模拟电子技术随堂练习.docx
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1、精品文档,仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除模拟电子技术 随堂练习第1章 常用半导体器件1. N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。 A.带负电 B.带正电 C.不带电参考答案:C2. 将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将( )。 A.变窄 B.变宽 C.不变参考答案:B3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而( )。 A.增大 B.不变 C.减小参考答案:C4. 电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sintV时,输出电压最大值为10V的电路是()。参考答案:C5. 电路如图所示,D1,D2均为理想二极管,设U1=10V,ui=40sintV,则输出电压
2、uO应为( )。 A.最大值为40V,最小值为0V B.最大值为40V,最小值为+10V C.最大值为10V,最小值为40V D.最大值为10V,最小值为0V参考答案:D6. 稳压管的动态电阻rZ是指()。A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值参考答案:B7. 在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是( )。 A.PNP管的集电极 B.PNP管的发射极 C.NPN管的发射极 D.NPN管的基极参考答案:B8. 已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为
3、( )。 A.NPN型锗管 B.PNP型锗管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管参考答案:A第2章基本放大电路1. 如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流( )。 A.反向 B.近似等于零 C.不变 D.增大参考答案:B2. 晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为( )。 A.发射结反偏,集电结正偏 B.发射结、集电结均反偏 C.发射结、集电结均正偏 D.发射结正偏、集电结反偏参考答案:C3. 晶体管的电流放大系数是指()。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数参考答案:B4. 低频小功率晶体管
4、的输入电阻rbe等于()。A. B. C.参考答案:B5. 某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在()。A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态参考答案:B6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为()。A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管参考答案:B7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压约为()。A.0V B.2V C.2V D.1V参考答案:C8. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS=10V,UGS=0V处的跨导gm约为()。A.1mA./V B.0
5、.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V参考答案:A9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是()。A.RL B.RB C.C1 D.C2参考答案:B10. 放大电路如图所示,由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是()。A.适当增加RB2,减小RB1 B.保持RB1不变,适当增加RB2C.适当增加RB1,减小RB2 D.保持RB2不变,适当减小RB1参考答案:C11. 图示电路,已知晶体管,忽略UBE,如要将集电极电流IC调整到1.5mA.,RB应取()。A.480kW B.120kW C.240kW D.360kW参考答案:A12.
6、电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形成开路,那么集电极电位UC应等于()。A.6V B.0V C.0.6V D.5.3V参考答案:A13. 某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示,欲使工作点移至Q需使()。A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小参考答案:C14. 单管放大电路如图所示,其交直流负载的正确画法是图2中的()。参考答案:A15. 对放大电路进行动态分析的主要任务是()。A.确定静态工作点Q B.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数和输入,输出电阻ri,r0。参考答案:C16. 某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1所示,其输入和输出电压
7、波形如图2所示,造成这种失真的原因是()。A.管子的值太小 B.电路电源电压太高C.偏置电阻太小 D.偏置电阻太大参考答案:C17. 如图所示的放大电路()。A.不能稳定静态工作点。B.能稳定静态工作点,但比无二极管D的电路效果要差。C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好参考答案:C18. 与共射单管放大电路相比,射极输出器电路的特点是( )。 A.输入电阻高,输出电阻低 B.输入电阻低,输出电阻高 C.输入,输出电阻都很高 D.输入,输出电阻都很低参考答案:A19. 27场效应管放大电路如下图所示,该电路的电压放大倍数()。A.小于但近似等于1 B.约几十倍 C.为参考答案:A20
8、. 某两级阻容耦合共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为50倍,则该电路总电压放大倍数为( )。 A.5000倍 B.2500倍 C.150倍 D. 1000倍参考答案:B21. 两级阻容耦合放大电路中,第一级的输出电阻是第二级的( )。 A.输入电阻 B.信号源内阻 C.负载电阻参考答案:B22. 两级阻容耦合放大电路中,若改变第一级静态基极电流IB1,则()。A.第二级的基极电流随之而改变B.第二级的静态值(,)均不改变C.第二级的静态电流不改变,但要改变参考答案:B23. 直流放大器中的级间耦合通常采用(
9、 ) A.阻容耦合 (b)变压器耦合 (c)直接耦合 (d)电感抽头耦合参考答案:C第3章 多级放大电路1. 差分放大电路的作用是( ) A.放大差模信号,抑制共模信号 B.放大共模信号,抑制差模信号 C.放大差模信号和共模信号 D.差模信号和共模信号都不放大参考答案:A2. 集成运放输入级一般采用的电路是( )。 A.差分放大电路 (b)射极输出电路 (c)共基极电路 (d)电流串联负反馈电路参考答案:A3. 集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡,则表示集成运放的( )。 A.闭环放大倍数越大 (b)开环放大倍数越大 (c)抑制漂移的能力越强 (d)对放大倍数没有影响参考答案:
10、B4. 若集成运放的最大输出电压幅度为UOM,则在 情况下,集成运放的输出电压为UOM。 A.同相输入信号电压高于反相输入信号 B.同相输入信号电压高于反相输入信号,并引入负反馈 C.反相输入信号电压高于同相输入信号,并引入负反馈 D.反相输入信号电压高于同相输入信号,并开环 参考答案:D5. 第一空 电路的输入阻抗大, 第二空 电路的输入阻抗小。第一空选择为( ) A.反相比例 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分参考答案:B6. 第一空 电路的输入阻抗大, 第二空 电路的输入阻抗小。第二空选择为( ) A.反相比例 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分参考答案:A7. 在 第一空
11、电路中,电容接在集成运放的负反馈支路中,而在 第二空 电路中,电容接在输入端,负反馈元件是电阻。第一空选择为( ) A.反相比 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分参考答案:C8. 在 第一空 电路中,电容接在集成运放的负反馈支路中,而在 第二空 电路中,电容接在输入端,负反馈元件是电阻。第二空选择为( ) A.反相比 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分参考答案:D9. 某一理想运算放大器开环工作,其所接电源电压为,当输入对地电压时的输出电压为()。A.2U B.U C.+2U D.+U参考答案:D10. 理想运算放大器的共模抑制比为( )。 A.零 B.约120dB C.无穷大参考
12、答案:C11. 理想运算放大器的开环电压放大倍数是()。A.无穷大 B.零 C.约120dB参考答案:A12. 理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是( )。 A.无穷大 B.零 C.约几百千欧 D.约几十欧姆参考答案:A第4章 集成运算放大电路1. 电路如下图所示,R1、R2支路引入的反馈为()。A.串联电压负反馈 B.正反馈 C.并联电压负反馈参考答案:B2. 在运算放大器电路中,引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。 A.工作在线性区,降低稳定性 B.工作在非线性区,提高稳定性 C.工作在线性区,提高稳定性参考答案:C3. 放大电路如下图所示,当RF增加时,该电路的通频带()。A.变
13、宽 B.变窄 C.不变参考答案:B4. 比例运算电路如下图所示,同相端平衡电阻R应等于()。A.R1 B.R1+RF C.R1与RF并联参考答案:C第5章 放大电路的频率相应1. 比例运算电路如下图所示,该电路的输入电阻为( )。A.零 B.R1 C.无穷大参考答案:B2. 同相输入的运算放大器电路如下图所示,该电路的输入电阻为()。A.零 B.R C.无穷大参考答案:C第6章 放大电路中的反馈1. 场效应管放大电路如下图所示,该电路的输入电阻应等于()。A.无穷大 B. C.参考答案:C2. 共源场效应管放大电路中,若将源极旁路电容去掉,则该电路的电压放大倍数将()。A.增大 B.减小 C.
14、不变参考答案:B3. 场效应管放大电路如下图所示,耦合电容约几十微法,则的取值通常()。A.大于 B.等于 C.比小得多,约0.010.047参考答案:C4. 场效应管放大电路如下图所示,该电路的电压放大倍数等于()。A. B. C.参考答案:A第7章 信号的运算和处理1. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(第一空 ),而低频作用时放大倍数数值下降的原因是(第二空 )。第一空选择为:( ) A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管级间电容和分布电容的存在 C. 半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适参考答案:B2. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因
15、是(第一空 ),而低频作用时放大倍数数值下降的原因是(第二空 )。第二空选择为:( ) A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管级间电容和分布电容的存在 C. 半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适参考答案:A3. 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是( )。 A. 输入电压幅值不变,改变频率 B. 输入电压频率不变,改变幅值 C. 输入电压的幅值与频率同时变化 D. 输入电压频率随机改变参考答案:A4. 交流负反馈是指( )。 A. 阻容耦合放大电路中所引入得负反馈 B. 只有放大交流信号时才有的负反馈 C. 在交流通路中的负反馈 D. 在直流通
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