渭南关于成立碳化硅衬底公司可行性报告【模板范本】.docx
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1、泓域咨询/渭南关于成立碳化硅衬底公司可行性报告渭南关于成立碳化硅衬底公司可行性报告xxx有限公司目录第一章 拟成立公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据11公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况13第二章 项目建设背景、必要性16一、 行业发展态势及面临的机遇16二、 碳化硅材料产业链18三、 营造最优环境再强新支撑24第三章 公司成立方案25一、 公司经营宗旨25二、 公司的目标、主要职责25三、 公司组建方式26四、 公司管理体制26五、 部门职责
2、及权限27六、 核心人员介绍31七、 财务会计制度33第四章 行业发展分析36一、 碳化硅半导体行业的战略意义36二、 宽禁带半导体材料简介37三、 碳化硅衬底类型39第五章 发展规划分析40一、 公司发展规划40二、 保障措施44第六章 法人治理47一、 股东权利及义务47二、 董事49三、 高级管理人员53四、 监事56第七章 项目风险评估58一、 项目风险分析58二、 公司竞争劣势65第八章 环境保护分析66一、 环境保护综述66二、 建设期大气环境影响分析66三、 建设期水环境影响分析67四、 建设期固体废弃物环境影响分析68五、 建设期声环境影响分析69六、 环境影响综合评价69第九
3、章 项目选址方案71一、 项目选址原则71二、 建设区基本情况71三、 融入国家战略再作新贡献72四、 项目选址综合评价73第十章 项目实施进度计划74一、 项目进度安排74项目实施进度计划一览表74二、 项目实施保障措施75第十一章 投资估算及资金筹措76一、 投资估算的编制说明76二、 建设投资估算76建设投资估算表78三、 建设期利息78建设期利息估算表79四、 流动资金80流动资金估算表80五、 项目总投资81总投资及构成一览表81六、 资金筹措与投资计划82项目投资计划与资金筹措一览表83第十二章 经济收益分析85一、 基本假设及基础参数选取85二、 经济评价财务测算85营业收入、税
4、金及附加和增值税估算表85综合总成本费用估算表87利润及利润分配表89三、 项目盈利能力分析89项目投资现金流量表91四、 财务生存能力分析92五、 偿债能力分析93借款还本付息计划表94六、 经济评价结论94第十三章 总结评价说明96第十四章 附表附件98主要经济指标一览表98建设投资估算表99建设期利息估算表100固定资产投资估算表101流动资金估算表102总投资及构成一览表103项目投资计划与资金筹措一览表104营业收入、税金及附加和增值税估算表105综合总成本费用估算表105固定资产折旧费估算表106无形资产和其他资产摊销估算表107利润及利润分配表108项目投资现金流量表109借款还
5、本付息计划表110建筑工程投资一览表111项目实施进度计划一览表112主要设备购置一览表113能耗分析一览表113报告说明xxx有限公司主要由xx(集团)有限公司和xx集团有限公司共同出资成立。其中:xx(集团)有限公司出资582.00万元,占xxx有限公司60%股份;xx集团有限公司出资388万元,占xxx有限公司40%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资13375.99万元,其中:建设投资10613.25万元,占项目总投资的79.35%;建设期利息104.23万元,占项目总投资的0.78%;流动资金2658.51万元,占项目总投资的19.88%。项目正常运营每年营业收入28300.00万元,
6、综合总成本费用21822.70万元,净利润4742.60万元,财务内部收益率27.83%,财务净现值7974.52万元,全部投资回收期4.96年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue,砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用;硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年,但其主要应用于小于4GHz的低频率领域;碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势,有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件,因此成为4G/5G移动通讯系统
7、、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长,氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测,至2025年,功率在3W以上的射频器件市场中,砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下,氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额,占据射频器件市场约50%的份额。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 拟成立公司基本信息一、
8、公司名称xxx有限公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本970万元三、 注册地址渭南xxx四、 主要经营范围经营范围:从事碳化硅衬底相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xxx有限公司主要由xx(集团)有限公司和xx集团有限公司发起成立。(一)xx(集团)有限公司基本情况1、公司简介本公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念,将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本,在服务社会、
9、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要,是我们不懈的追求”的企业观念,面对经济发展步入快车道的良好机遇,正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司注重发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用,建立了工会组织,并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度,进一步规范厂务公开的内容、程序、形式,企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展,以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心,坚持战略导向、问题导向和需求导向,持续深化教育培训改革,精准实施培训,努力实现员工成长与公司发展的良性互动。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月
10、2018年12月资产总额5673.374538.704255.03负债总额2637.552110.041978.16股东权益合计3035.822428.662276.87公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入15108.4812086.7811331.36营业利润3056.542445.232292.40利润总额2650.582120.461987.93净利润1987.931550.591431.31归属于母公司所有者的净利润1987.931550.591431.31(二)xx集团有限公司基本情况1、公司简介公司在发展中始终坚持以创新为源动力,不断投入巨资引入先
11、进研发设备,更新思想观念,依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势,不断加大新产品的研发力度,以实现公司的永续经营和品牌发展。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态,公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索,提升企业综合实力,配合产业供给侧结构改革。同时,公司注重履行社会责任所带来的发展机遇,积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来,公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额5673.374538.704255.03负债总额2637.552110.04197
12、8.16股东权益合计3035.822428.662276.87公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入15108.4812086.7811331.36营业利润3056.542445.232292.40利润总额2650.582120.461987.93净利润1987.931550.591431.31归属于母公司所有者的净利润1987.931550.591431.31六、 项目概况(一)投资路径xxx有限公司主要从事关于成立碳化硅衬底公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比,虽然碳化硅基器件价格仍然较高
13、,但是由于其优越的性能及价格持续走低,其综合成本优势逐渐显现,客户认可度持续提高。2020年生产总值达到1866.27亿元,年均增长5.0%;市级重点项目累计完成投资4845.2亿元,全社会固定资产投资年均增长7.2%;社会消费品零售总额累计完成3145.7亿元,年均增长6.4%;地方财政收入结构趋优向好,累计完成392.22亿元;城镇居民人均可支配收入35304元、年均增长7.5%,农村居民人均可支配收入13741元、年均增长8.8%,收入比2.61,较“十二五”末收窄0.3,分配格局发生积极变化。实施市级重点项目1776个,建成或基本建成793个。(三)项目选址项目选址位于xx,占地面积约
14、34.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx吨碳化硅衬底的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积36541.11,其中:生产工程25831.33,仓储工程5038.06,行政办公及生活服务设施4247.50,公共工程1424.22。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资13375.99万元,其中:建设投资10613.25万元,占项目总投资的79.35%;建设期利息104.23万元,占项目总投资的0.78%;流动资金2658.51万元,占项目总投资的19.88%。(七)经济效益(正常
15、经营年份)1、营业收入(SP):28300.00万元。2、综合总成本费用(TC):21822.70万元。3、净利润(NP):4742.60万元。4、全部投资回收期(Pt):4.96年。5、财务内部收益率:27.83%。6、财务净现值:7974.52万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划12个月。(九)项目综合评价该项目的建设符合国家产业政策;同时项目的技术含量较高,其建设是必要的;该项目市场前景较好;该项目外部配套条件齐备,可以满足生产要求;财务分析表明,该项目具有一定盈利能力。综上,该项目建设条件具备,经济效益较好,其建设是可行的。第二章 项目建设背景、必要性一、 行业发展态势及面临的机遇
16、1、碳化硅市场需求旺盛,全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用,碳化硅器件市场需求迅速增长,全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给,满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求,各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展,产业链的景气程度有望持续向好,碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化
17、硅器件成本降低,行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比,虽然碳化硅基器件价格仍然较高,但是由于其优越的性能及价格持续走低,其综合成本优势逐渐显现,客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本:在衬底方面,通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等,共同推动碳化硅衬底成本的降低;在制造方面,随着市场的开启,各大器件供应商扩产制造,随着规模扩大和制造技术不断成熟,也带来制造成本的降低;在市场方面,主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定,供需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降,其
18、行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护,自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁,国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程,为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域,下游应用企业已在调整供应链,支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会,进入了多个关键厂商供应链,逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020
19、年8月,国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发,在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设;2021年3月,十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要,提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外,上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机,有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。二、 碳化硅材料产业链1、下游产业链情况以碳化硅材料为衬底的产业链主要包括碳化硅衬
20、底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场。在碳化硅衬底上,主要使用化学气相沉积法(CVD法)在衬底表面生成所需的薄膜材料,即形成外延片,进一步制成器件。(1)半绝缘型碳化硅衬底半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成氮化镓射频器件。(2)导电型碳化硅衬底导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上,需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片,并在外延层上制造各类功率器件。2、半绝缘型碳化硅衬底在射频器件上的应用(1)主要应
21、用情况及其优势射频器件在无线通讯中扮演信号转换的角色,是无线通信设备的基础性零部件,主要包括功率放大器、滤波器、开关、低噪声放大器、双工器等。半绝缘型碳化硅衬底制备的氮化镓射频器件主要为面向通信基站以及雷达应用的功率放大器。目前主流的射频器件有砷化镓、硅基LDMOS、碳化硅基氮化镓等不同类型。根据AnalogDialogue,砷化镓器件已在功率放大器上得到广泛应用;硅基LDMOS器件也已在通讯领域应用多年,但其主要应用于小于4GHz的低频率领域;碳化硅基氮化镓射频器件具有良好的导热性能、高频率、高功率等优势,有望开启其广泛应用。氮化镓射频器件是迄今为止最为理想的微波射频器件,因此成为4G/5G
22、移动通讯系统、新一代有源相控阵雷达等系统的核心微波射频器件。氮化镓射频器件正在取代LDMOS在通信宏基站、雷达及其他宽带领域的应用。随着信息技术产业对数据流量、更高工作频率和带宽等需求的不断增长,氮化镓器件在基站中应用越来越广泛。根据Yole预测,至2025年,功率在3W以上的射频器件市场中,砷化镓器件市场份额基本维持不变的情况下,氮化镓射频器件有望替代大部分硅基LDMOS份额,占据射频器件市场约50%的份额。目前,氮化镓射频器件主要基于碳化硅、硅等异质衬底外延材料制备的,并在未来一段时期也是主要选择。相比较硅基氮化镓,碳化硅基氮化镓外延主要优势在其材料缺陷和位错密度低。碳化硅基氮化镓材料外延
23、生长技术相对成熟,且碳化硅衬底导热性好,适合于大功率应用,同时衬底电阻率高降低了射频损耗,因此碳化硅基氮化镓射频器件成为目前市场的主流。根据Yole报告,90%左右的氮化镓射频器件采用碳化硅衬底制备。(2)主要应用领域的发展情况碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域,以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面,5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点,要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件,以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能,成为
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