邢台碳化硅衬底设备项目建议书(范文模板).docx
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1、泓域咨询/邢台碳化硅衬底设备项目建议书目录第一章 市场预测7一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒7二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%8第二章 项目基本情况10一、 项目名称及投资人10二、 编制原则10三、 编制依据11四、 编制范围及内容12五、 项目建设背景12六、 结论分析13主要经济指标一览表15第三章 项目投资背景分析18一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越18二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临19三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心21四、 集聚高质量赶超发展新动力22五、 积极融入国内国际双循环新
2、发展格局25第四章 产品规划与建设内容29一、 建设规模及主要建设内容29二、 产品规划方案及生产纲领29产品规划方案一览表29第五章 建筑工程说明31一、 项目工程设计总体要求31二、 建设方案32三、 建筑工程建设指标33建筑工程投资一览表33第六章 选址方案分析35一、 项目选址原则35二、 建设区基本情况35三、 实施创新驱动发展战略,培育高质量赶超发展新引擎40四、 项目选址综合评价42第七章 SWOT分析说明44一、 优势分析(S)44二、 劣势分析(W)46三、 机会分析(O)46四、 威胁分析(T)47第八章 发展规划分析55一、 公司发展规划55二、 保障措施59第九章 运营
3、管理模式62一、 公司经营宗旨62二、 公司的目标、主要职责62三、 各部门职责及权限63四、 财务会计制度66第十章 进度实施计划73一、 项目进度安排73项目实施进度计划一览表73二、 项目实施保障措施74第十一章 人力资源配置分析75一、 人力资源配置75劳动定员一览表75二、 员工技能培训75第十二章 项目环境影响分析77一、 编制依据77二、 环境影响合理性分析78三、 建设期大气环境影响分析78四、 建设期水环境影响分析78五、 建设期固体废弃物环境影响分析79六、 建设期声环境影响分析79七、 建设期生态环境影响分析80八、 清洁生产80九、 环境管理分析82十、 环境影响结论8
4、4十一、 环境影响建议84第十三章 原辅材料及成品分析85一、 项目建设期原辅材料供应情况85二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理85第十四章 投资方案分析87一、 投资估算的编制说明87二、 建设投资估算87建设投资估算表89三、 建设期利息89建设期利息估算表90四、 流动资金91流动资金估算表91五、 项目总投资92总投资及构成一览表92六、 资金筹措与投资计划93项目投资计划与资金筹措一览表94第十五章 经济效益评价96一、 经济评价财务测算96营业收入、税金及附加和增值税估算表96综合总成本费用估算表97固定资产折旧费估算表98无形资产和其他资产摊销估算表99利润及利润分配表101
5、二、 项目盈利能力分析101项目投资现金流量表103三、 偿债能力分析104借款还本付息计划表105第十六章 项目招投标方案107一、 项目招标依据107二、 项目招标范围107三、 招标要求108四、 招标组织方式110五、 招标信息发布110第十七章 总结说明111第十八章 附表附录112营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表112固定资产折旧费估算表113无形资产和其他资产摊销估算表114利润及利润分配表115项目投资现金流量表116借款还本付息计划表117建设投资估算表118建设投资估算表118建设期利息估算表119固定资产投资估算表120流动资金估算表121总投
6、资及构成一览表122项目投资计划与资金筹措一览表123第一章 市场预测一、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。长晶炉:主要由衬底制造厂商自研开发,可基本实现国产化(与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是非常复杂),市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT(物理气相传输)的技术路线,温度很高,不可实施监控,难点不在设备本身,而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样,也是各家的核心机密所在,只有衬底制造企业内部
7、通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括:Wolfspeed,Aymont,Aixtron,LHT,中国电科二所,山东天岳,天科合达,中科院硅酸盐所,中国电科四十六所等。切片机:碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似,但因为碳化硅属于硬质材料(莫氏硬度达9.5,除金刚石以外世界上第二硬的材料),切割难度非常大,切一刀可能需几百个小时,对系统设备的稳定性很高,国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备(金刚石多线切割机)占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备:和传统硅机台基本类似,主
8、要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括:日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面
9、再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。第二章 项目基本情况一、 项目名称及投资
10、人(一)项目名称邢台碳化硅衬底设备项目(二)项目投资人xx有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xxx。二、 编制原则1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令,符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。3、以市场为导向,以提高竞争力为出发点,产品无论在质量性能上,还是在价格上均应具有较强的竞争力。4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计,同时建设,同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准,并保证工厂安全运行和操作人员的健
11、康。5、将节能减排与企业发展有机结合起来,正确处理企业发展与节能减排的关系,以企业发展提高节能减排水平,以节能减排促进企业更好更快发展。6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设,要统筹考虑未来的发展,为今后企业规模扩大留有一定的空间。7、以经济救益为中心,加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求,尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下,实事求是地优化各成本要素,最大限度地降低项目的目标成本,提高项目的经济效益,增强项目的市场竞争力。8、以科学、实事求是的态度,公正、客观的反映本项目建设的实际情况,工程投资坚持“求是、客观”的原则。三、 编
12、制依据1、国民经济和社会发展第十三个五年计划纲要;2、投资项目可行性研究指南;3、相关财务制度、会计制度;4、投资项目可行性研究指南;5、可行性研究开始前已经形成的工作成果及文件;6、根据项目需要进行调查和收集的设计基础资料;7、可行性研究与项目评价;8、建设项目经济评价方法与参数;9、项目建设单位提供的有关本项目的各种技术资料、项目方案及基础材料。四、 编制范围及内容根据项目的特点,报告的研究范围主要包括:1、项目单位及项目概况;2、产业规划及产业政策;3、资源综合利用条件;4、建设用地与厂址方案;5、环境和生态影响分析;6、投资方案分析;7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究,力
13、求提供较准确的资料和数据,对该项目是否可行做出客观、科学的结论,作为投资决策的依据。五、 项目建设背景据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。高质量发展体系更加完善,经济结构更加优化,创新能力明显提高,城市经济和县域经济实力显著增强,市、县综合实力排名在全省位次前移。实体经济和先进制造业、数字经济加快发展,农业基础更加稳固,城乡区域协调发展,各级政府财力明显提高。力争人均生产总值在全省位次前移。六、 结论分
14、析(一)项目选址本期项目选址位于xxx,占地面积约16.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划12个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资6683.53万元,其中:建设投资5530.52万元,占项目总投资的82.75%;建设期利息59.23万元,占项目总投资的0.89%;流动资金1093.78万元,占项目总投资的16.37%。(五)资金筹措项目总投资6683.53万元,根据资金筹措方案,xx有限公司计划自筹资金(资本金)4266.02万元。根据谨慎财
15、务测算,本期工程项目申请银行借款总额2417.51万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):12700.00万元。2、年综合总成本费用(TC):9973.01万元。3、项目达产年净利润(NP):1995.02万元。4、财务内部收益率(FIRR):23.67%。5、全部投资回收期(Pt):5.24年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):4604.45万元(产值)。(七)社会效益该项目工艺技术方案先进合理,原材料国内市场供应充足,生产规模适宜,产品质量可靠,产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著,抗风险能力强,盈利能力强。综上所述,本项目是可行的。本
16、项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积10667.00约16.00亩1.1总建筑面积18180.561.2基底面积6293.531.3投资强度万元/亩336.172总投资万元6683.532.1建设投资万元5530.522.1.1工程费用万元4826.622.1.2其他费用万元555.222.1.3预备费万元148.682.2建设期利息万元59.232.3流动资金万元
17、1093.783资金筹措万元6683.533.1自筹资金万元4266.023.2银行贷款万元2417.514营业收入万元12700.00正常运营年份5总成本费用万元9973.016利润总额万元2660.037净利润万元1995.028所得税万元665.019增值税万元557.9510税金及附加万元66.9611纳税总额万元1289.9212工业增加值万元4440.7213盈亏平衡点万元4604.45产值14回收期年5.2415内部收益率23.67%所得税后16财务净现值万元3538.37所得税后第三章 项目投资背景分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体
18、器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩
19、等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基M
20、OSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计,2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元,预计2026年将增长至45亿美元,2020-2026年CAGR近36%。其中,新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的
21、应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域,以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发,以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效,产业化进程有望提速。应用端:解决电动车续航痛点。据Wolfspeed测算,将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本,提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算,SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上,导通及开关损耗减小,有助于增加电动车续航里程。成本
22、端:单车可节省400-800美元的电池成本,与新增200美元的SiC器件成本抵消后,能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端:特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型,开启了电动汽车使用SiC先河,单车总共有48个SiCMOSFET裸片,由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田Mirai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局,成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年,特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型,其逆变器总重量下降至4.8kg(较此前减少约84%),续航能力提升6%(逆变
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