郴州MOSFET功率器件项目申请报告_模板范本.docx
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1、泓域咨询/郴州MOSFET功率器件项目申请报告郴州MOSFET功率器件项目申请报告xx集团有限公司目录第一章 项目背景、必要性9一、 功率MOSFET的行业发展趋势9二、 MOSFET器件概述10三、 全球半导体行业发展概况15四、 提升开放型经济水平15五、 坚持把发展经济的着力点放在实体经济上,着力推进千亿工业集群提质升级、千亿园区培育壮大、千亿文化旅游产业创优发展、百亿工业产业链巩固壮大、百亿企业培育培强、百亿产业品牌培育创新等“六大工程”,推动产业基础高级化、产业链现代化,加快构建现代化产业体系,提高经济质量效益和核心竞争力。16第二章 项目投资主体概况20一、 公司基本信息20二、
2、公司简介20三、 公司竞争优势21四、 公司主要财务数据23公司合并资产负债表主要数据23公司合并利润表主要数据24五、 核心人员介绍24六、 经营宗旨26七、 公司发展规划26第三章 项目总论33一、 项目概述33二、 项目提出的理由35三、 项目总投资及资金构成35四、 资金筹措方案35五、 项目预期经济效益规划目标36六、 项目建设进度规划36七、 环境影响36八、 报告编制依据和原则37九、 研究范围38十、 研究结论39十一、 主要经济指标一览表39主要经济指标一览表39第四章 行业、市场分析41一、 功率器件应用发展机遇41二、 功率半导体行业概述45第五章 建筑工程说明48一、
3、项目工程设计总体要求48二、 建设方案49三、 建筑工程建设指标50建筑工程投资一览表50第六章 建设规模与产品方案52一、 建设规模及主要建设内容52二、 产品规划方案及生产纲领52产品规划方案一览表52第七章 法人治理结构54一、 股东权利及义务54二、 董事57三、 高级管理人员62四、 监事64第八章 运营模式分析66一、 公司经营宗旨66二、 公司的目标、主要职责66三、 各部门职责及权限67四、 财务会计制度70第九章 发展规划77一、 公司发展规划77二、 保障措施83第十章 工艺技术方案分析85一、 企业技术研发分析85二、 项目技术工艺分析88三、 质量管理89四、 设备选型
4、方案90主要设备购置一览表91第十一章 组织机构及人力资源配置92一、 人力资源配置92劳动定员一览表92二、 员工技能培训92第十二章 项目节能方案95一、 项目节能概述95二、 能源消费种类和数量分析96能耗分析一览表97三、 项目节能措施97四、 节能综合评价99第十三章 原材料及成品管理100一、 项目建设期原辅材料供应情况100二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理100第十四章 项目投资计划101一、 投资估算的编制说明101二、 建设投资估算101建设投资估算表103三、 建设期利息103建设期利息估算表104四、 流动资金105流动资金估算表105五、 项目总投资106总投资及
5、构成一览表106六、 资金筹措与投资计划107项目投资计划与资金筹措一览表108第十五章 项目经济效益评价110一、 经济评价财务测算110营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费用估算表111固定资产折旧费估算表112无形资产和其他资产摊销估算表113利润及利润分配表115二、 项目盈利能力分析115项目投资现金流量表117三、 偿债能力分析118借款还本付息计划表119第十六章 项目风险防范分析121一、 项目风险分析121二、 项目风险对策123第十七章 项目综合评价126第十八章 补充表格128主要经济指标一览表128建设投资估算表129建设期利息估算表130固定资产投资估
6、算表131流动资金估算表132总投资及构成一览表133项目投资计划与资金筹措一览表134营业收入、税金及附加和增值税估算表135综合总成本费用估算表135固定资产折旧费估算表136无形资产和其他资产摊销估算表137利润及利润分配表138项目投资现金流量表139借款还本付息计划表140建筑工程投资一览表141项目实施进度计划一览表142主要设备购置一览表143能耗分析一览表143报告说明目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流桩的建设更广泛,对应的充电功率分为3.5kW和7kW,其中,公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW,但整体数量
7、较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看,平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器(PowerFactorCorrection,“PFC”),其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。根据谨慎财务估算,项目总投资10073.60万元,其中:建设投资7641.04万元,占项目总投资的75.85%;建设期利息173.03万元,占项目总投资的1.72%;流动资金2259.53万元,占项目总投资的22.43%。项目正常运营每年营业收入19500.00万元,综合总成本费用14671.29万元,净利润3540.59万元,财务内部收益率27.4
8、3%,财务净现值4625.30万元,全部投资回收期5.41年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目背景、必要性一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变
9、化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能,从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进,当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时,就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时,随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升,也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此,高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围,实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言,沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET;屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽M
10、OSFET;超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓,具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点,在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先,由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加,第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现,SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据,2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元,预计到2025年将增长至15.53亿美元,复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段,国内已发布
11、多个政策积极推进第三代半导体行业的发展,例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要,提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外,终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中,客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,其封装工艺和结构更复杂;在小功率应用场景中,功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前,工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起,功率器件模块化趋势将愈发显著。根据O
12、mdia预测,2020-2024年分立器件市场增速为2.8%,而功率模块市场增速为9.2%,高于分立器件市场增速。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管,是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元,受疫情影响,2020预计市场规模下降至73.88亿美元,但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增,2024年市场规模有望恢复至77.
13、02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市场占有率达到24.79%,前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中,闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十,分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透
14、持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。2019年,中国MOSFET器件市场中,英飞凌排名第一,市占率达到24.95%,前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中,华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十,分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起,真空管逐渐被固体器件替代,以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代,用二氧化硅改善双
15、极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业中的广泛应用,能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大,因此在高压领域,普通MOSFET导通阻抗大,难以满足实际应用需要,多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET,是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性,可以工作于更大的电流条件。通常情况下,高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比,因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度
16、,导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大,额定电流同步降低。超级结MOSFET的漂移区具有多个P柱,可以补偿N区中的电荷。在器件关断时,N型外延层和P柱相互耗尽,可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压;在器件导通时,N掺杂区作为导通时的电流通路。由此,超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加,对于相同的击穿电压和管芯尺寸,其导通电阻远小于普通高压VDMOS,因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件,高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更
17、适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用领域的发展,高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测,2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量(折合8英寸)分别为59.7万片与73.9万片,年均复合增长为4.3%。其中,超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片,年均复合增长率为8.1%,增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力,相对于MOSFET
18、和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长,全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计,2019年市场规模为16.03亿美元,2017-2019年复合年均增长率为11.73%,2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中,英飞凌销售额排名第一,市占率高达30.22%,前十大公司合计占比达到75.42%,中国厂商中,吉林华微电子进入前十,市占率为2.41%。根据Omdia的统计,201
19、7年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元,2019年为6.05亿美元,对应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目,被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域,IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中;在1700V以上的高电压领域,IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年,中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一,市占率为24.28%,前十大公司合计占比达到69.57%,中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十,市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚,未来进口替代空间巨大,目前在部分领域已
20、经实现了技术突破和国产化。此外,在新能源汽车领域,IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件,随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展,IGBT产业将迎来黄金发展期。三、 全球半导体行业发展概况半导体是电子产品的核心,信息产业的基石。半导体行业具有下游应用广泛、生产技术工序复杂、产品种类多、技术更新换代快、投资高、风险大等特点,全球半导体行业具有一定的周期性,景气周期与宏观经济、下游应用需求以及自身产能库存等因素密切相关。根据全球半导体贸易组织统计,全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元,较2018年下降约12.1%。过去五年,随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展
21、,以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起,带动了整个半导体行业规模增长。四、 提升开放型经济水平主动融入“一带一路”国家战略,积极开展“对接一带一路推动走出去”行动。积极与东盟、RCEP等开展国际区域经济合作,强化产业园区、口岸通关、精品会展、电子商务“四大平台”功能,推动对外贸易创新发展。推动郴州海关进一步强化监管、优化服务,持续缩短进出口通关时间。加快高速公路口岸、铁路口岸、进出口肉类查验场等平台整合升级。加快综合保税区建设,拓展服务贸易、跨境电商、融资租赁等新功能。提升园区外贸综合服务能力,做大做强经贸合作平台。加大外贸“破零倍增”力度。积极推进有色金属、矿物宝石等加工贸易转型升
22、级,建设加工贸易转型示范区。落实外商投资准入前国民待遇加负面清单管理制度,实行外商投资企业信息报告制度。推动优势产能、基础设施领域国际合作,带动技术、装备和劳务“走出去”,在重点区域搭建集招商引资、外贸市场开拓以及企业“走出去”于一体的境内外综合服务网络。统筹整合外事工作资源,深化友城合作。五、 坚持把发展经济的着力点放在实体经济上,着力推进千亿工业集群提质升级、千亿园区培育壮大、千亿文化旅游产业创优发展、百亿工业产业链巩固壮大、百亿企业培育培强、百亿产业品牌培育创新等“六大工程”,推动产业基础高级化、产业链现代化,加快构建现代化产业体系,提高经济质量效益和核心竞争力。(一)推进工业高质量发展
23、着力发展高端装备制造业,建立结构合理、特色鲜明、绿色低碳、核心竞争力强的现代制造业体系,巩固壮大实体经济根基,打造“一核两廊三点”工业空间布局。实施千亿工业集群提质升级,打造以有色金属新材料、石墨新材料、化工新材料等为重点的新材料千亿级产业,以5G运用及信息服务业、电子信息制造及大数据为重点的电子信息千亿级产业,发展以工程及农用机械、锻铸造、家居智能制造等为重点的高端装备制造千亿级产业,形成具有完整产业链的三大千亿优势工业集群。实施百亿工业产业链巩固壮大工程,积极培育矿物宝石、食品医药、通航产业、消费品工业、建筑建材等一批百亿级产业链,推动形成具有完整产业链的优势产业集群。实施百亿企业培育培强
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