商丘碳化硅器件公司成立可行性报告【范文模板】.docx
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1、泓域咨询/商丘碳化硅器件公司成立可行性报告商丘碳化硅器件公司成立可行性报告xxx有限责任公司目录第一章 筹建公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据11公司合并利润表主要数据12六、 项目概况12第二章 行业、市场分析15一、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元15二、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积15三、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高17第三章 公司筹建方案20一、
2、公司经营宗旨20二、 公司的目标、主要职责20三、 公司组建方式21四、 公司管理体制21五、 部门职责及权限22六、 核心人员介绍26七、 财务会计制度28第四章 项目建设背景、必要性31一、 SiC材料:产业链核心环节,国内外厂商积极布局31二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代31三、 射频:5G推动GaN-on-SiC需求提升33四、 着力打造枢纽经济试验区33五、 着力打造国家区域中心城市35六、 项目实施的必要性38第五章 法人治理结构39一、 股东权利及义务39二、 董事41三、 高级管理人员46四、 监事48第六章 发展规划分析50一、 公司发展规划50二、 保
3、障措施56第七章 环境保护分析58一、 环境保护综述58二、 建设期大气环境影响分析58三、 建设期水环境影响分析61四、 建设期固体废弃物环境影响分析61五、 建设期声环境影响分析61六、 环境影响综合评价62第八章 项目选址可行性分析63一、 项目选址原则63二、 建设区基本情况63三、 紧扣创新驱动发展,着力打造创新发展推进区65四、 项目选址综合评价68第九章 项目风险分析69一、 项目风险分析69二、 项目风险对策71第十章 进度规划方案73一、 项目进度安排73项目实施进度计划一览表73二、 项目实施保障措施74第十一章 经济效益分析75一、 经济评价财务测算75营业收入、税金及附
4、加和增值税估算表75综合总成本费用估算表76固定资产折旧费估算表77无形资产和其他资产摊销估算表78利润及利润分配表80二、 项目盈利能力分析80项目投资现金流量表82三、 偿债能力分析83借款还本付息计划表84第十二章 投资计划86一、 投资估算的依据和说明86二、 建设投资估算87建设投资估算表89三、 建设期利息89建设期利息估算表89四、 流动资金91流动资金估算表91五、 总投资92总投资及构成一览表92六、 资金筹措与投资计划93项目投资计划与资金筹措一览表93第十三章 总结分析95第十四章 附表附件97主要经济指标一览表97建设投资估算表98建设期利息估算表99固定资产投资估算表
5、100流动资金估算表101总投资及构成一览表102项目投资计划与资金筹措一览表103营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表104固定资产折旧费估算表105无形资产和其他资产摊销估算表106利润及利润分配表107项目投资现金流量表108借款还本付息计划表109建筑工程投资一览表110项目实施进度计划一览表111主要设备购置一览表112能耗分析一览表112报告说明5G发展推动碳化硅基氮化镓器件需求增长,市场空间广阔。微波射频器件中功率放大器直接决定移动终端和基站无线通讯距离、信号质量等关键参数,5G通讯高频、高速、高功率特点对其性能有更高要求。以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同
6、时具备碳化硅高导热性能和氮化镓高频段下大功率射频输出优势,在功率放大器上的应用可满足5G通讯对高频性能、高功率处理能力要求。当前5G新建基站仍使用LDMOS功率放大器,但随5G技术进一步发展,MIMO基站建立需使用氮化镓功率放大器,氮化镓射频器件在功率放大器中渗透率将持续提升。据Yole和Wolfspeed预测,2024年碳化硅基氮化镓功率器件市场有望突破20亿美元,2027年进一步增长至35亿美元。根据预测,受益5G通讯快速发展,通讯频段向高频迁移,基站和通信设备需要支持高频性能的PA,碳化硅基氮化镓射频器件相比硅基LDMOS和GaAs的优势将逐步凸显,2020年全球碳化硅射频器件市场规模为
7、8.92亿美元,预计到2025年将增长至21.21亿美元,对应CAGR为18.9%,和Yole和Wolfspeed预测基本一致。xxx有限责任公司主要由xxx(集团)有限公司和xx集团有限公司共同出资成立。其中:xxx(集团)有限公司出资202.50万元,占xxx有限责任公司15%股份;xx集团有限公司出资1148万元,占xxx有限责任公司85%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资7189.40万元,其中:建设投资5676.00万元,占项目总投资的78.95%;建设期利息142.61万元,占项目总投资的1.98%;流动资金1370.79万元,占项目总投资的19.07%。项目正常运营每年营业收入1
8、1600.00万元,综合总成本费用9798.09万元,净利润1314.17万元,财务内部收益率11.78%,财务净现值-755.71万元,全部投资回收期7.18年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方案;项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xxx有限责任公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本1350万元三、
9、注册地址商丘xxx四、 主要经营范围经营范围:从事碳化硅器件相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xxx有限责任公司主要由xxx(集团)有限公司和xx集团有限公司发起成立。(一)xxx(集团)有限公司基本情况1、公司简介公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业
10、提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。经过多年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展的方针。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额2888.132310.502166.10负债总额1011.48809.18758.61股东权益合计1876.651501.321407.49公司合并利润表主要数据项目2020年度
11、2019年度2018年度营业收入8305.716644.576229.28营业利润2017.131613.701512.85利润总额1848.531478.821386.40净利润1386.401081.39998.21归属于母公司所有者的净利润1386.401081.39998.21(二)xx集团有限公司基本情况1、公司简介公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司秉承“诚实、信用、谨慎、有效”的信托理念,将“诚信为本、合规经营”作为企业的核心理念,不断提升公司资产
12、管理能力和风险控制能力。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额2888.132310.502166.10负债总额1011.48809.18758.61股东权益合计1876.651501.321407.49公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入8305.716644.576229.28营业利润2017.131613.701512.85利润总额1848.531478.821386.40净利润1386.401081.39998.21归属于母公司所有者的净利润1386.401081.39998.21六、 项
13、目概况(一)投资路径xxx有限责任公司主要从事碳化硅器件公司成立的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由SiC功率器件主要包括SBD、JFET、MOSFET和模块,在新能源汽车相关应用场景主要为逆变器、OBC、及直流充电桩。当前碳化硅渗透仍处于早期,主要器件类型为SiC二极管,以及在高端车系应用,目前渗透率较低。未来随着:1)特斯拉、比亚迪等头部新能源车厂带来的“示范效应”,更多车企将会逐步采用SiC方案;2)碳化硅器件价格逐步下降,成本经济效益不断提升;3)800V架构时代来临,SiC在高压下较IGBT性能优势更为明显,损耗降低幅度更大。SiC在新能源车主逆变器及OBC中渗透率将快速提升。
14、(三)项目选址项目选址位于xxx(以最终选址方案为准),占地面积约16.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xxx吨碳化硅器件的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积18522.58,其中:生产工程13225.37,仓储工程3044.12,行政办公及生活服务设施1531.49,公共工程721.60。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资7189.40万元,其中:建设投资5676.00万元,占项目总投资的78.95%;建设期利息142.61万元,占项目总投资的1.98%;流动资金137
15、0.79万元,占项目总投资的19.07%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):11600.00万元。2、综合总成本费用(TC):9798.09万元。3、净利润(NP):1314.17万元。4、全部投资回收期(Pt):7.18年。5、财务内部收益率:11.78%。6、财务净现值:-755.71万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划24个月。(九)项目综合评价通过分析,该项目经济效益和社会效益良好。从发展来看公司将面向市场调整产品结构,改变工艺条件以高附加值的产品代替目前产品的产业结构。第二章 行业、市场分析一、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元根据
16、测算,2020年全球新能源汽车SiC器件及模块市场规模为2.7亿美元,预计到2025年达30.1亿美元,对应CAGR为62.3%;由此带来的2020年对SiC晶圆(6寸)的消耗量达13.7万片,预计到2025年将达199.6万片,对应CAGR为71.0%。全球新能源汽车渗透率的快速提升将驱动SiC市场规模高速增长,采取自上而下的方式,以新能源汽车销量为基础,考虑单车SiC器件或模块的价值量、不同零部件SiC渗透率等假设来进行测算。根据测算,至2025年全球新能源汽车消耗SiC衬底数量将达到199.6万片/年,考虑到当前有效衬底产能仍然稀缺,预计SiC功率器件供需偏紧格局将保持相当长时间。二、
17、主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案,如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET,如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT,则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右(按照艾睿供应商网站价格计算,实际大批量采购价格更低),但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素,会率先在中高端车型上使用。1)损耗更低:根据ST的数据,800V系
18、统下,1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低,在常用的25%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%,在100%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2)高压下性能优势更加明显:在400V左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下,功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT,但对比之下,SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据,在400V电压平台下,SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升;而在750V电压平台下其提升幅度
19、则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知,1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显,主要体现为损耗降低幅度更大。3)耐高温:SiC的结温更高,能够在超过175度的高温下正常工作,较IGBT更加适合高温环境。4)体积节约:根据ST,在10kHz工作频率和800V架构的情况下,对于一个210kW的逆变器,若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案:1)使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2;2)开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3)损耗的降低使得PCU(电源控制单元)的尺寸得以减少,相对应的冷却系统
20、体积也将得以简化。三、 衬底:碳化硅产业链最关键环节,技术壁垒较高碳化硅衬底应用逐步成熟,主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录(2021年版),碳化硅衬底可分为两类,一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”,去除晶体中的各种杂质对实现碳化硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率(电阻率1530mcm)的导电型碳化硅衬底,经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标,在PVT法下
21、,相较半绝缘型衬底其生产难度更低,但在生产过程中,电阻率易发生分布不均情况,仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数,可以发现在产品直径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿,各厂商都在致力于未来降低微管密度,部分龙头碳化硅企业如I
22、I-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下,国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2,存在差距。同时,国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟,预计国产碳化硅产品种类不断丰富,产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产,但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段,海内外厂商均加速扩产,但应避免重复建设的问题,造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐,投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现
23、小而散的局面,综合Yole等第三方机构数据,2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动,我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐,积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计,截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元,规划产能超过420万片/年(等效6寸),对比CASA的数据,2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/年(等效6寸)。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力,且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产,但受衬底良率及质量等因素影响,实际产能或严重不足。第三章 公
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