铁岭CMOS芯片项目申请报告_参考范文.docx
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1、泓域咨询/铁岭CMOS芯片项目申请报告铁岭CMOS芯片项目申请报告xx集团有限公司目录第一章 绪论7一、 项目名称及投资人7二、 编制原则7三、 编制依据7四、 编制范围及内容8五、 项目建设背景9六、 结论分析10主要经济指标一览表12第二章 背景、必要性分析14一、 CMOS图像传感器芯片行业概况14二、 全球半导体及集成电路行业17三、 我国半导体及集成电路行业19四、 深化供给侧结构性改革20第三章 选址可行性分析22一、 项目选址原则22二、 建设区基本情况22三、 按照高质量发展要求,立足铁岭实际,“十四五”时期阶段性主要目标为:24四、 优化非公有制经济发展环境24五、 项目选址
2、综合评价25第四章 产品方案分析26一、 建设规模及主要建设内容26二、 产品规划方案及生产纲领26产品规划方案一览表27第五章 发展规划28一、 公司发展规划28二、 保障措施32第六章 运营模式分析35一、 公司经营宗旨35二、 公司的目标、主要职责35三、 各部门职责及权限36四、 财务会计制度39第七章 法人治理43一、 股东权利及义务43二、 董事45三、 高级管理人员49四、 监事52第八章 SWOT分析54一、 优势分析(S)54二、 劣势分析(W)55三、 机会分析(O)56四、 威胁分析(T)56第九章 节能说明60一、 项目节能概述60二、 能源消费种类和数量分析61能耗分
3、析一览表62三、 项目节能措施62四、 节能综合评价64第十章 原辅材料成品管理65一、 项目建设期原辅材料供应情况65二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理65第十一章 劳动安全生产分析66一、 编制依据66二、 防范措施69三、 预期效果评价71第十二章 投资计划方案72一、 投资估算的依据和说明72二、 建设投资估算73建设投资估算表75三、 建设期利息75建设期利息估算表75四、 流动资金77流动资金估算表77五、 总投资78总投资及构成一览表78六、 资金筹措与投资计划79项目投资计划与资金筹措一览表80第十三章 经济效益分析81一、 经济评价财务测算81营业收入、税金及附加和增值税
4、估算表81综合总成本费用估算表82固定资产折旧费估算表83无形资产和其他资产摊销估算表84利润及利润分配表86二、 项目盈利能力分析86项目投资现金流量表88三、 偿债能力分析89借款还本付息计划表90第十四章 招标及投资方案92一、 项目招标依据92二、 项目招标范围92三、 招标要求93四、 招标组织方式95五、 招标信息发布97第十五章 项目风险防范分析98一、 项目风险分析98二、 项目风险对策100第十六章 项目总结102第十七章 补充表格104营业收入、税金及附加和增值税估算表104综合总成本费用估算表104固定资产折旧费估算表105无形资产和其他资产摊销估算表106利润及利润分配
5、表107项目投资现金流量表108借款还本付息计划表109建设投资估算表110建设投资估算表110建设期利息估算表111固定资产投资估算表112流动资金估算表113总投资及构成一览表114项目投资计划与资金筹措一览表115第一章 绪论一、 项目名称及投资人(一)项目名称铁岭CMOS芯片项目(二)项目投资人xx集团有限公司(三)建设地点本期项目选址位于xx。二、 编制原则按照“保证生产,简化辅助”的原则进行设计,尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下,综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业管理制度,采取有效的环境保护措施,使生产中的排放物符合国
6、家排放标准和规定,重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。三、 编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划,部门与地区规划,经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等;2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等;3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料;4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等;5、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定;6、相关市场调研报告等。四、 编制范围及内容根据项目的特点,报告的研究范围主要包括:1、项目单位及项目概况;2、产业规划及产业政策;3、资
7、源综合利用条件;4、建设用地与厂址方案;5、环境和生态影响分析;6、投资方案分析;7、经济效益和社会效益分析。通过对以上内容的研究,力求提供较准确的资料和数据,对该项目是否可行做出客观、科学的结论,作为投资决策的依据。五、 项目建设背景在摄像头模组中,图像传感器是灵魂部件,决定着摄像头的成像品质以及其他组件的结构和规格,CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)图像传感器和CCD(Charge-CoupledDevice)图像传感器是当前主流的两种图像传感器。其中CCD电荷耦合器件集成在单晶硅材料上,像素信号逐行逐列依次移动并在边缘出口位置依次放大,而
8、CMOS图像传感器则被集成在金属氧化物半导体材料上,每个像素点均带有信号放大器,像素信号可以直接扫描导出,即电信号是从CMOS晶体管开关阵列中直接读取的,而不需要像CCD那样逐行读取。从上世纪90年代开始,CMOS图像传感技术在业内得到重视并获得大量研发资源,CMOS图像传感器开始逐渐取代CCD图像传感器。如今,CMOS图像传感器已占据了市场的绝对主导地位,基本实现对CCD图像传感器的取代,而CCD仅在卫星、医疗等专业领域继续使用。CMOS图像传感器芯片主要优势可归纳为以下三个层面:1)成本层面上,CMOS图像传感器芯片一般采用适合大规模生产的标准流程工艺,在批量生产时单位成本远低于CCD;2
9、)尺寸层面上,CMOS传感器能够将图像采集单元和信号处理单元集成到同一块基板上,体积得到大幅缩减,使之非常适用于移动设备和各类小型化设备;3)功耗层面上,CMOS传感器相比于CCD还保持着低功耗和低发热的优势。六、 结论分析(一)项目选址本期项目选址位于xx,占地面积约78.00亩。(二)建设规模与产品方案项目正常运营后,可形成年产xx颗CMOS芯片的生产能力。(三)项目实施进度本期项目建设期限规划24个月。(四)投资估算本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资38286.42万元,其中:建设投资29498.57万元,占项目总投资的77.05%;建设期利息
10、810.49万元,占项目总投资的2.12%;流动资金7977.36万元,占项目总投资的20.84%。(五)资金筹措项目总投资38286.42万元,根据资金筹措方案,xx集团有限公司计划自筹资金(资本金)21745.67万元。根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额16540.75万元。(六)经济评价1、项目达产年预期营业收入(SP):73900.00万元。2、年综合总成本费用(TC):59555.27万元。3、项目达产年净利润(NP):10476.81万元。4、财务内部收益率(FIRR):20.65%。5、全部投资回收期(Pt):6.01年(含建设期24个月)。6、达产年盈亏平衡点(BE
11、P):30101.23万元(产值)。(七)社会效益本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。本项目实施后,可满足国内市场需求,增加国家及地方财政收入,带动产业升级发展,为社会提供更多的就业机会。另外,由于本项目环保治理手段完善,不会对周边环境产生不利影响。因此,本项目建设具有良好的社
12、会效益。(八)主要经济技术指标主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积52000.00约78.00亩1.1总建筑面积98478.351.2基底面积30160.001.3投资强度万元/亩371.852总投资万元38286.422.1建设投资万元29498.572.1.1工程费用万元25511.532.1.2其他费用万元3046.022.1.3预备费万元941.022.2建设期利息万元810.492.3流动资金万元7977.363资金筹措万元38286.423.1自筹资金万元21745.673.2银行贷款万元16540.754营业收入万元73900.00正常运营年份5总成本费用万元5955
13、5.276利润总额万元13969.087净利润万元10476.818所得税万元3492.279增值税万元3130.4610税金及附加万元375.6511纳税总额万元6998.3812工业增加值万元23813.1113盈亏平衡点万元30101.23产值14回收期年6.0115内部收益率20.65%所得税后16财务净现值万元15131.72所得税后第二章 背景、必要性分析一、 CMOS图像传感器芯片行业概况1、CMOS图像传感器的发展概要和市场规模在摄像头模组中,图像传感器是灵魂部件,决定着摄像头的成像品质以及其他组件的结构和规格,CMOS(ComplementaryMetalOxideSemic
14、onductor)图像传感器和CCD(Charge-CoupledDevice)图像传感器是当前主流的两种图像传感器。其中CCD电荷耦合器件集成在单晶硅材料上,像素信号逐行逐列依次移动并在边缘出口位置依次放大,而CMOS图像传感器则被集成在金属氧化物半导体材料上,每个像素点均带有信号放大器,像素信号可以直接扫描导出,即电信号是从CMOS晶体管开关阵列中直接读取的,而不需要像CCD那样逐行读取。从上世纪90年代开始,CMOS图像传感技术在业内得到重视并获得大量研发资源,CMOS图像传感器开始逐渐取代CCD图像传感器。如今,CMOS图像传感器已占据了市场的绝对主导地位,基本实现对CCD图像传感器的
15、取代,而CCD仅在卫星、医疗等专业领域继续使用。CMOS图像传感器芯片主要优势可归纳为以下三个层面:1)成本层面上,CMOS图像传感器芯片一般采用适合大规模生产的标准流程工艺,在批量生产时单位成本远低于CCD;2)尺寸层面上,CMOS传感器能够将图像采集单元和信号处理单元集成到同一块基板上,体积得到大幅缩减,使之非常适用于移动设备和各类小型化设备;3)功耗层面上,CMOS传感器相比于CCD还保持着低功耗和低发热的优势。2、CMOS图像传感器行业的经营模式国内本土CMOS图像传感器设计厂商目前一般采取Fabless模式,包括思特威、韦尔股份(豪威科技)、格科微等。Fabless模式指的是集成电路
16、设计企业主营芯片的设计业务,而将芯片的生产加工环节放在代工厂完成。CMOS图像传感器行业的Fabless厂商会在根据行业客户的需求完成CMOS图像传感器设计工作之后,将设计方案提供给晶圆代工厂以委托其进行制造加工,加工完成的产品交由封装测试厂商进行芯片封装和性能测试。Fabless模式的优点集中在其轻资产、低运行费用和高灵活度,可以专注于芯片的设计和创研工作。在晶圆产能供应紧张的阶段,Fabless厂商能否获得上游晶圆代工厂的稳定供货至关重要。而其中,晶圆代工厂选择合作伙伴的标准也不仅仅停留在短期价格的层面。国内外的晶圆代工厂商都会更倾向于与有自主技术、有产品能力、并与下游行业客户绑定较深的优
17、质Fabless厂商保持稳定的供应关系。索尼、三星等资金实力强大的企业则采用IDM模式。IDM模式指的是企业业务需涵盖芯片设计、制造、封测整个流程,并延伸至下游市场销售。IDM模式下的公司规模一般较为庞大,在产品的技术研发及积累需要较为深厚,运营费用及管理成本都相对较高,对企业的综合实力要求较高,但此模式下企业也具有明显的资源整合优势。3、CMOS图像传感器行业的整体发展趋势得益于多摄手机的广泛普及和安防监控、智能车载摄像头和机器视觉的快速发展,CMOS图像传感器的整体出货量及销售额随之不断扩大。根据Frost&Sullivan统计,自2016年至2020年,全球CMOS图像传感器出货量从41
18、.4亿颗快速增长至77.2亿颗,期间年复合增长率达到16.9%。预计2021年至2025年,全球CMOS图像传感器的出货量将继续保持8.5%的年复合增长率,2025年预计可达116.4亿颗。根据Frost&Sullivan统计,与出货量增长趋势类似,全球CMOS图像传感器销售额从2016年的94.1亿美元快速增长至2020年的179.1亿美元,期间年复合增长率为17.5%。预计全球CMOS图像传感器销售额在2021年至2025年间将保持11.9%的年复合增长率,2025年全球销售额预计可达330.0亿美元。4、CMOS图像传感器设计结构发展趋势CMOS图像传感器根据感光元件安装位置,主要可分为
19、前照式结构(FSI)、背照式结构(BSI);在背照式结构的基础上,还可以进一步改良成堆栈式结构(Stacked)。堆栈式结构系在背照式结构将感光层仅保留感光元件的部分逻辑电路的基础上进行进一步改良,在上层仅保留感光元件而将所有线路层移至感光元件的下层,再将两层芯片叠在一起,芯片的整体面积被极大地缩减。此外,感光元件周围的逻辑电路也相应移至底层,可有效抑制电路噪声从而获取更优质的感光效果。采用堆栈式结构的CMOS图像传感器可在同尺寸规格下将像素层在感知单元中的面积占比从传统方案中的近60%提升到近90%,图像质量大大优化。同理,为达到同样图像质量,堆栈式CMOS图像传感器相较于其他类别CMOS图
20、像传感器所需要的芯片物理尺寸则可大幅下降。同时采用该种结构的图像传感器还能集成如自动对焦(AF)和光学防抖(OIS)等功能。除此之外,混合堆栈和三重堆栈技术正在推动着如3D感知和超慢动作影像等功能的发展。虽然采用堆栈式结构的CMOS图像传感器具备性能上的提升,但由于其生产过程中使用了多张晶圆且叠加工序的工艺难度较高,其生产成本远高于采用单层晶圆的生产工艺,因此主要应用于特定的领域。在CMOS图像传感器领域,堆栈式结构技术目前主要应用在高端手机主摄像头、高端数码相机、新兴机器视觉等领域。根据第三方市场调研机构TSR的统计,堆栈式结构CMOS图像传感器产品的主要供应商为索尼、三星、豪威科技和思特威
21、。二、 全球半导体及集成电路行业半导体是指一种导电性可控,性能可介于导体与绝缘体之间的材料。半导体材料因广泛应用于电子产品中的核心单元,在科技层面和经济层面上具有重要性。根据Frost&Sullivan统计,全球半导体产业受益于资本及研发投入的加大、存储器市场回暖及全球晶圆技术升级和产能扩张,市场规模从2016年的3,389.3亿美元快速增长到2018年的4,687.8亿美元,两年间复合增长率达17.6%。但在2019年受到固态存储和3C产品的需求放缓以及全球贸易摩擦等负面因素的影响,全球半导体市场规模出现了负增长。2020新冠疫情导致下游出现很多短单、急单,产业链上各环节普遍上调安全库存水平
22、,部分销售增量来自于库存抬升,该年市场规模达4,331.5亿美元。整体来看,中国半导体及集成电路行业营收规模在2016年至2020年五年间的年均复合增长率达6.3%。未来,随着各下游市场的不断发展、5G网络的普及、人工智能(AI)应用的增长等驱动因素都有望不断刺激半导体产品的需求增长。全球半导体产业市场预计将继续保持增长趋势,市场规模将在2025年达到5,683.9亿美元,2021年至2025年间的年复合增长率预计达到4.9%。根据Frost&Sullivan统计,集成电路市场作为半导体产业最大的细分市场,一直占据着半导体产业近80%的市场份额。集成电路指的是一种微型电子器件或部件,其采用一定
23、工艺在半导体晶片或介质基片上,将一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,随后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构。集成电路如今已广泛应用到计算机、家用电器、数码电子等诸多重要领域。其市场规模也实现了从2016年的2,767.0亿美元至2020年的3,477.2亿美元的快速增长,期间年复合增长率为5.9%。未来安防、手机、无人驾驶汽车、云计算等为首的四大领域的产品应用将有望为集成电路行业带来新机遇,而2021至2025年的市场规模预计也有望从3,751.8亿美元增长至4,364.9亿美元,五年间年均复合增长率达3.9%。从地理区域来看,集成电路产业正在迎来第三次
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