柳州关于成立碳化硅衬底公司可行性报告(参考范文).docx
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1、泓域咨询/柳州关于成立碳化硅衬底公司可行性报告柳州关于成立碳化硅衬底公司可行性报告xx投资管理公司目录第一章 拟成立公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况13第二章 行业发展分析16一、 行业发展态势及面临的机遇16二、 半导体材料行业概述18三、 宽禁带半导体材料简介18第三章 项目背景及必要性22一、 碳化硅衬底类型22二、 碳化硅材料产业链22三、 碳化硅半导体行业的战略意义28四、 强化科技创新支撑29
2、五、 项目实施的必要性29第四章 公司成立方案30一、 公司经营宗旨30二、 公司的目标、主要职责30三、 公司组建方式31四、 公司管理体制31五、 部门职责及权限32六、 核心人员介绍36七、 财务会计制度37第五章 法人治理结构44一、 股东权利及义务44二、 董事46三、 高级管理人员51四、 监事53第六章 发展规划56一、 公司发展规划56二、 保障措施62第七章 风险防范65一、 项目风险分析65二、 公司竞争劣势70第八章 选址方案71一、 项目选址原则71二、 建设区基本情况71三、 加强园区基础设施建设74四、 项目选址综合评价75第九章 环保分析76一、 编制依据76二、
3、 环境影响合理性分析77三、 建设期大气环境影响分析77四、 建设期水环境影响分析79五、 建设期固体废弃物环境影响分析79六、 建设期声环境影响分析80七、 建设期生态环境影响分析80八、 清洁生产81九、 环境管理分析83十、 环境影响结论84十一、 环境影响建议85第十章 项目经济效益86一、 基本假设及基础参数选取86二、 经济评价财务测算86营业收入、税金及附加和增值税估算表86综合总成本费用估算表88利润及利润分配表90三、 项目盈利能力分析91项目投资现金流量表92四、 财务生存能力分析94五、 偿债能力分析94借款还本付息计划表95六、 经济评价结论96第十一章 投资计划97一
4、、 编制说明97二、 建设投资97建筑工程投资一览表98主要设备购置一览表99建设投资估算表100三、 建设期利息101建设期利息估算表101固定资产投资估算表102四、 流动资金103流动资金估算表104五、 项目总投资105总投资及构成一览表105六、 资金筹措与投资计划106项目投资计划与资金筹措一览表106第十二章 项目进度计划108一、 项目进度安排108项目实施进度计划一览表108二、 项目实施保障措施109第十三章 项目总结110第十四章 附表112主要经济指标一览表112建设投资估算表113建设期利息估算表114固定资产投资估算表115流动资金估算表116总投资及构成一览表11
5、7项目投资计划与资金筹措一览表118营业收入、税金及附加和增值税估算表119综合总成本费用估算表119固定资产折旧费估算表120无形资产和其他资产摊销估算表121利润及利润分配表122项目投资现金流量表123借款还本付息计划表124建筑工程投资一览表125项目实施进度计划一览表126主要设备购置一览表127能耗分析一览表127报告说明得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性,在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分,碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品,由于成本的原因,目前使用比例还相对较低,但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势,通过降低冷却等系统的整体成本找到了利基市场。
6、xx投资管理公司主要由xxx投资管理公司和xx有限责任公司共同出资成立。其中:xxx投资管理公司出资178.50万元,占xx投资管理公司15%股份;xx有限责任公司出资1012万元,占xx投资管理公司85%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资32092.67万元,其中:建设投资25748.14万元,占项目总投资的80.23%;建设期利息287.40万元,占项目总投资的0.90%;流动资金6057.13万元,占项目总投资的18.87%。项目正常运营每年营业收入62700.00万元,综合总成本费用51190.45万元,净利润8408.44万元,财务内部收益率19.04%,财务净现值8289.33万元
7、,全部投资回收期5.84年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。此项目建设条件良好,可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施,项目投资省、见效快;此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则,技术先进,成熟可靠,投产后可保证达到预定的设计目标。第一章 拟成立公司基本信息一、 公司名称xx投资管理公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本1190万元三、 注册地址柳州xxx四、 主要经营范围经营范围:从事碳化硅衬底相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业
8、政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xx投资管理公司主要由xxx投资管理公司和xx有限责任公司发起成立。(一)xxx投资管理公司基本情况1、公司简介经过多年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展的方针。公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则,加强规划引导,推动智慧集群建设,带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对
9、外合作交流,发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制,承担社会责任,营造和谐发展环境。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额14416.0911532.8710812.07负债总额4657.593726.073493.19股东权益合计9758.507806.807318.88公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入30263.3824210.7022697.53营业利润6333.415066.734750.06利润总额5562.584450.064171.93净利润417
10、1.933254.113003.79归属于母公司所有者的净利润4171.933254.113003.79(二)xx有限责任公司基本情况1、公司简介公司在发展中始终坚持以创新为源动力,不断投入巨资引入先进研发设备,更新思想观念,依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势,不断加大新产品的研发力度,以实现公司的永续经营和品牌发展。公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上,坚持优化结构,提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式,补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板,走绿色、协调和可持续发展道路,不断优化供给结构,提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色
11、、开放、共享的发展理念,以提质增效为中心,以提升创新能力为主线,降成本、补短板,推进供给侧结构性改革。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额14416.0911532.8710812.07负债总额4657.593726.073493.19股东权益合计9758.507806.807318.88公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入30263.3824210.7022697.53营业利润6333.415066.734750.06利润总额5562.584450.064171.93净利润4171.93325
12、4.113003.79归属于母公司所有者的净利润4171.933254.113003.79六、 项目概况(一)投资路径xx投资管理公司主要从事关于成立碳化硅衬底公司的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上,需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片,并在外延层上制造各类功率器件。在充分肯定成绩的同时,我们也清醒看到,进入新发展阶段,柳州发展还面临诸多困难和挑战,产业转型升级亟需加快,创新能力仍然不足,短期经济下行压力仍在加大,加强基本公共服务供给任务仍然较重,民生共建共享能力有
13、待提升,政府治理能力需不断强化,我们将进一步增强忧患意识,坚持问题导向,努力做好工作,加快推动柳州经济社会高质量发展。(三)项目选址项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约71.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx吨碳化硅衬底的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积86974.53,其中:生产工程59077.65,仓储工程13179.03,行政办公及生活服务设施7958.70,公共工程6759.15。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资32092.67万元,其中:建设
14、投资25748.14万元,占项目总投资的80.23%;建设期利息287.40万元,占项目总投资的0.90%;流动资金6057.13万元,占项目总投资的18.87%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):62700.00万元。2、综合总成本费用(TC):51190.45万元。3、净利润(NP):8408.44万元。4、全部投资回收期(Pt):5.84年。5、财务内部收益率:19.04%。6、财务净现值:8289.33万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划12个月。(九)项目综合评价该项目符合国家有关政策,建设有着较好的社会效益,建设单位为此做了大量工作,建议各有关部门给予大力支持
15、,使其早日建成发挥效益。第二章 行业发展分析一、 行业发展态势及面临的机遇1、碳化硅市场需求旺盛,全球迎来扩产潮随着碳化硅器件在5G通信、电动汽车、光伏新能源、轨道交通、智能电网等行业的应用,碳化硅器件市场需求迅速增长,全球碳化硅行业呈现产能供给不足的情况。为了保证衬底供给,满足以电动汽车为代表的客户未来的增长需求,各大厂商纷纷开始扩产。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。随着下游市场的超预期发展,产
16、业链的景气程度有望持续向好,碳化硅衬底产业也将直接受益于行业发展。2、碳化硅器件成本降低,行业应用的替代前景向好2019年是碳化硅产业快速发展的关键年份。与同类硅基产品相比,虽然碳化硅基器件价格仍然较高,但是由于其优越的性能及价格持续走低,其综合成本优势逐渐显现,客户认可度持续提高。行业正在通过多种措施降低碳化硅器件成本:在衬底方面,通过增大碳化硅衬底尺寸、升级制备技术、扩大衬底产能等,共同推动碳化硅衬底成本的降低;在制造方面,随着市场的开启,各大器件供应商扩产制造,随着规模扩大和制造技术不断成熟,也带来制造成本的降低;在市场方面,主要的产品供应商与大客户通过签订长期合作合同对市场进行锁定,供
17、需双方共同推进市场渗透并形成良性循环。未来碳化硅器件的价格有望持续下降,其行业应用将快速发展。3、国外对宽禁带半导体实行严格的技术保护,自主可控势在必行由于宽禁带半导体的军事用途使得国外对中国实行技术禁运和封锁,国内碳化硅产业的持续发展对核心技术国产自主化、实现供应链安全可控提出了迫切的需求。自主可控趋势加速了宽禁带半导体器件的国产化替代进程,为宽禁带半导体行业带来了发展新机遇。在宽禁带半导体领域,下游应用企业已在调整供应链,支持国内企业。数家国内宽禁带半导体企业的上中游产品陆续获得了下游用户验证机会,进入了多个关键厂商供应链,逐步开始了以销促产的良性发展。4、积极的宽禁带半导体产业政策近年来
18、从国家到地方相继制定了一系列产业政策来推动宽禁带半导体产业的发展。2020年8月,国务院印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策,提出聚焦高端芯片、集成电路装备等关键核心技术研发,在新一代半导体技术等领域推动各类创新平台建设;2021年3月,十三届全国人大四次会议通过的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要,提出要大力发展碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体产业。此外,上海、广东、湖南、山东等多省市均出台了相关政策支持碳化硅等半导体产业发展。我国宽禁带半导体行业迎来了前所未有的发展契机,有助于我国宽禁带半导体行业技术水平的提高和规模的快速发展。二、 半
19、导体材料行业概述半导体是指在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的材料。常见的半导体包括硅、锗等元素半导体及砷化镓、碳化硅、氮化镓等化合物半导体。半导体可以分为四类产品,分别是集成电路、光电子器件、分立器件和传感器。半导体是电子产品的核心,是信息产业的基石,亦被称为现代工业的“粮食”。半导体产品广泛应用于移动通信、计算机、电力电子、医疗电子、工业电子、军工航天等行业。半导体行业是现代经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业,具有技术难度高、投资规模大、产业链环节长、产品种类多、更新迭代快、下游应用广泛的特点。半导体制造产业链包含设计、制造和封装测试环节,半导体材料和设备属于芯片制造、封测的支撑性
20、行业。三、 宽禁带半导体材料简介常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料。从被研究和规模化应用的时间先后顺序来看,上述半导体材料被业内通俗地划分为三代。第一代半导体材料以硅和锗等元素半导体为代表,其典型应用是集成电路,主要应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中。硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料,90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的。第二代半导体材料是以砷化镓为代表,砷化镓材料的电子迁移率约是硅的6倍,具有直接带隙,故其器件相对硅基器件具有高频、高速的光电性能,因此被广泛应用于光电子
21、和微电子领域,是制作半导体发光二极管和通信器件的关键衬底材料。第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,与前两代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度大,具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,此外,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。值得注意的是,前述三代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。1、碳化硅根据中国战略性新兴产业:新材料(第三代半导体材料),与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:耐高压:击穿
22、电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗。耐高温:半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化。实现高频的性能:碳化硅的饱和电子漂移速率大,是硅的2倍,这决
23、定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。2、氮化镓氮化镓具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。氮化镓器件已有众多应用:在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器;在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事或者民用领域;氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。第三章 项目背景及必要性一、 碳化硅衬底类型衬底电学性
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