亳州MOSFET功率器件项目申请报告【参考模板】.docx

《亳州MOSFET功率器件项目申请报告【参考模板】.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《亳州MOSFET功率器件项目申请报告【参考模板】.docx（108页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、泓域咨询/亳州MOSFET功率器件项目申请报告目录第一章 市场预测7一、 全球半导体行业发展概况7二、 中国半导体行业发展概况7第二章 项目概况9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 可行性研究范围9四、 编制依据和技术原则10五、 建设背景、规模10六、 项目建设进度11七、 环境影响11八、 建设投资估算11九、 项目主要技术经济指标12主要经济指标一览表12十、 主要结论及建议14第三章 项目背景、必要性15一、 功率MOSFET的行业发展趋势15二、 功率半导体行业概述16三、 增强企业技术创新能力18第四章 建设方案与产品规划20一、 建设规模及主要建设内容20二、 产

2、品规划方案及生产纲领20产品规划方案一览表21第五章 选址方案22一、 项目选址原则22二、 建设区基本情况22三、 完善科技创新体制机制26四、 建设提升创新研发平台28五、 项目选址综合评价29第六章 建筑工程方案30一、 项目工程设计总体要求30二、 建设方案32三、 建筑工程建设指标35建筑工程投资一览表36第七章 发展规划38一、 公司发展规划38二、 保障措施39第八章 运营模式分析42一、 公司经营宗旨42二、 公司的目标、主要职责42三、 各部门职责及权限43四、 财务会计制度46第九章 安全生产分析53一、 编制依据53二、 防范措施54三、 预期效果评价57第十章 组织架构

3、分析58一、 人力资源配置58劳动定员一览表58二、 员工技能培训58第十一章 项目节能分析60一、 项目节能概述60二、 能源消费种类和数量分析61能耗分析一览表61三、 项目节能措施62四、 节能综合评价63第十二章 项目投资计划65一、 投资估算的依据和说明65二、 建设投资估算66建设投资估算表68三、 建设期利息68建设期利息估算表68四、 流动资金70流动资金估算表70五、 总投资71总投资及构成一览表71六、 资金筹措与投资计划72项目投资计划与资金筹措一览表73第十三章 项目经济效益74一、 基本假设及基础参数选取74二、 经济评价财务测算74营业收入、税金及附加和增值税估算表

4、74综合总成本费用估算表76利润及利润分配表78三、 项目盈利能力分析79项目投资现金流量表80四、 财务生存能力分析82五、 偿债能力分析82借款还本付息计划表83六、 经济评价结论84第十四章 风险评估85一、 项目风险分析85二、 项目风险对策87第十五章 项目综合评价89第十六章 补充表格90主要经济指标一览表90建设投资估算表91建设期利息估算表92固定资产投资估算表93流动资金估算表94总投资及构成一览表95项目投资计划与资金筹措一览表96营业收入、税金及附加和增值税估算表97综合总成本费用估算表97固定资产折旧费估算表98无形资产和其他资产摊销估算表99利润及利润分配表100项目

5、投资现金流量表101借款还本付息计划表102建筑工程投资一览表103项目实施进度计划一览表104主要设备购置一览表105能耗分析一览表105报告说明IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。根据谨慎财务估算，项目总投资45592.88万元，其中：建设投资38654.32万元，占项目总投资的84.78%；建设期利息535.31万元，占项目总投资的1.17%；流动资金640

6、3.25万元，占项目总投资的14.04%。项目正常运营每年营业收入79500.00万元，综合总成本费用66494.81万元，净利润9479.48万元，财务内部收益率15.13%，财务净现值4065.91万元，全部投资回收期6.29年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。由上可见，无论是从产品还是市场来看，本项目设备较先进，其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强，具有良好的社会效益及一定的抗风险能力，因而项目是可行的。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章

7、市场预测一、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心，信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点，全球半导体行业具有一定的周期性，景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。二、 中国半导体行业发展概况我国本土半导体行业起步较晚。但在政策支持、市场

8、拉动及资本推动等因素合力下，中国半导体行业不断发展。步入21世纪以来，我国半导体产业市场规模得到快速增长。2020年，中国半导体产业市场规模达8,848亿元，比上年增长17.01%。2013-2020年中国半导体市场规模的复合增长率达19.73%，显著高于同期世界半导体市场的增速。随着近年国家集成电路产业发展推进纲要中国制造2025国家信息化发展战略纲要等重要文件的出台，以及社会各界对半导体行业的发展、产业链重构的日益重视，我国半导体行业正站在国产化的起跑线上。随着5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，未来十年中国半导体行业有望迎来进口替代与成长的黄金时期，逐步在

9、全球半导体市场的结构性调整中占据举足轻重的地位。在贸易摩擦等宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度，中国半导体行业发展迎来了历史性的机遇。第二章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称：亳州MOSFET功率器件项目项目单位：xxx有限责任公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约99.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设

10、规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）技术原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益

11、，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。五、 建设背景、规模（一）项目背景与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设备的增加带动MOSFET用量提升。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积66000.00（折合约99.00亩），预计场区规划总建筑面积123542.52。其中：生产工程70120.51，仓储工程34143.65，行政办公及生活服务设施12219.66，公共工程7058.70。项目建成后，形成年产xx件MOSFET功率器件的生产能力。六、

12、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx有限责任公司将项目工程的建设周期确定为12个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目建成后产生的各项污染物如能按本报告提出的污染治理措施进行治理，保证治理资金落实到位，保证污染治理工程与主体工程实行“三同时”，且加强污染治理措施和设备的运行管理，实施排污总量控制，则本项目建成后对周围环境不会产生明显的影响，从环境保护角度分析，本项目是可行的。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资455

13、92.88万元，其中：建设投资38654.32万元，占项目总投资的84.78%；建设期利息535.31万元，占项目总投资的1.17%；流动资金6403.25万元，占项目总投资的14.04%。（二）建设投资构成本期项目建设投资38654.32万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用34552.09万元，工程建设其他费用3148.97万元，预备费953.26万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入79500.00万元，综合总成本费用66494.81万元，纳税总额6574.72万元，净利润9479.48万元，财务内部收益率15.1

14、3%，财务净现值4065.91万元，全部投资回收期6.29年。（二）主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积66000.00约99.00亩1.1总建筑面积123542.521.2基底面积40920.001.3投资强度万元/亩383.052总投资万元45592.882.1建设投资万元38654.322.1.1工程费用万元34552.092.1.2其他费用万元3148.972.1.3预备费万元953.262.2建设期利息万元535.312.3流动资金万元6403.253资金筹措万元45592.883.1自筹资金万元23743.423.2银行贷款万元21849.464营业

15、收入万元79500.00正常运营年份5总成本费用万元66494.816利润总额万元12639.317净利润万元9479.488所得税万元3159.839增值税万元3049.0110税金及附加万元365.8811纳税总额万元6574.7212工业增加值万元23060.7413盈亏平衡点万元37822.16产值14回收期年6.2915内部收益率15.13%所得税后16财务净现值万元4065.91所得税后十、 主要结论及建议本期项目技术上可行、经济上合理，投资方向正确，资本结构合理，技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。第三章 项目背景、必要性一、

16、功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFE

17、T将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合

18、增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随

19、着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 功率半导体行业概述1、功率半导体介绍功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。近年来，随着国民经济的快速发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，市场规模呈现稳健增长态势。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括功率二极管、晶闸管、高压晶体管、MOSFET、IGBT

20、等产品。在功率半导体发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来。20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超级结MOSFET逐步出现，打破了传统硅基产品的性能限制以满足大功率和高频化的应用需求。对国内市场而言，功率二极管、功率三极管、晶闸管等分立器件产品大部分已实现国产化，而功率MOSFET特别是超级结MOSFET、IGBT等高端分立器件产品由于其技术及工艺的复杂度，还较大程度

21、上依赖进口，未来进口替代空间巨大。2、功率MOSFET的技术发展情况随着社会电气化程度的不断提高，功率器件的性能也需要不断提高以满足更高的要求。对于功率MOSFET而言，技术驱动的性能提升主要包括三个方面：更高的开关频率、更高的功率密度以及更低的功耗。为了实现更高的性能指标，功率器件主要经历了工艺进步、器件结构改进与使用宽禁带材料等几个方面的演进。在制造工艺上，线宽制程从10微米缩减至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品质因数（FOM）以及开关效率。在器件结构改进方面，功率器件经历了平面（Planar）、沟槽（Trench）、超级结（SuperJunction）等器件结构的变化，进

22、一步提高了器件的功率密度和工作频率。在材料方面，新兴的第三代半导体功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化镓(GaN)材料，进一步提升了器件的开关特性、降低了功耗，也改善了其高温特性。三、 增强企业技术创新能力发挥重点行业企业创新引领作用。紧紧围绕现代中医药、白酒、农副产品深加工等主导产业，引导企业加大研发投入，破解企业发展技术难题。培育高新技术企业标杆企业，占据国内乃至国际细分领域制高点。引导高新技术企业建立高水平工程（技术）研究中心、重点（工程）实验室、企业技术中心等研发机构，到2025年，实现高新技术企业研发机构和科技专员全覆盖。实施高新技术企业培育计划，建设高新技术企业培育库，开展“一对一

23、”培育服务，尽快补齐高新技术企业短板。培育发展科技型中小企业。大力实施“百企领军”“千企竞发”等科技型企业梯度培育计划，重点扶持和培育创新能力强、产业特色明显、成长性突出的科技型中小企业，形成一批“专精特新”和“小巨人”企业。建立科技型中小企业数据库，定期跟踪梳理企业发展需求，联合第三方机构为企业提供企业家、技术顾问及顶尖研发平台等各种资源链接。大力推进科技创业园、电商产业园和项目孵化基地、中试基地、产业化基地建设，完善研发、设计、创意、孵化等功能。第四章 建设方案与产品规划一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积66000.00（折合约99.00亩），预计场区规划总建筑

24、面积123542.52。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx有限责任公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xx件MOSFET功率器件，预计年营业收入79500.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟

25、槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1MOSFET功率器件件xx2MOSFET功率器件件xx3MOSFET功率器件件xx4.件5.件6.件合计xx79500.00第五章 选址方案一、 项目选址原则1、符合城乡建设总体规划，应符合当地工业项目占地使用规划的要求，并与大气污染防治、水资源和自然生态保护相一致。2、项目选址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的敏感性目标。3、节约土地资源，充分利用空闲

26、地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。4、项目选址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。5、项目选址应具备良好的生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。6、项目选址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成品的运输。通讯便捷，有利于及时反馈市场信息。7、地势平缓，便于排除雨水和生产、生活废水。8、应与居民区及环境污染敏感点有足够的防护距离。二、 建设区基本情况亳州，安徽省辖地级市。亳州是国家历史文化名城，新石器时代就有人类在此活动，是中华民族古老文化的发祥地之一。炎黄时代，帝喾（黄帝曾孙）代颛顼为帝，都于亳。商成汤灭夏建立商朝

27、，在亳立都190年。自秦时置谯县以来，历经朝代更迭，大都系州、郡或县建制，其间魏黄初二年（221年）封谯郡为“陪都”。元至正15年（1355），刘福通拥韩林儿在亳州称帝，建“宋”政权，以亳州为国都，亳州正式成为三朝古都之地。区域面积8522.58平方千米，截至2020年11月1日，亳州市常住人口499.6844万人。亳州市辖涡阳、蒙城、利辛和谯城三县一区，其中谯城区为市委、市政府机关所在地。中心城区规划面积扩大到218平方公里，城镇化率年均增速居安徽省第1位。截至2020年，亳州中心城区建成区面积扩大到117.4平方公里。亳州有现代中药、白酒、食品制造及农产品加工、汽车及零部件、文化旅游、煤化

28、工及新能源、电子信息、现代服务业、战略性新兴产业、劳动密集型装备制造等十大产业。亳州是中原地区连接长三角世界级城市群的桥头堡，中国优秀旅游城市，长三角城市群成员城市、世界中医药之都、百强药企业半数落户亳州，是全球最大的中药材集散中心和价格形成中心。皖北旅游中心城市和省域交汇中心城市。中原城市群核心发展区。2020年8月，全国双拥工作领导小组办公室授予亳州“全国双拥模范城市”称号。“十四五”时期是我国全面建成小康社会、实现第一个百年奋斗目标之后，乘势而上开启全面建设社会主义现代化国家新征程、向第二个百年奋斗目标进军的第一个五年。在我国转向高质量发展阶段的过程中，亳州发展面临多方面的新机遇。国家进

29、入新发展阶段、贯彻新发展理念、构建新发展格局，有利于我市发挥特色产业、人力资源、市场腹地等比较优势，推进以人为核心的新型城镇化，激发内需潜力；国家共建“一带一路”、加快长江经济带发展、推进长三角一体化发展、促进中部地区加快崛起、推进中原城市群和淮河生态经济带建设，有利于我市发挥承东启西、左右逢源的区位优势，全面提高参与区域分工和竞争的能力，推动现代中医药、白酒、农副产品深加工等主导产业高质量发展；国家出台促进皖北承接产业转移集聚区建设的若干政策措施，省委、省政府进一步推动皖北地区高质量发展，支持我市打造世界中医药之都，有利于我市乘势而上、加快发展。多年来，全市上下心齐气顺、风正劲足，发展势头持

30、续向好，新阶段现代化美好亳州建设动能进一步增强。同时也要清醒地认识到，全球疫情扩散蔓延态势还在持续，不稳定性不确定性明显增加。世界经济复苏进程艰难，结构性矛盾凸显，经济增长动能不足，全球产业分工格局面临深刻调整。国内经济运行基本恢复常态，但发展不平衡不充分问题仍然突出，深层次结构性矛盾和问题在外部冲击下逐步显现，各类风险挑战不容忽视。我市发展体量偏小、发展质量不优、科技创新能力较弱等问题依然存在，重点领域和关键环节改革任务仍然艰巨，工业发展特别是制造业发展水平较低，民营经济发展不充分，生态环保任重道远，民生保障短板较多，社会治理还有弱项。总的来看，“十四五”时期我市仍处于重要战略机遇期，但机遇

31、和挑战都有新的发展变化，必须胸怀两个大局，深刻认识新发展阶段带来的新特征新要求，增强机遇意识和风险意识，树立底线思维，把握发展规律，保持战略定力，发扬斗争精神，办好自己的事，善于在危机中育先机、于变局中开新局。展望2035年，我市经济实力、科技实力、综合实力迈上新台阶，经济总量和城乡居民人均收入较2020年翻一番以上；基本实现新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化“新四化”，建成现代化经济体系；治理体系和治理能力现代化实现新提升，人民平等参与、平等发展权利得到充分保障，基本建成法治亳州、法治政府、法治社会；国民素质和社会文明程度达到新高度，文化软实力显著增强；全面绿色转型树立新样板，广泛形成绿

32、色生产生活方式，生态环境根本好转，生态宜居美丽新家园建设目标基本实现；对外开放形成新格局，深度融入长三角一体化发展，加强与中原城市群内城市间合作，基础设施和公共服务互联互通全面实现，区域合作和竞争能力明显增强；协调发展实现新跨越，城乡区域发展差距和居民生活水平差距显著缩小，人民基本生活保障水平与长三角平均水平大体相当，基本公共服务实现均等化，中等收入群体显著扩大；平安亳州建设达到新水平；人民美好生活谱写新篇章，人的全面发展、全体人民共同富裕取得更为明显的实质性进展。三、 完善科技创新体制机制加快科技成果转化。强化问题导向和需求导向，健全科技成果转移转化机制，推动形成以企业为主体、政产学研用金相

33、结合的开放式协同创新机制，加速科技创新成果落地转化。大力开展科技成果发布、在线展会、在线专家咨询与对接服务等活动，建立“线上”与“线下”互补的成果转移转化服务体系，提高企业创新能力和成果转化应用能力，着力破解技术交易推广难、共享难、转化难问题。加快发展科技服务业，重点培育和引进一批成果转化、科技评估、知识产权等专业化科技中介机构，健全科技成果转移转化全程服务链。设立亳州市科技成果转化基金，建设具有亳州特色的现代中医药科技成果转化基地。加强知识产权保护。推进知识产权综合管理体制改革，完善知识产权创造、运用、保护等管理体系，鼓励企业通过知识产权评估实现知识产权价值。积极推动专利与科技、经济、金融创

34、新结合，加速知识产权服务高端化、全链条发展。大力培育知识产权咨询、申报、转移等代理机构，加快发展知识产权评估机构。强化知识产权保护工作，依法打击知识产权假冒行为，探索建立专利、商标、版权综合执法机制。研究制定传统文化、传统知识等领域保护办法，加强中医药知识产权保护。加强知识产权维权援助体系建设，创新快速维权机制。加强公益宣传，开展知识产权保护“五进”活动，不断提高全社会知识产权保护意识。深化科技金融服务。充分发挥政府产业基金杠杆作用，建立科技成果产业化风险补偿机制。充分发挥天使基金、高层次科技人才团队创新创业基金作用，建设覆盖创新企业全周期的投融资体系。支持金融机构创新金融产品，鼓励银行开发和

35、推广科技金融信贷产品。鼓励担保机构为科技型企业提供科技担保产品。设立市新兴产业创业投资引导基金，支持创业投资机构做大做强。鼓励吸引国内外创业投资资本进入亳州，重点投资高新技术项目，助力科技创新创业和产业升级。优化科技创新环境。健全政府投入为主、社会多渠道投入机制，持续完善科技创新政策。加大创新创业政策宣传力度，简化优惠政策审批和办理程序，降低企业或个人享受优惠政策的综合成本。完善科研诚信制度建设，改进科技项目组织管理方式，实行“揭榜挂帅包干”等制度，推动政府职能从研发管理向创新服务转变。完善科技评价机制，构建普惠性创新支持政策体系。加强科普工作，大力弘扬科学家精神、工匠精神，营造崇尚创新的社会

36、氛围。四、 建设提升创新研发平台建设高水平技术研发平台。整合现有资源，创新体制机制，充分发挥亳州市中药材检验检测研究院和亳州市产品质量检验检测研究院作用。改善育种基础设施和技术装备条件，提升亳州市农业科学研究院在小麦、大豆等粮食领域育种水平。增强安徽济人药业有限公司、安徽协和成药业饮片有限公司、天马（安徽）国药股份科技有限公司等企业创新平台带动能力，推动由服务企业自身向服务整个产业转变。坚持“科创+产业”，抓住长三角科技创新共同体建设机遇，强化政策引导，吸引知名高校科研院所单独或与我市企业合作建设省重点实验室、省技术创新中心、省临床医学研究中心等省级创新平台。加大市级工程技术研究中心、重点实验

37、室等创新平台培育力度，形成创新平台梯次发展的格局。力争“十四五”期间，新建国家级创新平台1家、省级创新平台35家、市级创新平台10家。建设科技创新公共服务平台。以创建省新型研发机构为目标，建成投用亳州高新科创医药产业技术研究院，打造集共性技术研发、技术中试熟化和技术转移于一体的高水平中医药公共研发平台。持续完善亳州市网上技术大市场功能，促进科技成果与产业资源精准对接，为创新主体提供技术转移转化全流程服务。围绕主导产业布局，支持省级开发区建设一批关键核心技术平台。力争“十四五”期间，建设省级新型研发机构2家。促进创新创业融合发展。坚持创新引领创业，依托亳州高新区、亳芜现代产业园区、各县区开发区等

38、载体，加大知名科技企业孵化器、众创空间、星创天地等创新创业平台招引力度，打造充满活力的创新创业生态，构建“众创空间+科技企业孵化器+科技企业加速器+专业园区”的完整孵化链条。推动亳州青年科技创业园和筑梦社区创建国家级科技企业孵化器，实现省级科技企业孵化器和众创空间县域全覆盖。“十四五”期间，新建省级及以上科技企业孵化器、众创空间等创新创业平台5家。五、 项目选址综合评价项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求，同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址，并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。第六章 建筑工程方案一、 项目工程设计总体要求（一）建筑工程采用的设计标准1、建

39、筑设计防火规范2、建筑抗震设计规范3、建筑抗震设防分类标准4、工业建筑防腐蚀设计规范5、工业企业噪声控制设计规范6、建筑内部装修设计防火规范7、建筑地面设计规范8、厂房建筑模数协调标准9、钢结构设计规范（二）建筑防火防爆规范本项目在建筑防火设计中从防止火灾发生和安全疏散两方面考虑。一是防火。所有建筑均采用一、二级耐火等级，室内装修均采用不燃或难燃材料，使火灾不易发生，即使发生也不易迅速蔓延，同时建筑内均设置了消火栓。防火分区面积满足建筑设计防火规范要求。二是疏散。建筑的平面布局、建筑物间距、道路宽度等均应满足防火疏散的要求，便于人员疏散。建筑物的平面布置、空间尺寸、结构选型及构造处理根据工艺生

40、产特征、操作条件、设备安装、维修、安全等要求，进行防火、防爆、抗震、防噪声、防尘、保温节能、隔热等的设计。满足当地规划部门的要求，并执行工程所在地区的建筑标准。（三）主要车间建筑设计在满足生产使用要求的前提下，本着“实用、经济”条件下注意美观的原则，确定合理的建筑结构方案，立面造型简洁大方、统一协调。认真贯彻执行“适用、安全、经济”方针。因地制宜，精心设计，力求作到技术先进、经济合理、节约建设资金和劳动力，同时，采用节能环保的新结构、新材料和新技术。（四）本项目采用的结构设计标准1、建筑抗震设计规范2、构筑物抗震设计规范3、建筑地基基础设计规范4、混凝土结构设计规范5、钢结构设计规范6、砌体结

41、构设计规范7、建筑地基处理技术规范8、设置钢筋混凝土构造柱多层砖房抗震技术规程9、钢结构高强度螺栓连接的设计、施工及验收规程（五）结构选型1、该项目拟选项目选址所在地区基本地震烈度为7度。根据现行建筑抗震设计规范的规定，本项目按当地基本地震烈度执行9度抗震设防。2、根据项目建设的自身特点及项目建设地规划建设管理部门对该区域建筑结构的要求，确定本项目生产车间采用钢结构，采用柱下独立基础。3、建筑结构的设计使用年限为50年，安全等级为二级。二、 建设方案（一）建筑结构及基础设计本期工程项目主体工程结构采用全现浇钢筋混凝土梁板，框架结构基础采用桩基基础，钢筋混凝土条形基础。基础工程设计：根据工程地质

42、条件，荷载较小的建（构）筑物采用天然地基，荷载较大的建（构）筑物采用人工挖孔现灌浇柱桩。（二）车间厂房、办公及其它用房设计1、车间厂房设计：采用钢屋架结构，屋面采用彩钢板，墙体采用彩钢夹芯板，基础采用钢筋混凝土基础。2、办公用房设计：采用现浇钢筋混凝土框架结构，多孔砖非承重墙体，屋面为现浇钢筋混凝土框架结构，基础为钢筋混凝土基础。3、其它用房设计：采用砖混结构，承重型墙体，基础采用墙下条形基础。（三）墙体及墙面设计1、墙体设计：外墙体均用标准多孔粘土砖实砌，内墙均用岩棉彩钢板。2、墙面设计：生产车间的外墙墙面采用水泥砂浆抹面，刷外墙涂料，内墙面为乳胶漆墙面。办公楼等根据使用要求适当提高装饰标准

43、。腐蚀性楼地面、地坪以及有防火要求的楼地面采用特殊地面做法。依据建设部、国家建材局关于建筑采用使用的规定，框架填充墙采用加气混凝土空心砌块墙体，砖混结构承重墙地上及地下部分采用烧结实心页岩砖。（四）屋面防水及门窗设计1、屋面设计：屋面采用大跨度轻钢屋面，高分子卷材防水面层，上人屋面加装保护层。2、屋面防水设计：现浇钢筋混凝土屋面均采用刚性防水。3、门窗设计：一般建筑物门窗，采用铝合金门窗，对于变压器室、配电室等特殊场所应采用特种门窗，具体做法可参见国家标准图集。有防爆或者防火要求的生产车间，门窗设置应满足防爆泄压的要求，玻璃应采用安全玻璃，凡防火墙上门窗均为防火门窗，参见国标图集。（五）楼房地

44、面及顶棚设计1、楼房地面设计：一般生产用房为水泥砂浆面层，局部为水磨石面层。2、顶棚及吊顶设计：一般房间白色涂料面层。（六）内墙及外墙设计1、内墙面设计：一般房间为彩钢板，控制室采用水性涂料面层，卫生间采用卫生磁板面层。2、外墙面设计：均涂装高级弹性外墙防水涂料。（七）楼梯及栏杆设计1、楼梯设计：现浇钢筋混凝土楼梯。2、栏杆设计：车间内部采用钢管栏杆，其它采用不锈钢栏杆。（八）防火、防爆设计严格遵守建筑设计防火规范（GB50016-2014）中相关规定，满足设备区内相关生产车间及辅助用房的防火间距、安全疏散、及防爆设计的相关要求。从全局出发统筹兼顾，做到安全适用、技术先进、经济合理。（九）防腐

45、设计防腐设计以预防为主，根据生产过程中产生的介质的腐蚀性、环境条件、生产、操作、管理水平和维修条件等，因地制宜区别对待，综合考虑防腐蚀措施。对生产影响较大的部位，危机人身安全、维修困难的部位，以及重要的承重构件等加强防护。（十）建筑物混凝土屋面防雷保护车间、生活间等建筑的混凝土屋面采用10镀锌圆钢做避雷带，利用钢柱或柱内两根主筋作引下线，引下线的平均间距不大于十八米（第类防雷建筑物）或25.00米（第类防雷建筑物）。（十一）防雷保护措施利用基础内钢筋作接地体，并利用地下圈梁将建筑物的四周的柱子基础接通，构成环形接地网，实测接地电阻R1.00（共用接地系统）。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积123542.52，其中：生产工程70120.51，仓储工程34143.65，行政办公及生活服务设施12219.66，公共工程7058.70。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程20869.2070120.519812.311.11#生产车间6260.7621036.152943.691.22#生产车间5217.3017530.132453.081.33#生产车间5008.6116828.922354.951.44#生产车间4382.5314725.312060.592仓储工程