黄石碳化硅项目招商引资方案【模板参考】.docx
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1、泓域咨询/黄石碳化硅项目招商引资方案报告说明2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底
2、。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。根据谨慎财务估算,项目总投资4947.56万元,其中:建设投资3988.79万元,占项目总投资的80.62%;建设期利息79.11万元,占项目总投资的1.60%;流动资金879.66万元,占项目总投资的17.78%。项目正常运
3、营每年营业收入8200.00万元,综合总成本费用6150.79万元,净利润1501.72万元,财务内部收益率23.43%,财务净现值2598.36万元,全部投资回收期5.64年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,本项目能够充分利用现有设施,属于投资合理、见效快、回报高项目;拟建项目交通条件好;供电供水条件好,因而其建设条件有明显优势。项目符合国家产业发展的战略思想,有利于行业结构调整。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。
4、本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 绪论8一、 项目概述8二、 项目提出的理由10三、 项目总投资及资金构成10四、 资金筹措方案10五、 项目预期经济效益规划目标11六、 项目建设进度规划11七、 环境影响11八、 报告编制依据和原则11九、 研究范围12十、 研究结论13十一、 主要经济指标一览表13主要经济指标一览表13第二章 项目建设背景及必要性分析16一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期16二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心17三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%19四、 聚焦重点领域改革,健全高质量发展体制机制20五、 再构区域空间
5、布局,加快全域一体化发展22第三章 市场分析25一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越25二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临26三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期28第四章 项目选址方案31一、 项目选址原则31二、 建设区基本情况31三、 再塑综合功能优势,加快打造现代港口城市36四、 项目选址综合评价38第五章 产品规划与建设内容39一、 建设规模及主要建设内容39二、 产品规划方案及生产纲领39产品规划方案一览表40第六章 法人治理41一、 股东权利及义务41二、 董事43三、 高级管理人员48四、 监事50第七章 SWOT分析52一
6、、 优势分析(S)52二、 劣势分析(W)54三、 机会分析(O)54四、 威胁分析(T)56第八章 工艺技术方案61一、 企业技术研发分析61二、 项目技术工艺分析63三、 质量管理65四、 设备选型方案66主要设备购置一览表66第九章 原辅材料分析68一、 项目建设期原辅材料供应情况68二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理68第十章 项目进度计划69一、 项目进度安排69项目实施进度计划一览表69二、 项目实施保障措施70第十一章 劳动安全71一、 编制依据71二、 防范措施72三、 预期效果评价78第十二章 投资计划79一、 投资估算的依据和说明79二、 建设投资估算80建设投资估算表
7、84三、 建设期利息84建设期利息估算表84固定资产投资估算表86四、 流动资金86流动资金估算表87五、 项目总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表89第十三章 项目经济效益分析91一、 经济评价财务测算91营业收入、税金及附加和增值税估算表91综合总成本费用估算表92固定资产折旧费估算表93无形资产和其他资产摊销估算表94利润及利润分配表96二、 项目盈利能力分析96项目投资现金流量表98三、 偿债能力分析99借款还本付息计划表100第十四章 风险评估分析102一、 项目风险分析102二、 项目风险对策104第十五章 项目综合评价106第十
8、六章 附表附件108主要经济指标一览表108建设投资估算表109建设期利息估算表110固定资产投资估算表111流动资金估算表112总投资及构成一览表113项目投资计划与资金筹措一览表114营业收入、税金及附加和增值税估算表115综合总成本费用估算表115利润及利润分配表116项目投资现金流量表117借款还本付息计划表119第一章 绪论一、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:黄石碳化硅项目2、承办单位名称:xx集团有限公司3、项目性质:技术改造4、项目建设地点:xxx5、项目联系人:罗xx(二)主办单位基本情况公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧
9、集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营造和谐发展环境。公司在发展中始终坚持以创新为源动力,不断投入巨资引入先进研发设备,更新思想观念,依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势,不断加大新产品的研发力度,以实现公司的永续经营和品牌发展。公司坚持诚信为本、铸就品牌,优质服务、赢得市场的经营理念,秉承以人为本,始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念,遵循“以客户需求为中心,坚持高端精品战略,提高最高的服务
10、价值”的服务理念,奉行“唯才是用,唯德重用”的人才理念,致力于为客户量身定制出完美解决方案,满足高端市场高品质的需求。展望未来,公司将围绕企业发展目标的实现,在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下,围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑,推动体制机制改革和管理及业务模式的创新,加强团队能力建设,提升核心竞争力,努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx,占地面积约17.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计
11、方案为:xx吨碳化硅材料/年。二、 项目提出的理由SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资4947.56万元,其中:建设投资3988.79万元,占项目总投资的80.62%;建设期利息79.11万元,占项目总投资的1.60%;流动资金879.66万元,占项目总投资的17.78%。四、 资金筹措方案(一)项目资本金筹措方案项目总投资4947.56万元,根据资金筹措方
12、案,xx集团有限公司计划自筹资金(资本金)3333.05万元。(二)申请银行借款方案根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额1614.51万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入(SP):8200.00万元。2、年综合总成本费用(TC):6150.79万元。3、项目达产年净利润(NP):1501.72万元。4、财务内部收益率(FIRR):23.43%。5、全部投资回收期(Pt):5.64年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):2450.00万元(产值)。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需24个月的时间。七
13、、 环境影响项目符合国家产业政策,符合城乡规划要求,符合国家土地供地政策,运营期间产生的废气、废水、噪声、固体废弃物等在采取相应的治理措施后,均能达到相应的国家标准要求,对外环境影响较小。因此,该项目在认真贯彻执行国家的环保法律、法规,认真落实污染防治措施的基础上,从环保角度分析,该项目的实施是可行的。八、 报告编制依据和原则(一)编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划,部门与地区规划,经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等;2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等;3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料;4、有关国家、地
14、区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等;5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定;6、相关市场调研报告等。(二)编制原则按照“保证生产,简化辅助”的原则进行设计,尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下,综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度,采取有效的环境保护措施,使生产中的排放物符合国家排放标准和规定,重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。九、 研究范围按照项目建设公司的发展规划,依据有关规定,就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响
15、、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究,并提出研究结论。十、 研究结论由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。十一、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积11333.00约17.00亩1.1总建筑面积15386.091.2基底面积6233.151.3投资强度万元/亩217.142总投资万元4947.562.1建设投资万元3988.792.1.1工程费用万元3337.422.1.2其他费用万元558.7
16、02.1.3预备费万元92.672.2建设期利息万元79.112.3流动资金万元879.663资金筹措万元4947.563.1自筹资金万元3333.053.2银行贷款万元1614.514营业收入万元8200.00正常运营年份5总成本费用万元6150.796利润总额万元2002.297净利润万元1501.728所得税万元500.579增值税万元390.9310税金及附加万元46.9211纳税总额万元938.4212工业增加值万元3160.2813盈亏平衡点万元2450.00产值14回收期年5.6415内部收益率23.43%所得税后16财务净现值万元2598.36所得税后第二章 项目建设背景及必要
17、性分析一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河
18、北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底
19、往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展
20、)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而P
21、VT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、
22、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产
23、功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。四、 聚焦重点领域改革,健全高质量发展体制机制深入推进重点领域改革,充分发挥市场在资源配置中的决定性作用,推动有效市场和有为政
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