贺州碳化硅衬底项目申请报告（参考范文）.docx

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1、泓域咨询/贺州碳化硅衬底项目申请报告贺州碳化硅衬底项目申请报告xxx有限责任公司目录第一章 项目概况8一、 项目名称及投资人8二、 编制原则8三、 编制依据8四、 编制范围及内容9五、 项目建设背景9六、 结论分析12主要经济指标一览表14第二章 行业、市场分析16一、 行业发展态势及面临的机遇16二、 碳化硅材料产业链18三、 宽禁带半导体材料简介24第三章 项目投资背景分析27一、 碳化硅衬底类型27二、 碳化硅半导体行业的战略意义27三、 面临的挑战28四、 提升科技支撑能力29五、 项目实施的必要性30第四章 产品方案与建设规划32一、 建设规模及主要建设内容32二、 产品规划方案及生

2、产纲领32产品规划方案一览表32第五章 选址方案34一、 项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 以制度创新为核心推进示范区建设36四、 大力实施产业发展“千百十”工程37五、 项目选址综合评价37第六章 建筑工程方案分析38一、 项目工程设计总体要求38二、 建设方案39三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表40第七章 发展规划42一、 公司发展规划42二、 保障措施48第八章 运营模式分析51一、 公司经营宗旨51二、 公司的目标、主要职责51三、 各部门职责及权限52四、 财务会计制度55第九章 SWOT分析说明59一、 优势分析（S）59二、 劣势分析（W）60三、 机会分

3、析（O）61四、 威胁分析（T）61第十章 项目节能说明67一、 项目节能概述67二、 能源消费种类和数量分析68能耗分析一览表69三、 项目节能措施69四、 节能综合评价71第十一章 安全生产72一、 编制依据72二、 防范措施73三、 预期效果评价76第十二章 原辅材料分析77一、 项目建设期原辅材料供应情况77二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理77第十三章 组织机构及人力资源配置78一、 人力资源配置78劳动定员一览表78二、 员工技能培训78第十四章 工艺技术分析80一、 企业技术研发分析80二、 项目技术工艺分析82三、 质量管理84四、 设备选型方案85主要设备购置一览表85第

4、十五章 投资计划方案87一、 投资估算的依据和说明87二、 建设投资估算88建设投资估算表90三、 建设期利息90建设期利息估算表90四、 流动资金92流动资金估算表92五、 总投资93总投资及构成一览表93六、 资金筹措与投资计划94项目投资计划与资金筹措一览表94第十六章 项目经济效益96一、 经济评价财务测算96营业收入、税金及附加和增值税估算表96综合总成本费用估算表97固定资产折旧费估算表98无形资产和其他资产摊销估算表99利润及利润分配表101二、 项目盈利能力分析101项目投资现金流量表103三、 偿债能力分析104借款还本付息计划表105第十七章 风险评估分析107一、 项目风

5、险分析107二、 项目风险对策109第十八章 总结分析112第十九章 附表附件114营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表114固定资产折旧费估算表115无形资产和其他资产摊销估算表116利润及利润分配表117项目投资现金流量表118借款还本付息计划表119建设投资估算表120建设投资估算表120建设期利息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目概况一、 项目名称及投

6、资人（一）项目名称贺州碳化硅衬底项目（二）项目投资人xxx有限责任公司（三）建设地点本期项目选址位于xx（以选址意见书为准）。二、 编制原则1、立足于本地区产业发展的客观条件，以集约化、产业化、科技化为手段，组织生产建设，提高企业经济效益和社会效益，实现可持续发展的大目标。2、因地制宜、统筹安排、节省投资、加快进度。三、 编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济发展规划；5、其他相关资料。四、 编制范围及内容根据项目的特点，报告的研究范围主要包括：1、项目单位及项目概况；2、产业规划及产业政策；

7、3、资源综合利用条件；4、建设用地与厂址方案；5、环境和生态影响分析；6、投资方案分析；7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究，力求提供较准确的资料和数据，对该项目是否可行做出客观、科学的结论，作为投资决策的依据。五、 项目建设背景根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可

8、以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。锚定二三五年远景目标，综合考虑全国全区发展态势和贺州市发展条件、

9、优势、潜力，强化目标导向和问题导向，今后五年贺州市经济社会发展要努力实现“赶超跨越、开创新局”发展目标，体现在五个方面。经济发展持续赶超跨越。经济增速保持在全区“第一方阵”。实现地区生产总值、财政收入翻一番，经济总量实现新的晋位升级，综合实力明显提升。高质量发展迈出新步伐，经济结构持续优化，增长潜力充分发挥，发展新动能不断壮大，发展后劲充足有力。全力东融形成“贺州模式”。以新一轮全方位开放合作推动高质量发展，高水平建成广西东融先行示范区，贺州成为广西向东开放合作的先行区、产业联动发展的新高地、大湾区康养旅游的首选地，在全区加快构建“南向、北联、东融、西合”全方位开放发展新格局中发挥更大作用、实

10、现更大作为。绿色发展力争保持领先。坚持绿水青山就是金山银山理念，提升“金不换”生态优势，突出长寿特质，进一步擦亮世界长寿市、全域长寿市金字招牌。森林覆盖率、城市空气质量、地表水水质等方面指标保持在全区前列，大健康和文旅产业蓬勃发展，建成“山水园林长寿城”。市域治理彰显贺州特色。重点领域和关键环节改革取得决定性成果，各项国家级改革试点和广西东融先行示范区集成改革取得新成效，行政效率和公信力迈上新台阶，社会治理特别是基层治理水平明显提高，发展安全保障更加有力。系统治理、依法治理、综合治理、源头治理实现新提升。人民生活品质显著提升。扎实推进共同富裕，居民收入增长和经济增长基本同步，城乡收入差距进一步

11、缩小，城乡人居环境明显改善。社会事业全面进步，就业、教育、体育、医疗卫生、社保、养老等公共服务体系更加健全。社会文明程度得到新提高，社会主义核心价值观深入人心，人民精神文化生活日益丰富，长寿文化进一步凸显。, 六、 结论分析（一）项目选址本期项目选址位于xx（以选址意见书为准），占地面积约16.00亩。（二）建设规模与产品方案项目正常运营后，可形成年产xxx吨碳化硅衬底的生产能力。（三）项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。（四）投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资8206.96万元，其中：建设投资6564.92万元，占项目总投资的79.9

12、9%；建设期利息144.01万元，占项目总投资的1.75%；流动资金1498.03万元，占项目总投资的18.25%。（五）资金筹措项目总投资8206.96万元，根据资金筹措方案，xxx有限责任公司计划自筹资金（资本金）5267.98万元。根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额2938.98万元。（六）经济评价1、项目达产年预期营业收入（SP）：13400.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：10033.01万元。3、项目达产年净利润（NP）：2468.58万元。4、财务内部收益率（FIRR）：23.30%。5、全部投资回收期（Pt）：5.67年（含建设期24个月）。6、达产年盈亏平

13、衡点（BEP）：4154.43万元（产值）。（七）社会效益经分析，本期项目符合国家产业相关政策，项目建设及投产的各项指标均表现较好，财务评价的各项指标均高于行业平均水平，项目的社会效益、环境效益较好，因此，项目投资建设各项评价均可行。建议项目建设过程中控制好成本，制定好项目的详细规划及资金使用计划，加强项目建设期的建设管理及项目运营期的生产管理，特别是加强产品生产的现金流管理，确保企业现金流充足，同时保证各产业链及各工序之间的衔接，控制产品的次品率，赢得市场和打造企业良好发展的局面。本项目实施后，可满足国内市场需求，增加国家及地方财政收入，带动产业升级发展，为社会提供更多的就业机会。另外，由于

14、本项目环保治理手段完善，不会对周边环境产生不利影响。因此，本项目建设具有良好的社会效益。（八）主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积10667.00约16.00亩1.1总建筑面积18831.041.2基底面积5866.851.3投资强度万元/亩389.982总投资万元8206.962.1建设投资万元6564.922.1.1工程费用万元5527.112.1.2其他费用万元856.862.1.3预备费万元180.952.2建设期利息万元144.012.3流动资金万元1498.033资金筹措万元8206.963.1自筹资金万元5267.983.2银行贷款万元2938.984

15、营业收入万元13400.00正常运营年份5总成本费用万元10033.016利润总额万元3291.447净利润万元2468.588所得税万元822.869增值税万元629.5810税金及附加万元75.5511纳税总额万元1527.9912工业增加值万元5083.3413盈亏平衡点万元4154.43产值14回收期年5.6715内部收益率23.30%所得税后16财务净现值万元4802.65所得税后第二章 行业、市场分析一、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛，全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用，碳化硅器件市场需求迅速增长，全球碳化

16、硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给，满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求，各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展，产业链的景气程度有望持续向好，碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低，行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比，虽然碳化硅基器件价格仍然较高，但是由于其优越的性能及价

17、格持续走低，其综合成本优势逐渐显现，客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本：在衬底方面，通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等，共同推动碳化硅衬底成本的降低；在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低；在市场方面，主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定，供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护，自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁，国内碳化硅产业的

18、持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程，为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域，下游应用企业已在调整供应链，支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会，进入了多个关键厂商供应链，逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月，国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策，提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发，在新一代半导体技术等领域推动各类

19、创新平台建设；2021年3月，十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要，提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外，上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机，有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。二、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上，主要使用化学气相沉积法（CVD法）在衬底表面生成所需的薄膜材料，即形成外延片，进一步

20、制成器件。（1）半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。（2）导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用（1）主要应用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色，是无线通信设备的基础性零部件，主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化

21、硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue，砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用；硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年，但其主要应用于小于4GHz的低频率领域；碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势，有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件，因此成为4G/5G移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据

22、流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长，氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测，至2025年，功率在3W以上的射频器件市场中，砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。目前，氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的，并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓，碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延生长技术相对成熟，且碳化硅衬底导热性好，适合于大功率应用，同时衬底电阻率高降低了射频损耗，因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告，

23、90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。（2）主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域，碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件，占据了大部分市场。对于需要高频高输出的

24、卫星通信应用，氮化镓器件也有望逐步取代砷化镓的解决方案。根据Yole报告，随着通信基础建设和军事应用的需求发展，全球氮化镓射频器件市场规模将持续增长，预计从2019年的7.4亿美元增长至2025年的20亿美元，期间年均复合增长率达到18%。半绝缘型碳化硅衬底的需求量有望因此获益而持续增长。3、导电型碳化硅衬底在功率器件上的应用（1）主要应用情况及其优势功率器件又被称为电力电子器件，是构成电力电子变换装置的核心器件。功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至

25、原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。（2）主要应用领域的发展情况电动汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场，全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展，对功率半导体器件需求量日益增加，成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性，在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分，碳化硅器

26、件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品，由于成本的原因，目前使用比例还相对较低，但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势，通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。目前，碳化硅功率器件已被国际知名车企应用在其电动汽车上。电动驱动系统中，主逆变器负责控制电动机，是汽车的关键元器件，特斯拉Model3的主逆变器采用了意法半导体生产的24个碳化硅MOSFET功率模块，是全球第一家将碳化硅MOSFET应用于商用车主逆变器的OEM厂商。2020年12月，丰田汽车推出并公开发售“Mirai”燃料电池电动汽车，是丰田汽车首次开始使用碳化硅功率器件。根据碳化硅器件特点和电动汽车的发展趋势，碳化硅器件是未来电

27、动汽车的必然之选。光伏逆变器曾普遍采用硅器件，经过40多年的发展，转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点，将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如，在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里，碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。阳光电源等光伏逆变器龙头企业已将碳化硅器件应用至其组串式逆变器中。碳化硅功率器件在轨道交通行业得到重要应用。未来轨道交通对电力电子装置，比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率，将有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前，受限于碳化硅功率

28、器件的电流容量，碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升，全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。根据Yole报告，2019年碳化硅功率器件的市场规模为5.41亿美元，受益于电动汽车/充电桩、光伏新能源等市场需求驱动，预计2025年将增长至25.62亿美元，复合年增长率约30%。碳化硅衬底的

29、需求有望因此获益并取得快速增长。三、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体及砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看，上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表，其典型应用是集成电路，主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表，砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙，故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性

30、能，因此被广泛应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。值得注意的是，前述三代半导体材料各有利弊，并无绝对的替代关系，而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业：新材料（第三代半导体材料），与硅相比，碳化硅拥有更为优

31、越的电气特性：耐高压：击穿电场强度大，是硅的10倍，用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度，并大大降低器件的导通损耗。耐高温：半导体器件在较高的温度下，会产生载流子的本征激发现象，造成器件失效。禁带宽度越大，器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍，可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300，而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时，碳化硅的热导率比硅更高，高热导率有助于碳化硅器件的散热，在同样的输出功率下保持更低的温度，碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低，有助于实现设备的小型化。实现高频的性能：碳化硅的饱和电子漂

32、移速率大，是硅的2倍，这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性，碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底，可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求，已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用：在光电子器件领域，氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用，还可制备成氮化镓基激光器；在微波射频器件方面，氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域；氮化镓也可用于功率器件，其比传统器件具有更低的电源损耗。第三章 项目投资背景分析一、

33、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版），一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为1530mcm）的导电型碳化硅衬底。二、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导

34、体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时，我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体

35、的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。三、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大，大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高，碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一，限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟，衬底和器件的价格呈一定下降趋势，但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡

36、碳化硅器件的高价格与碳化硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率，使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业，对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求，国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距，需要靠国内企业和研究机构持续投入研发，完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年，于1993年在美国纳斯达克上市，贰陆公司成立于1971年，于1987年在美国纳斯达克上市，相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经

37、验，中国由于研发起步较晚，业内人才和技术水平仍然较为缺乏，在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件，因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制，并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。四、 提升科技支撑能力推动科技创新，抓住国家支持粤港澳大湾区建设国际科技创新中心的机遇，建设国家高新技术产业开发区、国家火炬碳酸钙特色产业基地、国家水生蔬菜

38、保鲜与加工工程研究中心、广西康养食品科学与技术重点实验室、广西农业高新技术产业示范区、广西碳酸钙资源高效高值利用中心、广西（贺州）东融产业研究院等创新平台。协同推进科技创新，主动与大湾区创新基地、高新技术企业等单位寻求深度合作，以开展技术攻关、产品研发和成果转化为重点，加快东融新产业育成中心等一批公共研发平台建设，支持生态产业园创建国家级高新区和国家级孵化器，提升贺州产业竞争力。推进贺州国家民用无人驾驶航空实验基地规划建设，加强人工智能、生物技术等技术研发与应用示范，积极培育“蛙跳”产业。推动市场创新，强化企业创新主体地位，鼓励企业加大研发投入，对企业投入基础研究实行税收优惠。支持创新型中小微

39、企业成长，构建大众创业万众创新生态体系。加强知识产权保护，提高科技成果转移转化成效。弘扬科学精神、工匠精神，加强科普工作，营造崇尚创新的浓厚氛围。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。

40、（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持公司在领域的国内领先地位。第四章 产品方案与建设规划一、 建设规模及主要建设内容（一）项目场地规模该项目总占地面积10667.00（折合约16.00亩），预计场区规划总建筑面积18831.04。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx有限责任公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx吨碳化硅衬底，

41、预计年营业收入13400.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1碳化硅衬底吨xx2碳化硅衬底吨xx3碳化硅衬底吨xx4.吨5.吨6.吨合计xxx13400.00衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的

42、优劣，为使材料能满足不同芯片的功能要求，需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同，碳化硅衬底可分为两类：根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版），一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，另一类是低电阻率（电阻率区间为1530mcm）的导电型碳化硅衬底。第五章 选址方案一、 项目选址原则项目建设区域以城市总体规划为依据，布局相对独立，便于集中开展科研、生产经营和管理活动，并且统筹考虑用地与城市发展的关系，与当地的建成区有较方便的联系。二、 建设区基本情况贺州市，广西壮族自治区下辖市，位于广西东北部，于2002年撤地设市，地处湘、粤、桂三省（

43、自治区）交界地，行政区域面积11753平方千米。截至2018年末，辖八步区、平桂区、钟山县、昭平县、富川瑶族自治县。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，贺州市常住人口为2007858人。贺州属亚热带南部季风气候，具有日照充足，雨量丰沛，雨热同季，干湿季节明显，无霜期长等特点，是广西重点林区之一。截至2016年末，贺州市林地面积90.04万公顷，森林覆盖率72.87%。“十三五”时期，面对错综复杂的国内外形势和艰巨繁重的改革发展稳定任务，面对转型升级的阵痛和经济下行压力持续加大的严峻考验，面对突如其来的新冠肺炎疫情严重冲击，加快培育推动大创新、实施大开放、培育大物流、发展大旅游

44、、构建大健康“五大新引擎”，决战决胜脱贫攻坚和建设广西东融先行示范区“两大主战场”，经济社会发展取得新的历史性跨越，诸多领域发生根本性变化。当前和今后一个时期，贺州市发展仍然处于重要战略机遇期，机遇和挑战并存，机遇大于挑战。从挑战看，新冠肺炎疫情全球蔓延加速百年未有之大变局的演化，不稳定不确定性明显增加；我国已转向高质量发展阶段，区域发展千帆竞发，贺州市面临新旧动能转换较慢、创新能力不适应高质量发展要求和“不进则退、慢进亦退”的严峻挑战；贺州市经济总量偏小，产业基础薄弱，新型工业化、信息化、城镇化、农业现代化进程滞后，城乡居民收入水平偏低，巩固脱贫成果压力较大，民生保障和社会治理短板弱项不少，

45、发展不平衡不充分仍是最突出的矛盾，后发展欠发达仍是最大的市情。从机遇看，国家推动新时代西部大开发、建设粤港澳大湾区，自治区加快构建“南向、北联、东融、西合”全方位开放发展新格局、打造东融经济带，为贺州市全力东融、高水平建设广西东融先行示范区带来重大机遇；新一轮科技革命和产业变革深入发展，新经济新产业新模式加速兴起，粤港澳大湾区巨大的市场需求，东西部产业转移，自治区推进工业强桂战略、加快数字广西建设等，为贺州市加快产业转型步伐、培育壮大发展新动能带来重大机遇；国家大力推进区域协调发展和新型城镇化，全面推进乡村振兴，加快“两新一重”建设，自治区推进交通强国建设试点、打造国内国际双循环重要节点枢纽和

46、新时代西部大开发新增长极，为贺州市加快基础设施建设、统筹城乡发展带来重大机遇；国家更加重视支持民族地区发展，为贺州市深入推进民族团结进步事业带来重大机遇；国家着力提高人民生活品质，加强社会治理体系建设，为贺州市加快补齐公共服务短板、保障和改善民生带来重大机遇。进入新发展阶段，贺州市毗邻大湾区、作为大西南东进粤港澳重要通道的独特区位优势更加凸显，建设广西东融先行示范区的最大最好发展机遇更加凸显，在全国全区构建新发展格局中的战略地位更加凸显。全市上下要胸怀“两个大局”，努力在新发展阶段、新发展格局中找准定位，善于在危机中育先机、于变局中开新局，解放思想、改革创新、扩大开放、担当实干，说干就干、干就干好，在全面建设社会主义现代化新征程中奋力谱写新时代贺州赶超跨越新篇章。三、 以制度创新为核心推进示范区建设以规划政策为引