榆林碳化硅衬底项目建议书范文.docx
《榆林碳化硅衬底项目建议书范文.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《榆林碳化硅衬底项目建议书范文.docx(126页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/榆林碳化硅衬底项目建议书榆林碳化硅衬底项目建议书xxx有限责任公司目录第一章 项目背景及必要性8一、 半导体材料行业概述8二、 面临的挑战8三、 碳化硅半导体行业的战略意义10四、 促进区域协调发展11第二章 总论12一、 项目名称及项目单位12二、 项目建设地点12三、 可行性研究范围12四、 编制依据和技术原则12五、 建设背景、规模14六、 项目建设进度14七、 环境影响14八、 建设投资估算15九、 项目主要技术经济指标15主要经济指标一览表16十、 主要结论及建议17第三章 行业、市场分析18一、 碳化硅衬底类型18二、 宽禁带半导体材料简介18第四章 项目承办单位基本情况
2、21一、 公司基本信息21二、 公司简介21三、 公司竞争优势22四、 公司主要财务数据24公司合并资产负债表主要数据24公司合并利润表主要数据25五、 核心人员介绍25六、 经营宗旨27七、 公司发展规划27第五章 项目选址方案34一、 项目选址原则34二、 建设区基本情况34三、 推进县城和重点镇建设37四、 狠抓项目促投资37五、 项目选址综合评价38第六章 产品方案分析39一、 建设规模及主要建设内容39二、 产品规划方案及生产纲领39产品规划方案一览表39第七章 运营模式分析41一、 公司经营宗旨41二、 公司的目标、主要职责41三、 各部门职责及权限42四、 财务会计制度45第八章
3、 SWOT分析49一、 优势分析(S)49二、 劣势分析(W)51三、 机会分析(O)51四、 威胁分析(T)53第九章 节能可行性分析58一、 项目节能概述58二、 能源消费种类和数量分析59能耗分析一览表60三、 项目节能措施60四、 节能综合评价62第十章 组织机构管理63一、 人力资源配置63劳动定员一览表63二、 员工技能培训63第十一章 原辅材料成品管理65一、 项目建设期原辅材料供应情况65二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理65第十二章 工艺技术及设备选型66一、 企业技术研发分析66二、 项目技术工艺分析69三、 质量管理70四、 设备选型方案71主要设备购置一览表72第十
4、三章 劳动安全73一、 编制依据73二、 防范措施74三、 预期效果评价77第十四章 项目投资分析78一、 投资估算的编制说明78二、 建设投资估算78建设投资估算表80三、 建设期利息80建设期利息估算表81四、 流动资金82流动资金估算表82五、 项目总投资83总投资及构成一览表83六、 资金筹措与投资计划84项目投资计划与资金筹措一览表85第十五章 经济效益分析87一、 基本假设及基础参数选取87二、 经济评价财务测算87营业收入、税金及附加和增值税估算表87综合总成本费用估算表89利润及利润分配表91三、 项目盈利能力分析92项目投资现金流量表93四、 财务生存能力分析95五、 偿债能
5、力分析95借款还本付息计划表96六、 经济评价结论97第十六章 招投标方案98一、 项目招标依据98二、 项目招标范围98三、 招标要求99四、 招标组织方式99五、 招标信息发布101第十七章 风险评估分析102一、 项目风险分析102二、 项目风险对策104第十八章 总结说明107第十九章 附表附录109主要经济指标一览表109建设投资估算表110建设期利息估算表111固定资产投资估算表112流动资金估算表113总投资及构成一览表114项目投资计划与资金筹措一览表115营业收入、税金及附加和增值税估算表116综合总成本费用估算表116固定资产折旧费估算表117无形资产和其他资产摊销估算表1
6、18利润及利润分配表119项目投资现金流量表120借款还本付息计划表121建筑工程投资一览表122项目实施进度计划一览表123主要设备购置一览表124能耗分析一览表124第一章 项目背景及必要性一、 半导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体。半导体可以分为四类产品,分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心,是信息产业的基石,亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的
7、战略性、基础性和先导性产业,具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节,半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性行业。二、 面临的挑战1、碳化硅衬底制备成本高由于晶体生长速率慢、制备技术难度较大,大尺寸、高品质碳化硅衬底生产成本依旧较高,碳化硅衬底较低的供应量和较高的价格一直是制约碳化硅基器件大规模应用的主要因素之一,限制了产品在下游行业的应用和推广。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟,衬底和器件的价格呈一定下降趋势,但是目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件,下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与碳化
8、硅器件优越性能带来的综合成本下降间的关系,短期内一定程度上限制了碳化硅器件在功率器件领域的渗透率,使得碳化硅材料即使在部分相对优势领域的大规模应用仍存较大挑战。2、国内的高端技术和人才的缺乏半导体材料行业属于典型技术密集型行业,对于技术人员的知识背景、研发能力及操作经验积累均有较高要求,国内在高端技术和人才方面与国外龙头企业尚存在差距。缩小技术差距,需要靠国内企业和研究机构持续投入研发,完成前期技术积累工作。国际巨头科锐公司成立于1987年,于1993年在美国纳斯达克上市,贰陆公司成立于1971年,于1987年在美国纳斯达克上市,相比于国际巨头具有数十年的研发和产业化经验,中国由于研发起步较晚
9、,业内人才和技术水平仍然较为缺乏,在一定程度上制约了行业的快速发展。3、通过外延收购方式进行发展的难度较大宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术和产品禁运和封锁。宽禁带半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信设备、激光武器、“航天级”固态探测器、耐超高辐射装置等军事装备中的核心组件,因而受到国际上瓦森纳协定的出口管制,并且对外收购相关企业也会受到西方发达国家的严格审查。国内行业通过外延式收购的方式进行发展的难度较大。三、 碳化硅半导体行业的战略意义碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料,以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点,具有开关速度快、效率高的优势,可大幅降低
10、产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前,碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域,在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。同时,我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域,随着国家“新基建”战略的实施,碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此,以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段,相比硅和砷化镓等半导体而言,在宽禁带半导体领域我国和国际
11、巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外,由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度,下游制造环节对设备的要求相对较低,投资额相对较小,制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此,我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破,将有望在半导体行业实现换道超车。四、 促进区域协调发展高质量完成市县两级国土空间规划编制,设立市域协调发展专项资金,建立跨区域生态补偿、要素调配、差别化考核机制。加快榆横一体化,稳步推进佳县撤县设区、靖边和绥德撤县设市,支持定边、绥德开展省级县域经济发展试点,支持南部县区发展“飞地经济”。推进区域重大基础设施建设,建成靖边、神木通用机场,力
12、争府谷、定边民用机场开工;加快佳米高速、大锦高速、清汾高速、G338府谷过境线、G20子洲县城段南迁等项目前期工作,建成靖边县城东过境等国省干道;加快黄河东线引水、蒋家窑则水库、王圪堵水库靖边供水工程建设,推进西线引黄充水管网提升改造,确保“绥米子”三县供水工程4月底通水到户。第二章 总论一、 项目名称及项目单位项目名称:榆林碳化硅衬底项目项目单位:xxx有限责任公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx(以最终选址方案为准),占地面积约77.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围本报告对项目建设的背
13、景及概况、市场需求预测和建设的必要性、建设条件、工程技术方案、项目的组织管理和劳动定员、项目实施计划、环境保护与消防安全、项目招投标方案、投资估算与资金筹措、效益评价等方面进行综合研究和分析,为有关部门对工程项目决策和建设提供可靠和准确的依据。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、国家经济和社会发展的长期规划,部门与地区规划,经济建设的指导方针、任务、产业政策、投资政策和技术经济政策以及国家和地方法规等;2、经过批准的项目建议书和在项目建议书批准后签订的意向性协议等;3、当地的拟建厂址的自然、经济、社会等基础资料;4、有关国家、地区和行业的工程技术、经济方面的法令、法规、标准定额资料等;5
14、、由国家颁布的建设项目可行性研究及经济评价的有关规定;6、相关市场调研报告等。(二)技术原则为实现产业高质量发展的目标,报告确定按如下原则编制:1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路:资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术,在保证产品质量的同时,力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。五、 建设背景、规模(一)项目背景导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上,需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅
15、外延片,并在外延层上制造各类功率器件。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积51333.00(折合约77.00亩),预计场区规划总建筑面积78004.12。其中:生产工程51278.78,仓储工程11171.09,行政办公及生活服务设施12244.29,公共工程3309.96。项目建成后,形成年产xx吨碳化硅衬底的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx有限责任公司将项目工程的建设周期确定为24个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本期项目采用国内领先技术,把可能产生污染的各环节控制在生产工
16、艺过程中,使外排的“三废”量达到最低限度,项目投产后不会给当地环境造成新污染。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资28421.24万元,其中:建设投资22145.37万元,占项目总投资的77.92%;建设期利息479.87万元,占项目总投资的1.69%;流动资金5796.00万元,占项目总投资的20.39%。(二)建设投资构成本期项目建设投资22145.37万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用19128.93万元,工程建设其他费用2302.60万元,预备费713.84万元。九、 项目主要
17、技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入52300.00万元,综合总成本费用45555.26万元,纳税总额3598.76万元,净利润4900.63万元,财务内部收益率9.37%,财务净现值-1716.18万元,全部投资回收期7.64年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积51333.00约77.00亩1.1总建筑面积78004.121.2基底面积31826.461.3投资强度万元/亩282.962总投资万元28421.242.1建设投资万元22145.372.1.1工程费用万元19128.932.1.2其他费用万元2302.6
18、02.1.3预备费万元713.842.2建设期利息万元479.872.3流动资金万元5796.003资金筹措万元28421.243.1自筹资金万元18628.053.2银行贷款万元9793.194营业收入万元52300.00正常运营年份5总成本费用万元45555.266利润总额万元6534.187净利润万元4900.638所得税万元1633.559增值税万元1754.6510税金及附加万元210.5611纳税总额万元3598.7612工业增加值万元12984.5113盈亏平衡点万元27049.13产值14回收期年7.6415内部收益率9.37%所得税后16财务净现值万元-1716.18所得税后
19、十、 主要结论及建议本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。第三章 行业、市场分析一、 碳化硅衬底类型衬底电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣,为使材料能满足不同芯片的功能要求,需要制备电学性能不同的碳化硅衬底。按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为两类:根据工信部发布的重点新材料首批次应用示范指导目录(2019年版),一类是具有高电阻率(电阻率105cm)的半绝缘型碳化硅衬底,另一类是低电阻率(电阻率区间为1530mcm)的导电型碳化硅衬底。二、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包
20、括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于光电子和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关
21、键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业:新材料(第三代半导体材料),与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:耐高压:击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大
22、地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化。实现高频的性能:碳化硅的饱和电子漂移速率大,是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密
23、度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用:在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器;在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域;氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。第四章 项目承办单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称:xxx有限责任公司2、法定代表人:余xx3、
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 榆林 碳化硅 衬底 项目 建议书 范文
限制150内