模拟电子技术习题解答ppt课件.ppt

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1、习题解答三第三章第三章 多级放大电路多级放大电路第二章第二章 基本放大电路基本放大电路第一章第一章 常用半导体器件常用半导体器件第三章 多级放大电路三、选择合适答案填入空内。三、选择合适答案填入空内。（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。 A.电阻阻值有误差电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响晶体管参数受温度影响 D.电源电压不稳定电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。 A.便于设计便于设计 B.放大交流信号放大交流信号 C.不易制作大容量电容

2、不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是）选用差分放大电路的原因是 。 A.克服温漂克服温漂 B. 提高输入电阻提高输入电阻 C.稳定放入倍数稳定放入倍数（4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个，共模信号是两个输入端信号的输入端信号的 。 A.差差 B.和和 C.平均值平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路，将使电路 的的 。 A.差模放大倍数数值增大差模放大倍数数值增大 B.抑制共模信号能力增强抑制共模信号能力增强 C.差模输入电阻增大差模输

3、入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使）互补输出级采用共集形式是为了使 。 A.电压放大倍数大电压放大倍数大 B.不失真输出电压大不失真输出电压大 C.带负载能力强带负载能力强（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）C3.6 图图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的所示电路参数理想对称，晶体管的均为均为50，rbb=100，UBEQ0.7。试计算。试计算RW滑动端在中点时滑动端在中点时T1管和管和T2管的发射极静态电流管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数以及动态参数Ad和和Ri。图P3.6mA517. 02222eWBEQEEEQEEeEQWEQBEQRRUV

4、IVRIRIUk5 .20)1 (2972)1 ( k18. 5mV26)1 (WbeiWbecdEQbbbeRrRRrRAIrr解：解：RW滑动端在中点时滑动端在中点时T1管和管和T2管的发射极静态电流分析如下：管的发射极静态电流分析如下： Ad和和Ri分析如下：分析如下： 第二章 基本放大电路自自 测测 题题 一、在括号内用一、在括号内用“ ”或或“”表明下列说法是否正确。表明下列说法是否正确。 （1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ） （2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）可以说任何放大电路都有功率放大作用；

5、（ ） （3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（ ） （4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（ ） （5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（ ） （6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何 放大电路的输出都毫无变化；（放大电路的输出都毫无变化；（ ） （7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）只要是共射放大电路，输出

6、电压的底部失真都是饱和失真。（ ）（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7）mARUVIcCECCC2AIICB20/kIUVRBBECCb565(/)100ocLuibeURRAUr 2.625LRk2.9解：解：(1)(2)由可得： 。 2CQImA6CEQCCCQcUVIRV3.822CEQCESomUUUV2.122CQLomIRUV2.10解：由于解：由于所以所以空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出空载时，输入信号增大到一定幅值，电路首先出现饱和失真。故现饱和失真。故RL=3K时，当输入信号增大到一定幅值，电路首时，当输入信号增大到一定幅值，电路首先出现截止失真。故

7、先出现截止失真。故 2.11电路如图电路如图P2.11所示，晶体管所示，晶体管=100，rbb=100。(1)求电路的求电路的Q点、点、Au、Ri和和Ro；(2)若改用若改用=200的晶体管，则的晶体管，则Q点如何变化？点如何变化？(3)若电容若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？如何变化？ 1122bBQCCbbRUVVRR1BQBEQEQfeUUImARR101EQBQIIAe(R )5.7CEQCCEQcfUVIRRV解：解：(1)静态分析：静态分析： 26(1)2.73bebbEQmVrrkI(/)7.7(1)cLube

8、fRRArR 12/(1)3.7ibbbefRRRrRk5ocRRk动态分析：动态分析：1122bBQCCbbRUVVRR1BQBEQEQfeUUImARR51EQBQIIAe(R )5.7CEQCCEQcfUVIRRV(/)/1.92(1)()cLcLubeefefRRRRArRRRR 12/(1)()4.1ibbbeefRRRrRRk5ocRRk (2) =200时，时，（不变）（不变） （不变）（不变）（减小）（减小） (3) Ce开路时，开路时，（减小）（减小）（增大）（增大） （不变）（不变）（不变）（不变）2.12 电路如图电路如图P2.12所示，晶体管的所示，晶体管的=80，rb

9、e=1k。(1)求出求出Q点；点； (2)分别求出分别求出RL=和和RL=3k时电路的时电路的Au、Ri和和Ro32.3(1)CCBEQBQbeVUIARR(1)2.61EQBQIImA7.17CEQCCEQeUVIRV解：解：(1)求解求解Q 点：点： (1)0.996(1)eubeeRArR/(1)110ibbeeRRrRk(1)(/)0.992(1)(/)eLubeeLRRArRR/(1)(/)76ibbeeLRRrRRk/371sbbeoeRRrRR(2)求解放大倍数和输入、输出电阻：求解放大倍数和输入、输出电阻：RL=时：时：图图P2.12RL=3k时：时：输出电阻：输出电阻：2.1

10、3 电路如图电路如图P2.13 所示，晶体管的所示，晶体管的=60 , rbb=100(1)求解求解Q点、点、Au、Ri和和Ro(2)设设Us = 10mV （有效值），问（有效值），问Ui=？Uo=？若？若C3开路，则开路，则Ui=？Uo=？解：解：(1) Q 点：点： 31(1)CCBEQBQbeVUIARR1.86CQBQIImA()4.56CEQCCEQceUVIRRV26(1)952bebbEQmVrrI(/)95cLubeRRAr /952ibbeRRr3ocRRk 图图P2.13 Au、Ri和和Ro的分析的分析(2)设设Us = 10mV （有效值），则（有效值），则3.2iis

11、siRUUmVRR304ouiUAUmV若若C3开路，则：开路，则：/(1)51.3ibbeeRRrRk/1.5cLueRRAR 9.6iissiRUUmVRR14.4ouiUAUmV 第一章 常用半导体器件自自 测测 题题一、判断下列说法是否正确，用一、判断下列说法是否正确，用“”和和“”表示判断结果填入空内。表示判断结果填入空内。（1）在）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。型半导体。（ ）（2）因为）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）（3）PN结在无光照

12、、无外加电压时，结电流为零。（结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ）（5）结型场效应管外加的栅）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其才能保证其RGS大的特点。（大的特点。（ ）（6）若耗尽型）若耗尽型N沟道沟道MOS管的管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ）（1） （2） （3） （4） （5） （6）二、选择正确答案填入空内。二、选择正确答案填入空

13、内。（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄变窄 B. 基本不变基本不变 C. 变宽变宽（2）设二极管的端电压为）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. （3）稳压管的稳压区是其工作在）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通正向导通 B.反向截止反向截止 C.反向击穿反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。 A. 前者反偏、后者也反偏前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏前者正偏、后者反偏 C. 前者正

14、偏、后者也正偏前者正偏、后者也正偏（5）UGS0V时，能够工作在恒流区的场效应管有时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管结型管 B. 增强型增强型MOS管管 C. 耗尽型耗尽型MOS管管TUUI eS) 1e (STUUI（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。分所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数别求出它们的电流放大系数。 图图Pl.8 (a) (b) (a)

15、 (b)解图解图Pl.8 1.9 测得放大电路中六只晶体管的直流测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图电位如图P1.9所示。在圆圈中画出所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。锗管。解：晶体管三个极分别为上、中、解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表下管脚，答案如解表P1.9所示。所示。图图P1.9解表解表P1.9管号管号T1T2T3T4T5T6上上ecebcb中中bbbeee下下ceccbc管型管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料材料SiSiSiGeGeGe1.12分别判断图分别判断图Pl.12 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。(a) (b) (c) 解：解：(a)可能；可能；(b)可能；可能；(c)不能；不能；(d)不能，不能，T 的的发射结会因电流过大而损坏。发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。可能。(d) (e)图图P1.12