汽车电工电子基础-项目五ppt课件.ppt
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1、 空穴空穴硼原子硼原子 多余多余电子电子磷原子磷原子在常温下即可变在常温下即可变为自由电子为自由电子失去一个电失去一个电子变为正离子变为正离子子 杂质半导体的示意表示法杂质半导体的示意表示法P P型半导体型半导体+N N型半导体型半导体 P型半导体中的空穴多于自由电子,N型半导体中的自由电子多于空穴,这样自由电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散,即多子因浓度差而形成扩散运动。1.PN结的形成+空穴空穴自由电子自由电子负离子负离子正离子正离子自由电子自由电子空穴空穴内电场内电场内电场的存在有助于P区的自由电子(少子)进入N区,N区的空穴(少子)进去P区,这种少子在内电场作用下的定向移动
2、称为少子的漂移运动。漂移使得空间电荷去变窄,内电场削弱,多子的扩撒运动得以增强。在一定温度下,两种运动保持平衡,空间电荷区相对稳定,形成PN结。+空穴空穴自由电子自由电子负离子负离子正离子正离子自由电子自由电子空穴空穴内电场内电场PN 结变窄结变窄 P接正、接正、N接负接负 外电场外电场IF内电场内电场PN+1.PN结的单向导电性+ 内电场被加内电场被加强,少子的漂强,少子的漂移加强,由于移加强,由于少子数量很少,少子数量很少,形成很小的反形成很小的反向电流。向电流。IR+负极负极正极正极符号符号VDPN正极正极负极负极外壳外壳PN结结二极管的结构示意图二极管的结构示意图负极引线负极引线正极引
3、线正极引线二氧化硅保护层二氧化硅保护层P型硅型硅N型硅型硅( c ) 平面型平面型金属触丝金属触丝正极引线正极引线N型锗片型锗片负极引线负极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅正极引线正极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座负极引线负极引线( b ) 面接触型面接触型反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+n总结:n二极管具有单向导电性,二极管只允许电流从管的“+”极流向管子的“”极,而不允许电流从“”极流向“+”极。它的单向导电性可以用水流和阀门的比喻来理解。n二极管的伏安特性具有非线性。n二极管的伏安特性与温度有关。图6-12 晶
4、体二极管的单向导电性比喻(a)水流顶开阀门 (b)水流压紧阀门PN正极正极负极负极外壳外壳PN结结二极管的结构示意图二极管的结构示意图二极管的检测二极管的检测用万用表判断二极管的极性和好坏(a) 测正向电阻 (b) 测反向电阻1用模拟式万用表检测二极管的单向导电性2用模拟式万用表检测二极管的好坏若测得的二极管的正向电阻小,反向电阻大,且两者相差很大,说明管子是好的。3用模拟式万用表判断二极管的极性二极管在汽车上的应用二极管在汽车上的应用 二极管在汽车电子电路中的应用较广,可以实现整流、限幅、开关等作用。整流:将交流电转化为直流。例5.11.半波整流2.全波整流。 内,内,VD1、VD5导通,导
5、通,U1V1间电压加到负载上。间电压加到负载上。内,内,VD1、VD6导通,导通,U1W1间电压加到负载上。间电压加到负载上。内,内,VD2、VD4导通,导通,V1U1间电压加到负载上。间电压加到负载上。内,内,VD2、VD6导通,导通,V1W1间电压加到负载上。间电压加到负载上。 图5.11 光电二极管的符号图5.12日照强度传感器的结构和等效电路如图5.12 是汽车自动空调系统中使用的日照强度传感器的结构和等效电路 永久磁铁是浮子永久磁铁是浮子舌簧管是静止的舌簧管是静止的UIOUZIZIZM UZ IZZZ ZIUr 当蓄电池电压上升时,稳压管的当蓄电池电压上升时,稳压管的反向电压略有增大
6、,根据反向击穿特性可知,其反向电流反向电压略有增大,根据反向击穿特性可知,其反向电流大大增加。这将引起限流电阻的电流和电压增加,若电阻大大增加。这将引起限流电阻的电流和电压增加,若电阻选择合适,则其电压的增量将抵消掉蓄电池电压的增量,选择合适,则其电压的增量将抵消掉蓄电池电压的增量,使仪表上的电压基本不变。相反,当蓄电池电压减小时,使仪表上的电压基本不变。相反,当蓄电池电压减小时,限流电阻上的电压减小,保证了仪表上的电压基本不变。限流电阻上的电压减小,保证了仪表上的电压基本不变。 NNPBECBECIBIEICBECIBIEIC集电区:集电区:面积最大面积最大ICUBBmA ARBIBUCC+
7、mAIERP 即管子各电极电压与电流的关系曲线,反映了晶体管的性即管子各电极电压与电流的关系曲线,反映了晶体管的性能,是分析放大电路的依据。能,是分析放大电路的依据。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线ICUBBmA AVUCEUBERBIBUCCV+输入回路输入回路输出回路输出回路共共发发射射极极电电路路常数常数 CE)(BEBUUfIIB( A)UBE(V)204060800.40.8UCE 1VO36IC(mA )1234UCE(V)912O放大区放大区常数常数 B)(CECIUfI40 A60 A80 A100 AIB=020 AO深度
8、饱和时,深度饱和时, 硅管硅管UCES 0.3V, 锗管锗管UCES 0.1V。方法方法 (1) V7 . 06 . 0BE U硅管:硅管:V3 . 02 . 0BE U锗管:锗管:例,根据图示判断元件的状态例,根据图示判断元件的状态 (a) (b)(c)ICBO A+EC AICEOIB=0+ICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区ICUCEO根据三极管型号的命名方法确定。根据三极管型号的命名方法确定。9011、9013、9014、9016、9018 为为NPN硅管硅管9012、9015 为为PNP硅管硅管第一部分第一部分第二部分第二部分第三部分第三部分第四部分第四部分第五部分第五部分用阿
9、拉伯数用阿拉伯数字表示器件字表示器件的电极数目的电极数目用汉语拼音字母表示用汉语拼音字母表示器件的材料和极性器件的材料和极性用汉语拼音字母用汉语拼音字母表示器件的类别表示器件的类别用阿拉伯用阿拉伯数字表示数字表示序号序号 用汉语拼用汉语拼音字母表音字母表示规格号示规格号符符号号意义意义符符号号意义意义符符号号意义意义3三极管三极管ABCDEPNP型锗材料型锗材料NPN型锗材料型锗材料PNP型硅材料型硅材料NPN型硅材料型硅材料化合物化合物XGDATUKGS低频小功率管低频小功率管高频小功率管高频小功率管低频大功率管低频大功率管高频大功率管高频大功率管晶闸管晶闸管光电管光电管开关管开关管场效应管
10、场效应管如:如:130 如:如:B管脚向上,它们组成半圆位于上部,按顺时管脚向上,它们组成半圆位于上部,按顺时针方向依次为针方向依次为ebc。 头在上,平面向自己,左起头在上,平面向自己,左起ebc。 电极靠近孔,左起电极靠近孔,左起ecb 。其中。其中c是金属是金属外壳。外壳。无光照无光照光照增强光照增强 dvSft 热敏电阻热敏电阻是半导体元件,它是是半导体元件,它是将锰、镍将锰、镍、钴、铜和钛等金属氧化物按一定比例、钴、铜和钛等金属氧化物按一定比例混合后压制成型,在高温(混合后压制成型,在高温(1000oC左右左右)下烧结而成的)下烧结而成的。其外形有片状、圆柱。其外形有片状、圆柱状等多
11、种。状等多种。热敏电阻的主要特性热敏电阻的主要特性是热敏性是热敏性即阻值即阻值随温度的变化而变化。随温度的变化而变化。热敏电阻热敏电阻有负温度系数型有负温度系数型(NTC)、)、正温度系数型正温度系数型(PTC)和临界温度系数型和临界温度系数型(CTR)三种三种类型类型。 热敏电阻热敏电阻具有体积小、灵敏度高等特具有体积小、灵敏度高等特点,因此被点,因此被广泛广泛应用应用在温度测量和温度在温度测量和温度控制上。控制上。 +UCCRBRCC1C2VT+RLui+uo+uBE+uCEiCiBiE uo = 0uBEtOiBtOiCtOuCEtOUBEIBICUCE无输入信号无输入信号(ui = 0
12、)时时:ICUCEOIBUBEO静态工作点对应的各静态工作点对应的各直流电流和电压也称为静态值。直流电流和电压也称为静态值。QIBUBEQUCEIC+UCCRBRCC1C2VT+RLui+uo+uBE+uCEiCiBiEUBEIB uCE = UCC iC RC ICuBEtOiCtOuCEtOuitOUCEuotOiBtO有输入信号有输入信号(ui 0)时时:UBEIBICuBEtOiCtOuCEtOuitOUCEuotOiBtO iou UUAioiouUUuuA ioiIIA ioioiIIiiA iuiiooiopAAIUIUPPA iiiiiiiIUiuIUr LooooRUUUr
13、oU oU输出电阻是描述放大电路带负载能力的一项技术指标。输出电阻是描述放大电路带负载能力的一项技术指标。通通常放大电路的输出电阻越小越好常放大电路的输出电阻越小越好。 LoLooRrRUU 放大电路的失真有很多种,由线性电抗元件储能作用引起的失真称为线性失真,而由放大器件的非线性特性引起的失真为非线性失真。共射放大电路的结构特点是信号的输入和输出回路都以发射极为公共端。前面介绍的基本放大电路就是共射极放大电路,该电路的输入信号由基极对发射极输入,输出信号由集电极对发射极的输出。共射极放大电路常用于电压信号的放大,有较高的电压放大倍数,但是由于其输入电阻低而输出电阻较高,所以只在对输入和输出电
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