淮安碳化硅公司成立可行性报告【模板参考】.docx
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1、泓域咨询/淮安碳化硅公司成立可行性报告淮安碳化硅公司成立可行性报告xxx有限公司目录第一章 筹建公司基本信息9一、 公司名称9二、 注册资本9三、 注册地址9四、 主要经营范围9五、 主要股东9公司合并资产负债表主要数据10公司合并利润表主要数据10公司合并资产负债表主要数据12公司合并利润表主要数据12六、 项目概况12第二章 市场分析16一、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低16二、 碳化硅材料:全球加速扩产“跑马圈地”,关注稀缺的有效产能17三、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代20第三章 公司成立方案22一、 公司经营宗旨22二、 公司的目标、主要职
2、责22三、 公司组建方式23四、 公司管理体制23五、 部门职责及权限24六、 核心人员介绍28七、 财务会计制度30第四章 背景、必要性分析33一、 碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求,下游应用领域广泛33二、 光伏:SiC光伏逆变器性能提升显著,广泛应用未来可期34三、 超前布局谋划,培育经济增长新动能新空间35四、 项目实施的必要性36第五章 发展规划分析37一、 公司发展规划37二、 保障措施43第六章 法人治理结构45一、 股东权利及义务45二、 董事47三、 高级管理人员51四、 监事53第七章 风险风险及应对措施55一、 项目风险分析55二、 项目风险对策57第八章 项目环
3、境影响分析60一、 编制依据60二、 建设期大气环境影响分析61三、 建设期水环境影响分析63四、 建设期固体废弃物环境影响分析63五、 建设期声环境影响分析63六、 环境管理分析64七、 结论68八、 建议68第九章 项目选址方案70一、 项目选址原则70二、 建设区基本情况70三、 突出特色产业链建设,构建完善现代产业体系74四、 彰显绿色生态优势,加快建设美丽淮安76五、 项目选址综合评价78第十章 经济效益分析80一、 经济评价财务测算80营业收入、税金及附加和增值税估算表80综合总成本费用估算表81固定资产折旧费估算表82无形资产和其他资产摊销估算表83利润及利润分配表85二、 项目
4、盈利能力分析85项目投资现金流量表87三、 偿债能力分析88借款还本付息计划表89第十一章 进度计划方案91一、 项目进度安排91项目实施进度计划一览表91二、 项目实施保障措施92第十二章 投资估算及资金筹措93一、 投资估算的依据和说明93二、 建设投资估算94建设投资估算表98三、 建设期利息98建设期利息估算表98固定资产投资估算表100四、 流动资金100流动资金估算表101五、 项目总投资102总投资及构成一览表102六、 资金筹措与投资计划103项目投资计划与资金筹措一览表103第十三章 项目总结分析105第十四章 附表107主要经济指标一览表107建设投资估算表108建设期利息
5、估算表109固定资产投资估算表110流动资金估算表111总投资及构成一览表112项目投资计划与资金筹措一览表113营业收入、税金及附加和增值税估算表114综合总成本费用估算表114固定资产折旧费估算表115无形资产和其他资产摊销估算表116利润及利润分配表117项目投资现金流量表118借款还本付息计划表119建筑工程投资一览表120项目实施进度计划一览表121主要设备购置一览表122能耗分析一览表122报告说明OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管(IGBT、MOSFET等)是OBC中主要应用的功率器件,采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低
6、的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1)影响二极管损耗的指标包括正向导通压降(VF)、反向恢复电流(IR)、输入电容(QC)和开通关断速度等。相比于硅基SBD,SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计,使得反向恢复损耗极低,在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时,QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势,在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时,由于SiC材料的优势,SiC二极管的结温更高,其可在更高温度下保持正常工作状态,在高温环境下较硅
7、基二极管更有优势。此外,SiC二极管可实现更高频率及功率密度,从而提升系统整体效率。xxx有限公司主要由xx(集团)有限公司和xx投资管理公司共同出资成立。其中:xx(集团)有限公司出资462.00万元,占xxx有限公司70%股份;xx投资管理公司出资198万元,占xxx有限公司30%股份。根据谨慎财务估算,项目总投资41473.10万元,其中:建设投资34268.49万元,占项目总投资的82.63%;建设期利息451.52万元,占项目总投资的1.09%;流动资金6753.09万元,占项目总投资的16.28%。项目正常运营每年营业收入79300.00万元,综合总成本费用66429.41万元,净
8、利润9389.86万元,财务内部收益率17.06%,财务净现值9052.05万元,全部投资回收期6.04年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本项目生产线设备技术先进,即提高了产品质量,又增加了产品附加值,具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势,主要原材料从本地市场采购,保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述,项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义,本期项目的建设,是十分必要和可行的。第一章 筹建公司基本信息一、 公司名称xxx有限公司(以工商登记信息为准)二、 注册资本660万元三、 注册地址淮安xxx四、 主要经营范围
9、经营范围:从事碳化硅相关业务(企业依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)五、 主要股东xxx有限公司主要由xx(集团)有限公司和xx投资管理公司发起成立。(一)xx(集团)有限公司基本情况1、公司简介公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念,以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨,竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务,欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。公司全面推行“政府、市场、投资、消费、经营、企业”六位一体合作共赢的市场战略,以高度的社会责任积极响应政府城市发展号召,融入
10、各级城市的建设与发展,在商业模式思路上领先业界,对服务区域经济与社会发展做出了突出贡献。 2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额13909.5311127.6210432.15负债总额5772.034617.624329.02股东权益合计8137.506510.006103.13公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入57183.3145746.6542887.48营业利润13644.5510915.6410233.41利润总额11603.599282.878702.69净利润8702.696788.
11、106265.94归属于母公司所有者的净利润8702.696788.106265.94(二)xx投资管理公司基本情况1、公司简介公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。经过多年的发展,公司拥有雄厚的技术实力,丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系,综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发
12、。集团成立至今,始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进,以技术领先求发展的方针。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额13909.5311127.6210432.15负债总额5772.034617.624329.02股东权益合计8137.506510.006103.13公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入57183.3145746.6542887.48营业利润13644.5510915.6410233.41利润总额11603.599282.878702.69净利润8702.696788.1
13、06265.94归属于母公司所有者的净利润8702.696788.106265.94六、 项目概况(一)投资路径xxx有限公司主要从事碳化硅公司成立的投资建设与运营管理。(二)项目提出的理由碳化硅属于第三代半导体材料,具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点。碳化硅为第三代半导体材料典型代表,相较于硅材料等前两代半导体材料,其禁带宽度更大,在击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面有显著优势。基于这些优良特性,碳化硅衬底在使用极限性能上优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求。因此,碳化硅材料制备的射频器件及功率器件可广泛应
14、用于新能源汽车、光伏、5G通信等领域,是半导体材料领域中具备广阔前景的材料之一。(三)项目选址项目选址位于xxx,占地面积约74.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)生产规模项目建成后,形成年产xx吨碳化硅的生产能力。(五)建设规模项目建筑面积105787.36,其中:生产工程63244.25,仓储工程21230.60,行政办公及生活服务设施11923.31,公共工程9389.20。(六)项目投资根据谨慎财务估算,项目总投资41473.10万元,其中:建设投资34268.49万元,占项目总投资的82.63%;建设
15、期利息451.52万元,占项目总投资的1.09%;流动资金6753.09万元,占项目总投资的16.28%。(七)经济效益(正常经营年份)1、营业收入(SP):79300.00万元。2、综合总成本费用(TC):66429.41万元。3、净利润(NP):9389.86万元。4、全部投资回收期(Pt):6.04年。5、财务内部收益率:17.06%。6、财务净现值:9052.05万元。(八)项目进度规划项目建设期限规划12个月。(九)项目综合评价项目建设符合国家产业政策,具有前瞻性;项目产品技术及工艺成熟,达到大批量生产的条件,且项目产品性能优越,是推广型产品;项目产品采用了目前国内最先进的工艺技术方
16、案;项目设施对环境的影响经评价分析是可行的;根据项目财务评价分析,经济效益好,在财务方面是充分可行的。第二章 市场分析一、 OBC:SiC助力实现效率提升、轻量化及系统成本降低OBC典型电路结构由前级PFC电路和后级DC/DC输出电路两部分组成。二极管和开关管(IGBT、MOSFET等)是OBC中主要应用的功率器件,采用SiC替代可实现更低损耗、更小体积及更低的系统成本。OBC中采用SiC二极管整体损耗低且耐高温能力更强。OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到快恢复硅基二极管。1)影响二极管损耗的指标包括正向导通压降(VF)、反向恢复电流(IR)、输入电容(QC)和开通关断速
17、度等。相比于硅基SBD,SiCSBD的最大优势在于IR可以忽略不计,使得反向恢复损耗极低,在PFC电路使用SiCSBD可有效提升PFC电路效率。同时,QC、VF两个主要参数相比硅基二极管也具有优势,在后级输出电路中使用SiCSBD可以进一步提升输出整流的效率。同时,由于SiC材料的优势,SiC二极管的结温更高,其可在更高温度下保持正常工作状态,在高温环境下较硅基二极管更有优势。此外,SiC二极管可实现更高频率及功率密度,从而提升系统整体效率。全SiCMOSFET方案降低OBC系统尺寸、重量和成本,同时提高运行效率。根据Wolfspeed的研究,采用全SiCMOSFET方案的22kW双向OBC,
18、可较Si方案实现功率器件和栅极驱动数量都减少30%以上,且开关频率提高一倍以上,实现系统轻量化和整体运行效率提升。SiC系统在3kW/L的功率密度下可实现97%的峰值系统效率,而SiOBC仅可在2kW/L的功率密度下实现95%的效率。同时,进一步拆分成本,由于SiC器件的性能可减少DC/DC模块中所需大量的栅极驱动和磁性元件。因此,尽管相比单个Si基二极管和功率晶体管,SiC基功率器件的成本更高,但整体全SiC方案的OBC成本可节约15%左右。二、 碳化硅材料:全球加速扩产“跑马圈地”,关注稀缺的有效产能SiC衬底和外延技术壁垒较高,存在长晶速度慢、扩径难度高、杂质控制难度高等难点。目前行业处
19、于寡头垄断局面,Wolfspeed占据全球SiC材料超过60%市场份额(根据Yole)。2020年SiC材料市场规模5.92亿美元,2025年将达29.90亿美元,CAGR为38.2%。1)目前全球SiC材料处于跑马圈地阶段,海内外加速扩产,国内远期规划年产能超400万片/年,建议关注重复建设问题;2)虽然国内产能规划量很大,但是由于良率及衬底质量原因,国内有效产能仍然稀缺,尤其是导电型衬底,中长期行业能达到45%-50%毛利率,建议关注具备优质产能的龙头。碳化硅为第三代半导体材料,碳化硅器件较传统硅基器件可具备耐高压、低损耗和高频三大优势。碳化硅具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子
20、饱和漂移速率高等特点,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,广泛应用于新能源汽车、光伏、工控、射频通信等领域。SiCMOSFET较IGBT可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。此外,据Wolfspeed研究显示,相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减少至原来的1/10。在新能源汽车方面,基于上述性能优势,碳化硅可助力新能源汽车实现轻量化及降低损耗,增加续航里程,特斯拉、比亚迪等车企已率先开始应用SiC方案。全球碳化硅市场处于高速成长阶段,25年市场规模有望较20年翻5倍。2020年全球SiC器件市场规模达11.84亿美元,预计到2025年有望增长至
21、59.79亿美元,对应CAGR为38.2%。根据测算,在碳中和趋势下,受益于SiC在新能源汽车、光伏、风电、工控等领域的持续渗透,SiC功率器件市场规模有望从2020年的2.92亿美元增长至2025年的38.58亿美元,对应CAGR为67.6%;5G、国防驱动GaN-on-SiC射频器件加速渗透,逐步取代硅基LDMOS,SiC射频器件市场规模有望从2020年的8.92亿美元增长至2025年的21.21亿美元,对应CAGR为18.9%。下游SiC功率及射频器件高速增长的需求也将带动SiC材料市场规模快速成长,预计将由2020年的5.92亿美元增长至2025年的29.90亿美元,对应CAGR为38
22、.2%。碳化硅加速渗透的核心驱动力为新能源汽车。根据测算,2020年全球新能源汽车SiC器件及模块市场规模为2.7亿美元,预计到2025年达30.1亿美元,对应CAGR为62.3%,占全球碳化硅器件市场规模将达到50%。目前应用碳化硅的包括特斯拉、比亚迪中高端车型等,主要场景为主逆变器/OBC,预计至2025年SiC渗透率有望达38/43%,其主要驱动力为1)特斯拉、比亚迪、蔚来、小鹏等头部新能源车厂的“示范效应”;2)碳化硅器件价格下降后带来系统经济效益;3)800V架构有望成为重要催化剂,1200VSiC在高压下较IGBT性能优势更为明显。衬底和外延SiC为产业链核心环节,国内有效产能不足
23、致中短期供不应求态势。据CASAResearch数据显示,在传统硅基器件中,硅片前道处理附加价值量达到80%,衬底和外延环节仅占11%;而在碳化硅器件的成本构成中,衬底和外延占比分别为50%和25%,合计达到75%,为产业链中价值量最高环节。国内厂商国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头,但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距,此外积极进行衬底迭代,开始研发8英寸衬底。Wolfspeed、ROHM等海外龙头厂商加速扩产,国内厂商远期规划年产能超过420万片。但在另一方面,受衬底良率及质量等因素影响,国内实际产能尤其是导电型衬底或严重不足,中短期内全球SiC衬底市场仍将维持供不
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