开封碳化硅衬底设备项目商业计划书_模板.docx
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1、泓域咨询/开封碳化硅衬底设备项目商业计划书开封碳化硅衬底设备项目商业计划书xx有限公司报告说明根据谨慎财务估算,项目总投资37241.05万元,其中:建设投资28887.96万元,占项目总投资的77.57%;建设期利息761.91万元,占项目总投资的2.05%;流动资金7591.18万元,占项目总投资的20.38%。项目正常运营每年营业收入73000.00万元,综合总成本费用57457.39万元,净利润11363.87万元,财务内部收益率23.09%,财务净现值12857.93万元,全部投资回收期5.75年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。据CASAResea
2、rch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司
3、投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 项目总论9一、 项目名称及投资人9二、 项目建设背景9三、 结论分析11主要经济指标一览表13第二章 市场预测15一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心15二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期16三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能
4、优越18第三章 公司基本情况20一、 公司基本信息20二、 公司简介20三、 公司竞争优势21四、 公司主要财务数据22公司合并资产负债表主要数据22公司合并利润表主要数据23五、 核心人员介绍23六、 经营宗旨25七、 公司发展规划25第四章 背景及必要性32一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临32二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%33三、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒34四、 打造全国数据收集开放共享样板市35五、 项目实施的必要性38第五章 法人治理40一、 股东权利及义务40二、 董事42三、 高级管理人员46四、 监事48第六章 S
5、WOT分析说明50一、 优势分析(S)50二、 劣势分析(W)51三、 机会分析(O)52四、 威胁分析(T)52第七章 运营模式分析60一、 公司经营宗旨60二、 公司的目标、主要职责60三、 各部门职责及权限61四、 财务会计制度64第八章 创新驱动72一、 企业技术研发分析72二、 项目技术工艺分析74三、 质量管理75四、 创新发展总结76第九章 发展规划分析78一、 公司发展规划78二、 保障措施84第十章 建筑技术分析86一、 项目工程设计总体要求86二、 建设方案86三、 建筑工程建设指标88建筑工程投资一览表88第十一章 产品规划方案90一、 建设规模及主要建设内容90二、 产
6、品规划方案及生产纲领90产品规划方案一览表90第十二章 进度计划92一、 项目进度安排92项目实施进度计划一览表92二、 项目实施保障措施93第十三章 项目风险防范分析94一、 项目风险分析94二、 公司竞争劣势101第十四章 投资计划方案102一、 投资估算的依据和说明102二、 建设投资估算103建设投资估算表105三、 建设期利息105建设期利息估算表105四、 流动资金107流动资金估算表107五、 总投资108总投资及构成一览表108六、 资金筹措与投资计划109项目投资计划与资金筹措一览表110第十五章 项目经济效益分析111一、 基本假设及基础参数选取111二、 经济评价财务测算
7、111营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表113利润及利润分配表115三、 项目盈利能力分析116项目投资现金流量表117四、 财务生存能力分析119五、 偿债能力分析119借款还本付息计划表120六、 经济评价结论121第十六章 项目总结分析122第十七章 补充表格124主要经济指标一览表124建设投资估算表125建设期利息估算表126固定资产投资估算表127流动资金估算表128总投资及构成一览表129项目投资计划与资金筹措一览表130营业收入、税金及附加和增值税估算表131综合总成本费用估算表131利润及利润分配表132项目投资现金流量表133借款还本付息计划表13
8、5第一章 项目总论一、 项目名称及投资人(一)项目名称开封碳化硅衬底设备项目(二)项目投资人xx有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准)。二、 项目建设背景对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。
9、从现在到二三五年,我市将向高水平建设“世界历史文化名都”目标迈进,全面建设社会主义现代化新开封。实力开封。经济总量、制造业、财政收入等主要指标增速均位居全省前列,经济实力和综合竞争力显著增强,创新能力显著提升,力争进入全省第一方阵。文化开封。社会主义核心价值观深入人心,社会文明程度达到新的高度,文化产业强大,文化事业繁荣,文旅综合实力位居全国前列,黄河文化、宋文化、大运河文化国际传播力和影响力更加广泛深远,打造世界历史文化名都。美丽开封。生态环境根本好转,绿色发展方式和生活方式基本形成,人与自然和谐共生,建设成为国际花园城市。幸福开封。人民生活更加美好,城乡发展差距和居民生活水平差距显著缩小,
10、公共服务均衡优质,人民获得感幸福感安全感位居全省前列。活力开封。重点领域改革持续深化,市场主体活力充分迸发,创新体系更加完善,创新型人才加快集聚,都市圈重要的科技创新高地和新兴产业重要策源地基本形成。开放开封。市场化法治化国际化一流营商环境基本形成,自贸区、综保区等开放平台引领带动全市参与国际经济合作和竞争优势明显增强,开放型经济达到更高水平,城市国际化程度更高。数字开封。形成数据资源有效共享、政府决策科学精准、城市管理精细智能、数字产业蓬勃发展、城市服务主动个性、居民生活便捷高效的新格局,高水平数字社会基本建成。品质开封。延续历史文脉,提升空间品质,优化城市功能,凝练地域精神,彰显古都特色,
11、城市建设品质、功能品质、环境品质、文化品质、服务品质不断提升,使城市成为人民群众高品质生产生活的空间。三、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约98.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资37241.05万元,其中:建设投资28887.96万元,占项目总投资的77.57%;建设期利息761.91万元,占项目总投资的2.05%;流动资金7591.18万元,占项目总投资的
12、20.38%。(五)资金筹措项目总投资37241.05万元,根据资金筹措方案,xx有限公司计划自筹资金(资本金)21691.93万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额15549.12万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):73000.00万元。2、年综合总成本费用(TC):57457.39万元。3、项目达产年净利润(NP):11363.87万元。4、财务内部收益率(FIRR):23.09%。5、全部投资回收期(Pt):5.75年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):28924.87万元(产值)。(七)社会效益经初步分析评价,项目不仅有显著的经济效益
13、,而且其社会救益、生态效益非常显著,项目的建设对提高农民收入、维护社会稳定,构建和谐社会、促进区域经济快速发展具有十分重要的作用。项目在社会经济、自然条件及投资等方面建设条件较好,项目的实施不但是可行而且是十分必要的。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积65333.00约98.00亩1.1总建筑面积101414.011.2基底面积41159.791.3投资强度万元
14、/亩291.622总投资万元37241.052.1建设投资万元28887.962.1.1工程费用万元25175.302.1.2其他费用万元2974.222.1.3预备费万元738.442.2建设期利息万元761.912.3流动资金万元7591.183资金筹措万元37241.053.1自筹资金万元21691.933.2银行贷款万元15549.124营业收入万元73000.00正常运营年份5总成本费用万元57457.396利润总额万元15151.837净利润万元11363.878所得税万元3787.969增值税万元3256.5010税金及附加万元390.7811纳税总额万元7435.2412工业增
15、加值万元24668.7313盈亏平衡点万元28924.87产值14回收期年5.7515内部收益率23.09%所得税后16财务净现值万元12857.93所得税后第二章 市场预测一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量
16、产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响
17、晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄
18、断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPE
19、ED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底
20、与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三
21、代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,
22、能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车
23、/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。第三章 公司基本情况一、 公司基本信息1、公司名称:xx有限公司2、法定代表人:邓xx3、注册资本:580万元4、统一社会信用代码:xxxxxxxxxxxxx5、登记机关:xxx市场监督管理局6、成立日期:2014-4-267、营业期限:2014-4-26至无固定期限8、注册地址:xx市xx区xx9、经营范围:从事碳化硅设备相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)二、 公司简介面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态,公司在企业法人
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