广元碳化硅项目申请报告【模板范本】.docx
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1、泓域咨询/广元碳化硅项目申请报告广元碳化硅项目申请报告xxx集团有限公司报告说明对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。根据谨慎财务估算,项目总投资20991.75万元,其中:建设投资16772.89万元,占项目总投资的
2、79.90%;建设期利息401.32万元,占项目总投资的1.91%;流动资金3817.54万元,占项目总投资的18.19%。项目正常运营每年营业收入34100.00万元,综合总成本费用28072.69万元,净利润4402.62万元,财务内部收益率14.72%,财务净现值1304.95万元,全部投资回收期6.70年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本项目生产所需的原辅材料来源广泛,产品市场需求旺盛,潜力巨大;本项目产品生产技术先进,产品质量、成本具有较强的竞争力,三废排放少,能够达到国家排放标准;本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设;项目产品畅销,经济效益好
3、,抗风险能力强,社会效益显著,符合国家的产业政策。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。目录第一章 项目背景及必要性8一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%8二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期9三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期10四、 持续增强经济发展动力活力12五、 健全规划制定和落实机制16第二章 市场分析17一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越17二、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心18三、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时
4、代将来临20第三章 项目总论22一、 项目名称及建设性质22二、 项目承办单位22三、 项目定位及建设理由23四、 报告编制说明24五、 项目建设选址26六、 项目生产规模26七、 建筑物建设规模26八、 环境影响26九、 项目总投资及资金构成27十、 资金筹措方案27十一、 项目预期经济效益规划目标27十二、 项目建设进度规划28主要经济指标一览表29第四章 选址分析31一、 项目选址原则31二、 建设区基本情况31三、 全面推动产业转型升级,努力打造区域经济发展高地34四、 项目选址综合评价39第五章 产品方案与建设规划40一、 建设规模及主要建设内容40二、 产品规划方案及生产纲领40产
5、品规划方案一览表40第六章 发展规划分析42一、 公司发展规划42二、 保障措施46第七章 法人治理结构49一、 股东权利及义务49二、 董事54三、 高级管理人员58四、 监事60第八章 劳动安全生产62一、 编制依据62二、 防范措施63三、 预期效果评价66第九章 组织机构管理67一、 人力资源配置67劳动定员一览表67二、 员工技能培训67第十章 原辅材料供应70一、 项目建设期原辅材料供应情况70二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理70第十一章 项目投资分析71一、 编制说明71二、 建设投资71建筑工程投资一览表72主要设备购置一览表73建设投资估算表74三、 建设期利息75建设
6、期利息估算表75固定资产投资估算表76四、 流动资金77流动资金估算表78五、 项目总投资79总投资及构成一览表79六、 资金筹措与投资计划80项目投资计划与资金筹措一览表80第十二章 项目经济效益分析82一、 基本假设及基础参数选取82二、 经济评价财务测算82营业收入、税金及附加和增值税估算表82综合总成本费用估算表84利润及利润分配表86三、 项目盈利能力分析86项目投资现金流量表88四、 财务生存能力分析89五、 偿债能力分析90借款还本付息计划表91六、 经济评价结论91第十三章 项目招标、投标分析93一、 项目招标依据93二、 项目招标范围93三、 招标要求94四、 招标组织方式9
7、6五、 招标信息发布96第十四章 总结分析97第十五章 附表附件98建设投资估算表98建设期利息估算表98固定资产投资估算表99流动资金估算表100总投资及构成一览表101项目投资计划与资金筹措一览表102营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表104固定资产折旧费估算表105无形资产和其他资产摊销估算表106利润及利润分配表106项目投资现金流量表107第一章 项目背景及必要性一、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规
8、模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和S
9、iCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystal
10、AG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬
11、底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉
12、全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器
13、、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着
14、光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10
15、倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。四、 持续增强经济发展动力活力坚持把深化改革作为加快发展的根本动力,强化创新
16、在现代化建设中的核心地位,推进创造型、引领型、市场化改革,推动创新链产业链融合发展,使一切有利于高质量发展的力量源泉充分涌流。深化经济领域重点改革。建设高标准市场体系,健全市场体系基础制度,坚持平等准入、公正监管、开放有序、诚信守法,形成高效规范、公平竞争的统一市场。加强产权保护,健全产权执法司法保护制度。深化要素市场化配置改革,健全要素市场运行机制,完善要素交易规则和服务体系。深化土地管理制度改革,建立健全城乡统一的建设用地市场,推动不同产业用地类型合理转换。盘活存量建设用地,主动参与建设用地、补充耕地指标跨区域交易。推进户籍便捷迁徙、居住证互通互认和流动人口信息共享,健全劳动力和人才社会性
17、流动体制机制。探索经济区和行政区适度分离改革。加快推进现代财税金融体制建设。推进财政支出标准化,强化预算约束和绩效管理。健全财政体制,增强基层公共服务保障能力。加强政府债务管理。深化投融资体制改革,构建金融有效支持实体经济的体制机制,积极争取政策性金融支持,持续推动普惠金融发展。健全金融风险预防、预警、处置、问责制度,对违法违规行为零容忍。激发各类市场主体活力。加快实施国有企业改革三年行动,推动国有企业整合重组,培养壮大市、县区国有企业,打造AA+信用平台,提高融资能力、降低融资成本。完善现代企业制度,健全市场化经营机制,完善国有资产监管体制,积极稳妥推进国有企业混合所有制改革。优化民营经济发
18、展环境,落实支持民营经济发展各类政策,加强对民营企业全生命周期服务,坚决破除制约民营企业发展的各种壁垒,促进非公有制经济健康发展和非公有制经济人士健康成长。健全政企协商制度,加大民营企业困难问题化解力度,依法平等保护民营企业产权和企业家权益。弘扬企业家精神,培育具有较强竞争力的一流企业。打造一流营商环境。加快政府职能转变,深化“放管服”改革。坚持以“一件事”“一网通办”“一窗分类受理”改革为重点,持续推进“最多跑一次”,全面提升12345服务热线办理质效。积极推进工程建设项目联合审批改革,全面推行“一窗通办”。加快政务服务标准化、规范化、便利化,大力推行“互联网+政务服务”,建设一体化在线政务
19、综合服务平台,推行指尖办、掌上办,持续深化政务公开。实施涉企经营许可事项清单管理,推进审批制向备案制承诺制转变,加强事中事后监管,实行创新包容审慎监管。实施高标准市场体系建设行动,提高市场综合监管能力。健全重大政策事前评估和事后评价制度,畅通参与政策制定渠道。加快社会信用体系建设,健全信用评价奖惩体制机制。深化行业协会、商会和中介机构改革。构建亲清新型政商关系。建设高水平创新平台。针对食品饮料、铝基材料、电子信息和装备制造等特色优势产业,积极探索县区差异创新发展机制,打造主导产业突出、企业集聚、特色鲜明的科技创新示范载体,加快布局建设一批工程技术研究中心、重点实验室、产业技术研究院,探索创新平
20、台技术攻关清单制度,促进高质量创新成果产出,推动现有创新平台上档升级。加强与相关科研机构合作,推动成立广元食品产业研究院,建好川陕甘食品药品检验监测中心,增强食品饮料、生物医药产业发展支撑。加强国家技术转移西南中心广元分中心等技术转移平台和孵化器、众创空间等孵化平台建设,提升服务科技创新能力水平。培育建设一批国、省农业科技园区。培育高质量创新主体。强化企业创新主体地位,支持有条件的企业牵头建设重大科技创新平台、实施重大科技项目,推动企业成为科技创新决策主体、投入主体和受益主体。深化产学研合作,支持企业利用国内外创新资源,打造跨区域创新链,推进创新平台共建、创新成果共享、创新人才共用,主动融入成
21、渝地区双城经济圈科技创新走廊建设和全球创新网络,形成企业为主导的区域协同创新发展新格局。探索建立科技型企业梯次培育机制,培育孵化一批高成长性的高新技术企业。打造高效率创新生态。推进职务科技成果改革,鼓励高校、科研院所科技人员来广创办领办科技型企业。探索科技创新券制度,提高科技成果转化实效。深化科技计划管理改革,优化科研项目资金配置,提升创新绩效。加大研发投入,构建多元化投入机制。加强创新金融支撑,推动科技金融融合发展。加强创新政策措施制定和落实,充分发挥研发费用加计扣除和自主创新税收政策效应,推动知识产权保护和科研诚信建设,营造良好创新环境。弘扬科学家精神和工匠精神,加强科学技术普及,激发全社
22、会创新创造活力,推动大众创业、万众创新。五、 健全规划制定和落实机制全面落实规划建议的部署要求,统筹编制全市和各县区“十四五”规划纲要和专项规划,推动各类规划功能互补、统一衔接,形成规划合力。完善规划推进机制,细化规划纲要年度计划,实行项目化、清单化管理。健全政策协调和工作协同机制,加强规划实施效果评估、督导和考核,确保市委关于“十四五”发展决策部署落到实处。第二章 市场分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了
23、微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si)
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