铁岭碳化硅衬底项目商业计划书_参考模板.docx
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1、泓域咨询/铁岭碳化硅衬底项目商业计划书铁岭碳化硅衬底项目商业计划书xx集团有限公司目录第一章 项目基本情况9一、 项目名称及投资人9二、 项目建设背景9三、 结论分析9主要经济指标一览表11第二章 行业发展分析14一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期14二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越15第三章 项目背景、必要性18一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心18二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临19三、 完善区域创新服务平台21四、 深化供给侧结构性改革23第四章 项目承办单位基本情况25一、 公司基本信息25二、 公司简介25三、 公
2、司竞争优势26四、 公司主要财务数据28公司合并资产负债表主要数据28公司合并利润表主要数据28五、 核心人员介绍29六、 经营宗旨30七、 公司发展规划30第五章 运营模式分析32一、 公司经营宗旨32二、 公司的目标、主要职责32三、 各部门职责及权限33四、 财务会计制度36第六章 SWOT分析说明43一、 优势分析(S)43二、 劣势分析(W)45三、 机会分析(O)45四、 威胁分析(T)46第七章 创新发展50一、 企业技术研发分析50二、 项目技术工艺分析52三、 质量管理53四、 创新发展总结54第八章 发展规划55一、 公司发展规划55二、 保障措施56第九章 法人治理59一
3、、 股东权利及义务59二、 董事64三、 高级管理人员68四、 监事71第十章 建筑技术分析73一、 项目工程设计总体要求73二、 建设方案74三、 建筑工程建设指标75建筑工程投资一览表75第十一章 进度计划77一、 项目进度安排77项目实施进度计划一览表77二、 项目实施保障措施78第十二章 产品规划方案79一、 建设规模及主要建设内容79二、 产品规划方案及生产纲领79产品规划方案一览表79第十三章 风险风险及应对措施81一、 项目风险分析81二、 公司竞争劣势84第十四章 投资方案分析85一、 投资估算的依据和说明85二、 建设投资估算86建设投资估算表88三、 建设期利息88建设期利
4、息估算表88四、 流动资金90流动资金估算表90五、 总投资91总投资及构成一览表91六、 资金筹措与投资计划92项目投资计划与资金筹措一览表93第十五章 经济效益分析94一、 经济评价财务测算94营业收入、税金及附加和增值税估算表94综合总成本费用估算表95固定资产折旧费估算表96无形资产和其他资产摊销估算表97利润及利润分配表99二、 项目盈利能力分析99项目投资现金流量表101三、 偿债能力分析102借款还本付息计划表103第十六章 总结评价说明105第十七章 附表108营业收入、税金及附加和增值税估算表108综合总成本费用估算表108固定资产折旧费估算表109无形资产和其他资产摊销估算
5、表110利润及利润分配表111项目投资现金流量表112借款还本付息计划表113建设投资估算表114建设投资估算表114建设期利息估算表115固定资产投资估算表116流动资金估算表117总投资及构成一览表118项目投资计划与资金筹措一览表119报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资31719.74万元,其中:建设投资25074.90万元,占项目总投资的79.05%;建设期利息317.18万元,占项目总投资的1.00%;流动资金6327.66万元,占项目总投资的19.95%。项目正常运营每年营业收入53200.00万元,综合总成本费用42880.13万元,净利润7537.94万元,财务内部收益率16
6、.97%,财务净现值2450.97万元,全部投资回收期6.12年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减
7、少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目基本情况一、 项目名称及投资人(一)项目名称铁岭碳化硅衬底项目(二)项目投资人xx
8、集团有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准)。二、 项目建设背景据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。三、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约67.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xx万片碳化硅衬底的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。(四)投资估算本期项目总投资包
9、括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资31719.74万元,其中:建设投资25074.90万元,占项目总投资的79.05%;建设期利息317.18万元,占项目总投资的1.00%;流动资金6327.66万元,占项目总投资的19.95%。(五)资金筹措项目总投资31719.74万元,根据资金筹措方案,xx集团有限公司计划自筹资金(资本金)18773.59万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额12946.15万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):53200.00万元。2、年综合总成本费用(TC):42880.13万元。3、项目达产年净利润(NP
10、):7537.94万元。4、财务内部收益率(FIRR):16.97%。5、全部投资回收期(Pt):6.12年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):22197.97万元(产值)。(七)社会效益本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项
11、目单位指标备注1占地面积44667.00约67.00亩1.1总建筑面积76654.841.2基底面积25460.191.3投资强度万元/亩368.382总投资万元31719.742.1建设投资万元25074.902.1.1工程费用万元22374.742.1.2其他费用万元2076.752.1.3预备费万元623.412.2建设期利息万元317.182.3流动资金万元6327.663资金筹措万元31719.743.1自筹资金万元18773.593.2银行贷款万元12946.154营业收入万元53200.00正常运营年份5总成本费用万元42880.136利润总额万元10050.587净利润万元75
12、37.948所得税万元2512.649增值税万元2244.1110税金及附加万元269.2911纳税总额万元5026.0412工业增加值万元17214.3813盈亏平衡点万元22197.97产值14回收期年6.1215内部收益率16.97%所得税后16财务净现值万元2450.97所得税后第二章 行业发展分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质
13、量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时
14、间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、
15、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,
16、适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性
17、:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。第三章 项目背景、必要性一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占
18、比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩
19、大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升
20、生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车
21、载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。
22、Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变器和永磁电机组合的效率高达97%,此前为82%)。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件,小型SUV和中型轿车可能在2024
23、-2025年后开始应用一部分SiC(随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降),低端车可能会再随这之后。三、 完善区域创新服务平台围绕支柱产业和特色产业发展需求,加快推进各类科技创新平台建设,充分发挥园区对科技创新支撑作用,全面提升科技创新能力。健全产学研对接与成果转化平台。以各种技术合作机制、技术交易市场为依托,发布技术需求,展示各地科研动态,实现创新资源有效对接。鼓励市专用车生产基地共性技术服务中心、橡胶工业研究设计院、农业科学院提高自主创新能力。以技术洽谈会、成果展示会等为载体,推动技术成果转化。积极发展产业互联网,支持工业云计算和大数据中心建设,支持平台免费向中小微企业分享业务资源,助力
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