新型结晶反应釜毕业设计论文.doc
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1、目 录摘要1Abstract2第1章 绪论31.1 研究背景与意义31.2 课题研究进展41.2.1工业结晶技术41.2.2 结晶操作分类及过程动力学41.2.3 结晶釜的结构型式81.2.4 CFD理论及其应用进展111.3 课题的研究重点16第2章 流场模拟与结晶釜尺寸优化172.1 设备操作原理及其结构172.2 釜内流场模拟与计算172.2.1 CFD计算模型182.2.2 模拟求解流程192.2.3 模拟用参数条件202.2.4 计算网格模型212.3 模拟结果与分析232.3.1 模拟计算结果232.3.2 优化后的器内流场考察26第3章 结论28参考文献29致谢33摘 要结晶作为
2、一种传统的分离操作,已被广泛应用于工业生产,许多的工业产品都是以晶体形态存在或是由结晶法分离制得。针对一种工业上有着良好应用前景的新型结晶反应釜,为优化釜内的流动流场,进而提升操作的晶体产品收率,基于现代计算流体力学(Computational fluid dynamics,简称CFD)理论及相应的商用计算软件,结合均匀设计的试验安排方法,对设备的料液进、出口等尺寸进行了初步的优化设计。结果表明,就釜主体圆筒直径为150 mm、主体圆筒高度为60 mm的结晶釜而言,当其锥形釜底的高度设计为40 mm,以及进料口、出料口和抽真空管的管径分别设计为18 mm、24 mm和22 mm时,设备的生产操
3、作效果将达到最佳。关键词:结晶釜,流场模拟,均匀设计、尺寸优化AbstractCrystallization as a traditional separation operation has been widely used in industrial production, many industrial products are crystal forms existed or made by separating of crystallization method.According to an industry has a good application prospect of n
4、ew crystallization to optimize the kettle reaction kettle, the flow field of flow field and to increase the operation of crystal products, based on the modern yield Computational fluid dynamics (CFD Computational fluid dynamics, referred to and the corresponding theory, combined with the commercial
5、calculation software uniform design method, the trial is scheduled for equipment import and export liquid materials such as size conducts a preliminary optimization design. Results show that the main cylinder diameters, kettle for 150 mm, subject to 60 mm cylinder highly concerned, when the crystall
6、ization axe cone-shaped kettle heights designed for the 40 mm, and feeding port, discharging the mouth and the diameter of smoke vacuum tubes are designed respectively for 18 mm, 24 mm and 22 mm, equipment production operation effect will reach the best.Keywords: Crystallizer; Flow field simulation;
7、 Uniform design; Size optimization第1章 绪论第1.1节 研究背景与意义结晶是指从溶液、蒸气或熔融物中析出固态晶体的分离过程,结晶工艺是化工过程中的一个重要操作单元,也是完成化工产品生产的重要环节。结晶是一种高效低能耗、低污染的制造与分离技术,近年来受到国际工业界及科学界的格外重视。作为跨学科的分离与生产技术,对于它的理论分析和工业技术与设备的开发取得了许多引人瞩目的进展。近年来工业结晶技术的推广,新领域的开发以及应用理论的研究,在国际上异常活跃。国际结晶发展的新动向是用熔融结晶提取高纯有机物质,由反应沉淀结晶制取生物化学物质 (包括医药)、超微粒子及功能晶体
8、。在国内, 随着石油化工、精细化工及生化、医药行业的发展,对工业结晶新技术提出了迫切的要求。国家科委、计委相继安排了一系列国家级的工业结晶攻关项目,并取得了系列成果。但和我国经济迅速发展的形势和需求相比,工业结晶新技术的开发与推广速度还急待提高。随着结晶应用范围的拓宽以及不同学科之间的广泛渗透,人们不再单纯满足于结晶产品的高纯度指标,同时对晶体的平均粒度(L)及其分布(CSD- Crystallization Size Distribution)、产品的变异系数(CV)甚至晶体的超分子结构等方面都提出相应的要求,涉及结晶热力学、动力学等相关领域的研究,其中结晶工业设备即结晶器的结构优化与设计亦
9、是研究关键之一。按操作方式的不同,结晶技术及设备可分为连续式、半连续式和间歇式三种。由于工业操作多为连续性的生产过程,故连续式结晶及工业设备在实际生产与理论研究中均占据十分重要的地位。研究表明,连续式结晶器操作时的传热与传质性能在很大程度上要取决于器内液相流的流动形态,即受制于结晶溶液的流体力学分布特性,而后者又与设备的结构尺寸存在密切联系,包括料液的进出口形状与尺寸。由于结晶操作是一个多相流的复杂过程,故设备内部的流场测定异常困难,从而导致了相应的工业设备设计尚停留于半经验半理论阶段,仍不能很好地满足精细结晶生产的需求,设备的效能远未能发挥最佳。近年来,随着计算机性能与技术的飞速发展,人们开
10、始采用高速计算机,结合先进的数值计算方法,对连续式结晶器内的实际运行状态加以模拟和仿真,从而为该类型的结晶设备的结构与尺寸优化提供了便利,已成为当前研究的热点之一。针对工业结晶器,可借助计算流体力学理论及相应的商业应用软件对其内的流场进行模拟,进而分析得出最佳的器体结构与尺寸,如此可大量节约研发成本,提高设计的效率。第1.2节 课题研究进展1.2.1 工业结晶技术工业结晶是一门古老而高效的化工分离技术,它不仅是制取固体化工产品的必经途径,同时也是分离复杂有机混合物、提取高纯或超纯有机化合物的特效技术之一,其应用范围早已从传统的无机盐生产、石油化工等领域成功地渗透至新兴的电化学、材料化学等行业中
11、。为适应这一变化,即满足新兴行业中特定的产品需求,人们对结晶技术提出了更高的期望和更苛刻的要求,即不再单纯满足于结晶操作的高纯度指标,同时对晶体产品的粒度及其分布(Crystallization Size Distribution,简称CSD)、颗粒的变异系数甚至超分子结构等均明确了相应要求,需涉及结晶动力学、热力学、晶体习性等方面的研究。与其他分离过程相比,工业结晶过程具有一系列优点。(1) 结晶过程的选择性较高,可获得高纯或超高纯(99.9%色谱纯)的晶体制品。(2) 与精馏过程相比,结晶过程的能耗较低,结晶热一般仅为精馏过程能耗的1/31/7。(3) 结晶过程特别适用于同分异构体、共沸或
12、热敏性物系的分离。(4) 结晶过程的操作温度一般较低,对设备的腐蚀及对环境的污染均较小。1.2.2 结晶操作分类及过程动力学1.2.2.1 结晶操作分类结晶是指从溶液、蒸气或熔融物中析出固态晶体的分离过程。结晶工艺是化工过程中的一个重要操作单元,也是完成化工产品生产的重要环节。对结晶工艺过程进行有效地控制,是制备高纯度、高品质功能晶体材料的关键,进而亦有利于促进材料加工等相关科学的进一步深入发展。工业上常用的结晶方法一般有溶液结晶、熔融结晶、升华结晶、沉淀结晶四大类。其中,溶液结晶作为一种历史悠久的结晶技术,不论在工业生产还是在理论研究中都占有相当重要的地位。依据产生过饱和度的方法不同,溶液结
13、晶又可细分为冷却结晶、蒸发浓缩结晶、真空绝热结晶和加压结晶等。冷却结晶因其独特和广泛的应用背景,历来都是结晶学界关注的焦点所在,通常也是研究其它结晶分离操作机理的重要突破口之一。溶液冷却结晶是依靠温度的降低使体系产生过饱和度,进而析出溶质的结晶操作技术。根据冷却方式的不同,溶液冷却结晶可分为直接冷却结晶和间接换热冷却结晶。其中,间接冷却结晶对于操作条件的要求不是很高,其工艺流程比较简单,是溶液结晶中应用较为广泛的一种,也是研究结晶机理时经常采用的一种方式。为适应工业生产的需要,溶液冷却结晶又有连续结晶和间歇结晶之分,对应的结晶器分别称为连续结晶器和间歇结晶器。相对而言,间歇结晶操作具有操作简单
14、、受外界环境影响小、参数重现性好等优点,通常是结晶研究的关注重点。溶液冷却结晶作为溶液分离的一种工业技术,常以晶体的纯度、形状以及粒径分布(Crystallization Size Distribution, CSD)宽度等作为产品的评价指标。而这些指标的提高无不以结晶过程机理的研究为基础,只有通过对结晶过程及其机理的深入研究,掌握不同因素对结晶过程的影响,才能合理地改造工艺操作条件,达到生产指定的要求。1.2.2.2 溶液结晶动力学溶质从溶液中的结晶析出一般要经历晶核形成和晶体生长两个步骤。晶核形成是指在过饱和溶液中生成一定数量的结晶微粒即晶核;而在晶核的基础上成长为晶体,称为晶体生长。结晶
15、动力学所研究的对象即为晶核形成与晶体生长的普遍规律,主要包括成核动力学与生长动力学两个基本组成部分。其中,依据不同的成核机理,成核动力学又可细分为初级成核和二次成核两大类,分别对应着工业生产中未添加晶种和添加晶种的结晶操作。(1)初级成核 与溶液中存在的其它悬浮晶粒无关的新核形成过程,称为初级成核。初级成核通常有两种不同的起因。若纯净溶液本身存有较高的过饱和度,则因溶质分子、原子或离子间的相互碰撞而成核,称为均相成核;若过饱和溶液因受到一些外界因素(固体杂质颗粒、容器界面的粗糙度、电磁场、超声波、紫外线等)的干扰而成核,则称为非均相成核。非均相成核时,由于外界因素的干扰作用降低了体系的成核壁垒
16、,因而成核所需的过饱和度水平一般要低于均相成核,这对于部分体系的工业结晶分离将十分有利。由于均相成核仅发生于较纯净的过饱和溶液中,且不能有任何大的外界干扰,故实际生产中很难满足这样的条件。事实上,对于大多数物系的工业结晶过程,晶核的形成一般并不经历均相成核。迄今为止,有关均相和非均相成核的过程机理,理论研究均还不尽充分,通常的做法是将它们的成核速率直接与溶液的过饱和度相关联,即(1-1)或(1-2)式中,BP为初级成核速率;kP、kP、a和均为初级成核动力学参数;C和S分别为液相过饱和度和相对过饱和度。由于初级成核通常是爆发式进行的,故又习惯称为爆发成核。生产中,因爆发成核的成核速率一般难以控
17、制,易引起产品CSD指标的较大波动,故除了超细粒子制造等少数行业外,多数结晶过程中均应尽量避免爆发成核现象的发生。(2)二次成核 二次成核是由于晶种的诱发作用而引起的成核过程,所需的过饱和度水平一般要低于初级成核。对于溶解度较大的物质的结晶过程,二次成核通常起着非常重要的作用。有关二次成核的过程机理,目前尚无统一的认识。近年来研究表明,流体剪应力成核与接触成核以及枝状晶体的自发消失均极大地影响着体系的二次成核,乃二次成核的主要作用机理。正是由于二次成核机理的复杂性,亦导致了其数学描述的多样性。通常认为,二次成核速率与晶浆(结晶器中析出的晶体与剩余溶液所构成的混合物)中的晶体悬浮密度密切相关,故
18、相应的表达式多可写为(1-3)或(1-4)式中,B0为二次成核速率;MT为晶体悬浮密度,即单位体积晶浆中所包含的晶体体积;kb、kb、m、n、p和q均为二次成核动力学参数,其中当体系中存有大量晶体时,p和q值可近似视为零。二次成核是绝大多数工业结晶过程的主要成核方式,其速率大小在很大程度上决定着最终产品的CSD等指标。(3)晶体生长 晶体生长及其过程机理是结晶动力学研究的又一项重要内容。按照生长二步学说,晶体生长需要经历两个步骤:第一步是溶质由溶液主体向晶体表面的转移扩散过程;第二步是溶质由晶体表面嵌入晶面的表面反应过程,该过程又对应有三种不同的表面反应模式,即连续成长模型、生长传递模型和螺旋
19、错位生长(BCF)模型。研究表明,转移扩散和表面反应这两个步骤均有可能成为晶体生长的控制步骤。一般情况下,当溶液的过饱和度较高及比功率输入较低时,晶体的生长过程多属扩散控制,反之则多属表面反应控制过程。光滑晶体的表面是一个二维平面结构,新的溶质分子首先在这些表面上迁移,以找到有利于自身沉积的位置。溶质分子可能的沉积位置如图1-1所示,在位置A处,溶质分子只能与晶体的一个表面进行结合;而台阶位置B和扭折位置C则可分别为溶质分子提供两个和三个可供结合的表面,即更有利于晶体的生长。表面吸附、表面扩散及晶A-平面B-台阶C-扭折图1-1 溶质分子在晶体表面的结合位置体的表面位置决定了溶质分子是沉积于晶
20、体表面还是重新溶解于溶液主体。晶体生长的过程机理十分复杂,对于不同的结晶操作,影响其生长速率的因素也各不相同。就多数结晶体系而言,晶体的线性生长速率可近似看作与其自身的粒度大小无关,即满足McCabe提出的L定律。符合McCabes L定律的结晶体系,其晶体的线性生长速率与体系的过饱和度一般可简单关联为幂指数的方程表达式,即(1-5)或(1-6)式中,G为晶体线性生长速率;kg、kg、g和l均为晶体生长动力学参数。由于晶体的生长速率直接影响着结晶产品的平均粒度大小,故对于多数工业结晶过程,宜推荐采用促进晶体生长的结晶策略,同时配之以成核速率的控制,即抑制爆发成核、维持适量二次成核,以提高与改善
21、晶体产品的平均粒度和相应的CSD指标。此外,在实际生产过程中,即使维持结晶器内的操作条件良好恒定,也并不能使得所有晶体都以相同或恒定的速率生长,这种现象称为生长速率分散。生长速率分散易导致产品较宽的CSD分布,故需引起注意。此外,近一个世纪以来,有关晶体生长的机理尚还提出了多种理论。晶体生长主要是研究溶质的溶解、生长基元的形成、晶体基元被运输到界面上以及生长基元在界面上叠合等有关的问题。a)完整光滑面理论模型 这种模型首先是由Kossel于1927年提出来的,后来由Stranski和Kaischew等加以发展。设有一块生长着的晶体,结晶基元向上粘附时,在不同部位具有不同的引力,即结晶时在不同类
22、型部位释放的能量(主要是动能)各处是不等的。母相中结晶基元首先粘附在三面凹角的台阶扭折处,完成一条行列,再粘附在两面凹角的台阶处,继续完成相邻行列,直到结晶基元布满整个面网。此后新的结晶基元只有粘附在平滑面上,而一旦平滑面上粘附一个结晶基元后就又出现三面凹角和二面凹角,在生长过程中不断反复而使晶体继续生长。事实上从液相中结晶形成晶体时,并不是一个一个结晶基元在晶体上粘附生长的,而是一个一个胚芽,甚至一个一个晶核或集团向晶体上粘附生长的,即晶体阶梯状生长学说。这个学说认为每次向晶体上粘附的结晶物质可厚达数十微米,有时甚至更厚,是数万个甚至几十万个分子层。粘附分子层的厚度决定于母体结晶物质的浓度。
23、b)非完整光滑面理论模型 非完整光滑面理论模型又称为Frank模型,或称为螺旋位错模型,后来又发展成Burton,Cabera和Frank理论,简称BCF理论。Frank考虑到晶体结构的不完整性,认为晶体生长界面上的螺旋位错露头点可作为晶体生长台阶源,晶体将围绕螺旋位错露头点旋转生长。而螺旋式的台阶源将不随着原子面网一层一层地铺设而消失,而是螺旋式的连续生长过程。这样便可成功地解释晶体在很低的过饱和度下就能够生长的实验现象。近些年来的实验观察结果表明,除了螺型位错外,刃型位错、层错以及孪晶等都能成为生长台阶源。c)粗糙界面理论模型 粗糙界面模型是Jackson于1958年提出来的,通常又称为双
24、层界面模型。该模型只考虑晶体表层与界面层两层间的相互作用,假设的条件如下:界面层内所包含的全部晶相与流体相原子都位于晶格座位上,将晶体生长体系中各原子划分为晶相原子和流体相原子。这种模型的理论基础是在恒温恒压条件下,在界面层内的流体相原子转变为晶相原子所引起的界面层中Gibbs自由能的变化。对具有粗糙面正在生长着的晶体来说,在粗糙面各处吸附结晶基元的势能大致相等。主要特点是粗糙面连续生长过程,无需像光滑面那样长满一层面网后再长另一层面网。因为粗糙界面本身就有无穷多个台阶源,构造缺陷将不起明显作用。大多数金属材料熔体的结晶就是典型的粗糙面生长。d)PBC理论模型 从晶体的结晶形态入手,Hartm
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