鄂州碳化硅衬底设备公司成立可行性报告(模板参考).docx
《鄂州碳化硅衬底设备公司成立可行性报告(模板参考).docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《鄂州碳化硅衬底设备公司成立可行性报告(模板参考).docx(125页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/鄂州碳化硅衬底设备公司成立可行性报告鄂州碳化硅衬底设备公司成立可行性报告xx(集团)有限公司目录第一章 筹建公司基本信息8一、 公司名称8二、 注册资本8三、 注册地址8四、 主要经营范围8五、 主要股东8公司合并资产负债表主要数据9公司合并利润表主要数据9公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据11六、 项目概况11第二章 市场分析15一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%15二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临16三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越17第三章 项目背景、必要性20一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调
2、教为核心壁垒20二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期21三、 坚持创新核心地位,加快建设科学城22四、 以鄂州机场建设为引领,加快建设航空城27第四章 公司筹建方案31一、 公司经营宗旨31二、 公司的目标、主要职责31三、 公司组建方式32四、 公司管理体制32五、 部门职责及权限33六、 核心人员介绍37七、 财务会计制度38第五章 发展规划分析42一、 公司发展规划42二、 保障措施46第六章 法人治理49一、 股东权利及义务49二、 董事54三、 高级管理人员58四、 监事60第七章 项目选址方案63一、 项目选址原则63二、 建设区基本情况63三、 大力实施就业优先政策6
3、8四、 项目选址综合评价68第八章 环保分析69一、 编制依据69二、 环境影响合理性分析70三、 建设期大气环境影响分析72四、 建设期水环境影响分析72五、 建设期固体废弃物环境影响分析72六、 建设期声环境影响分析73七、 环境管理分析74八、 结论及建议76第九章 风险防范77一、 项目风险分析77二、 公司竞争劣势82第十章 经济效益分析83一、 经济评价财务测算83营业收入、税金及附加和增值税估算表83综合总成本费用估算表84固定资产折旧费估算表85无形资产和其他资产摊销估算表86利润及利润分配表88二、 项目盈利能力分析88项目投资现金流量表90三、 偿债能力分析91借款还本付息
4、计划表92第十一章 进度实施计划94一、 项目进度安排94项目实施进度计划一览表94二、 项目实施保障措施95第十二章 投资估算96一、 编制说明96二、 建设投资96建筑工程投资一览表97主要设备购置一览表98建设投资估算表99三、 建设期利息100建设期利息估算表100固定资产投资估算表101四、 流动资金102流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表105第十三章 总结评价说明107第十四章 补充表格108主要经济指标一览表108建设投资估算表109建设期利息估算表110固定资产投资估算表111流动资金估
5、算表112总投资及构成一览表113项目投资计划与资金筹措一览表114营业收入、税金及附加和增值税估算表115综合总成本费用估算表115固定资产折旧费估算表116无形资产和其他资产摊销估算表117利润及利润分配表118项目投资现金流量表119借款还本付息计划表120建筑工程投资一览表121项目实施进度计划一览表122主要设备购置一览表123能耗分析一览表123报告说明xx(集团)有限公司主要由xxx集团有限公司和xx集团有限公司共同出资成立。其中:xxx集团有限公司出资142.50万元,占xx(集团)有限公司15%股份;xx集团有限公司出资808万元,占xx(集团)有限公司85%股份。根据谨慎财
6、务估算,项目总投资17520.33万元,其中:建设投资13906.31万元,占项目总投资的79.37%;建设期利息381.83万元,占项目总投资的2.18%;流动资金3232.19万元,占项目总投资的18.45%。项目正常运营每年营业收入37800.00万元,综合总成本费用28621.09万元,净利润6730.47万元,财务内部收益率30.61%,财务净现值12833.64万元,全部投资回收期5.10年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量
7、最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xx(集团)有限公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本950万元三、 注册地址鄂州xxx四、 主要经营范围经营范围:从事碳化硅设备相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xx(集团)有限公司主要由xxx集团有限公
8、司和xx集团有限公司发起成立。(一)xxx集团有限公司基本情况1、公司简介公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营造和谐发展环境。公司满怀信心,发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越,回报社会” 的企业宗旨,以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年
9、12月2019年12月2018年12月资产总额6010.924808.744508.19负债总额3320.672656.542490.50股东权益合计2690.252152.202017.69公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入21457.9217166.3416093.44营业利润3604.762883.812703.57利润总额2942.282353.822206.71净利润2206.711721.231588.83归属于母公司所有者的净利润2206.711721.231588.83(二)xx集团有限公司基本情况1、公司简介未来,在保持健康、稳定、快速、持
10、续发展的同时,公司以“和谐发展”为目标,践行社会责任,秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任,服务全国。公司不断推动企业品牌建设,实施品牌战略,增强品牌意识,提升品牌管理能力,实现从产品服务经营向品牌经营转变。公司积极申报注册国家及本区域著名商标等,加强品牌策划与设计,丰富品牌内涵,不断提高自主品牌产品和服务市场份额。推进区域品牌建设,提高区域内企业影响力。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额6010.924808.744508.19负债总额3320.672656.542490.50股东权益合计2690.252152.2020
11、17.69公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入21457.9217166.3416093.44营业利润3604.762883.812703.57利润总额2942.282353.822206.71净利润2206.711721.231588.83归属于母公司所有者的净利润2206.711721.231588.83六、 项目概况(一)投资路径xx(集团)有限公司主要从事碳化硅衬底设备公司成立的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在
12、4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。(三)项目选址项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约41.00亩。项目
13、拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx套碳化硅设备的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积51161.50,其中:生产工程33291.60,仓储工程10745.14,行政办公及生活服务设施5692.07,公共工程1432.69。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资17520.33万元,其中:建设投资13906.31万元,占项目总投资的79.37%;建设期利息381.83万元,占项目总投资的2.18%;流动资金3232.19万元,占项目总投资的18.45%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营
14、业收入(SP):37800.00万元。2、综合总成本费用(TC):28621.09万元。3、净利润(NP):6730.47万元。4、全部投资回收期(Pt):5.10年。5、财务内部收益率:30.61%。6、财务净现值:12833.64万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划24个月。(九)项目综合评价项目产品应用领域广泛,市场发展空间大。本项目的建立投资合理,回收快,市场销售好,无环境污染,经济效益和社会效益良好,这也奠定了公司可持续发展的基础。第二章 市场分析一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中
15、衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括
16、SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化
17、硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元
18、的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续
19、航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三
20、代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,
21、能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车
22、/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。第三章 项目背景、必要性一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。长晶炉:主要由衬底制造厂商自研开发,可基本实现国产化(与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是非常复杂),市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT(物理气相传输)的技术路线,温度很高,不可实施监控,难点不在设备本身,而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样,也是各家的核心机密所在,只有衬底制造企业内部通
23、过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括:Wolfspeed,Aymont,Aixtron,LHT,中国电科二所,山东天岳,天科合达,中科院硅酸盐所,中国电科四十六所等。切片机:碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似,但因为碳化硅属于硬质材料(莫氏硬度达9.5,除金刚石以外世界上第二硬的材料),切割难度非常大,切一刀可能需几百个小时,对系统设备的稳定性很高,国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备(金刚石多线切割机)占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备:和传统硅机台基本类似,主要
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 鄂州 碳化硅 衬底 设备 公司 成立 可行性报告 模板 参考
限制150内