、功率MOSF
11、ET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高,功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言,技术驱动的性能提升主要包括三个方面:更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标,功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上,线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米,提升了功率器件的密度、品质因数(FOM)以及开关效率。在器件结构改进方面,功率器件经历了平面(Planar)、沟槽(Trench)、超级结(SuperJunction)等器件结构的变化,进一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面,新
12、兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)材料,进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗,也改善了其高温特性。四、 加快工业园区高质量发展完善园区基础设施,新建一批仓储服务中心、标准化厂房、公共管廊和气化岛项目。实施园区主导产业培育提升行动,从产业发展基金中安排一定资金,以市场化方式支持园区重点项目建设,每个园区重点打造1至2个主导产业,产值占比逐步达到70%以上。创新园区开发模式,支持园区引入战略投资者、专业化园区运营商开展合作,鼓励与发达地区、周边地区合作共建园中园、飞地园。五、 健全以企业为主体的技术创新体系落实和完善鼓励企业技术创新政策,深入实施高新技术企业培育行动
13、,争取新认定高新技术企业25家。支持企业建设创新平台,承担各类科技重大专项,积极推进能源、化工、装备制造、绒纺等重点行业领域关键技术创新和成果推广应用。发挥龙头企业和高校作用,促进政产学研深度融合,打造一批高质量创新创业共同体。六、 项目实施的必要性(一)现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业,公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度,产品销售形势良好,产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展,公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段,不断挖掘产能潜力,但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本
14、次项目的建设,公司将有效克服产能不足对公司发展的制约,为公司把握市场机遇奠定基础。(二)公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级,公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动,不断研发新产品,提升产品精密化程度,将产品质量水平提升到同类产品的领先水准,提高生产的灵活性和适应性,契合关键零部件国产化的需求,才能在与国外企业的竞争中获得优势,保持公司在领域的国内领先地位。第二章 行业、市场分析一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简
15、单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,
16、2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%
17、,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的
18、超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作
19、为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增
20、长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模
21、为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的统计,2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领
22、域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域,IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件,随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT产业将迎来黄金发展期。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市
23、场规模将增长至522亿美元,2019-2024的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域,国际厂商优势明显,全球前十大功率半导体公司均为海外厂商,包括英飞凌(Infineon)、德州仪器(TexasInstruments)、安森美(ONSemiconductor)、意法半导体(STMicroelectronics)等。行业整体集中度较低,2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%,前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。同时,中国也是全球最大的功率半导体消费国,2019年市场规模达到177亿美元,增速为-3
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