CMOS集成电路的特点.doc

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1、CMOS集成电路的特点 l 功耗低CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗（在1MHz工作频率时）也仅为几mW。l 工作电压范围宽CMOS集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产CC4000系列的集成电路，可在318V电压下正常工作。l 逻辑摆幅大CMOS集成电路的逻辑高电平“1”、逻辑低电平“0”分别接近于电源高电位VDD及电影低电位VSS。当VDD=15V，VSS=0V时，输出逻辑摆幅近

2、似15V。因此，CMOS集成电路的电压电压利用系数在各类集成电路中指标是较高的。l 抗干扰能力强CMOS集成电路的电压噪声容限的典型值为电源电压的45%，保证值为电源电压的30%。随着电源电压的增加，噪声容限电压的绝对值将成比例增加。对于VDD=15V的供电电压（当VSS=0V时），电路将有7V左右的噪声容限。l 输入阻抗高CMOS集成电路的输入端一般都是由保护二极管和串联电阻构成的保护网络，故比一般场效应管的输入电阻稍小，但在正常工作电压范围内，这些保护二极管均处于反向偏置状态，直流输入阻抗取决于这些二极管的泄露电流，通常情况下，等效输入阻抗高达1031011，因此CMOS集成电路几乎不消耗

3、驱动电路的功率。l 温度稳定性能好由于CMOS集成电路的功耗很低，内部发热量少，而且，CMOS电路线路结构和电气参数都具有对称性，在温度环境发生变化时，某些参数能起到自动补偿作用，因而CMOS集成电路的温度特性非常好。一般陶瓷金属封装的电路，工作温度为-55 +125；塑料封装的电路工作温度范围为-45 +85。l 扇出能力强扇出能力是用电路输出端所能带动的输入端数来表示的。由于CMOS集成电路的输入阻抗极高，因此电路的输出能力受输入电容的限制，但是，当CMOS集成电路用来驱动同类型，如不考虑速度，一般可以驱动50个以上的输入端。l 抗辐射能力强CMOS集成电路中的基本器件是MOS晶体管，属于

4、多数载流子导电器件。各种射线、辐射对其导电性能的影响都有限，因而特别适用于制作航天及核实验设备。l 可控性好CMOS集成电路输出波形的上升和下降时间可以控制，其输出的上升和下降时间的典型值为电路传输延迟时间的125%140%。l 接口方便因为CMOS集成电路的输入阻抗高和输出摆幅大，所以易于被其他电路所驱动，也容易驱动其他类型的电路或器件。2路 件特件点的类驱也驱路被易所幅输抗路集 方方% % 间延电型间下升输制可降升形输成集性控备设及作用特，都的能对辐种件器载多管 是本的电集力射 端输以 驱般速考型动用成 当是限电受能路电高阻路集 由示数输带端出用力力 围温路装塑 + -度，电属陶般非度路集 因，补自数某变发环性有数参构路 ，且热内很功路集能能度率率电耗几成 因 高入，情，泄的这于入直状偏处极保些范作正但阻输的般比，的阻联和保是般输成 抗阻限容右左路电0 当电 对增将值电容，增源。0压电保%压源型限噪电路力能抗的较指电成各用电的成 此。似摆逻时 电低 电源近别平低”平辑的集幅辑作常压电在成列0 产。不基体电供简电 围围工 几仅率作 在耗 0仅典路电。静有尚 流在由际。论功静电状管另管于总效联个工，互且管采成耗耗