扬州碳化硅衬底设备项目商业计划书模板范文.docx
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1、泓域咨询/扬州碳化硅衬底设备项目商业计划书扬州碳化硅衬底设备项目商业计划书xxx(集团)有限公司目录第一章 项目基本情况9一、 项目定位及建设理由9二、 项目名称及建设性质9三、 项目承办单位9四、 项目建设选址11五、 项目生产规模11六、 建筑物建设规模11七、 项目总投资及资金构成11八、 资金筹措方案12九、 项目预期经济效益规划目标12十、 项目建设进度规划13十一、 项目综合评价13主要经济指标一览表13第二章 项目背景、必要性16一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期16二、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒17三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量
2、占比46%18四、 打造自主创新能够扎根的特色产业创新高地19五、 塑造开放发展新优势21六、 项目实施的必要性24第三章 项目建设单位说明26一、 公司基本信息26二、 公司简介26三、 公司竞争优势27四、 公司主要财务数据29公司合并资产负债表主要数据29公司合并利润表主要数据29五、 核心人员介绍30六、 经营宗旨31七、 公司发展规划32第四章 市场分析38一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越38二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期39第五章 运营模式分析42一、 公司经营宗旨42二、 公司的目标、主要职责42三、 各部门职责及权限43四、 财务
3、会计制度46第六章 SWOT分析说明54一、 优势分析(S)54二、 劣势分析(W)56三、 机会分析(O)56四、 威胁分析(T)57第七章 法人治理63一、 股东权利及义务63二、 董事70三、 高级管理人员75四、 监事78第八章 发展规划分析80一、 公司发展规划80二、 保障措施86第九章 创新发展88一、 企业技术研发分析88二、 项目技术工艺分析90三、 质量管理92四、 创新发展总结93第十章 建设内容与产品方案94一、 建设规模及主要建设内容94二、 产品规划方案及生产纲领94产品规划方案一览表94第十一章 风险防范97一、 项目风险分析97二、 项目风险对策99第十二章 项
4、目实施进度计划101一、 项目进度安排101项目实施进度计划一览表101二、 项目实施保障措施102第十三章 建筑技术分析103一、 项目工程设计总体要求103二、 建设方案105三、 建筑工程建设指标106建筑工程投资一览表106第十四章 项目投资分析108一、 投资估算的依据和说明108二、 建设投资估算109建设投资估算表111三、 建设期利息111建设期利息估算表111四、 流动资金113流动资金估算表113五、 总投资114总投资及构成一览表114六、 资金筹措与投资计划115项目投资计划与资金筹措一览表116第十五章 经济效益分析117一、 基本假设及基础参数选取117二、 经济评
5、价财务测算117营业收入、税金及附加和增值税估算表117综合总成本费用估算表119利润及利润分配表121三、 项目盈利能力分析121项目投资现金流量表123四、 财务生存能力分析124五、 偿债能力分析125借款还本付息计划表126六、 经济评价结论126第十六章 总结128第十七章 附表附录129主要经济指标一览表129建设投资估算表130建设期利息估算表131固定资产投资估算表132流动资金估算表133总投资及构成一览表134项目投资计划与资金筹措一览表135营业收入、税金及附加和增值税估算表136综合总成本费用估算表136固定资产折旧费估算表137无形资产和其他资产摊销估算表138利润及
6、利润分配表139项目投资现金流量表140借款还本付息计划表141建筑工程投资一览表142项目实施进度计划一览表143主要设备购置一览表144能耗分析一览表144报告说明据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。根据谨慎财务估算,项目总投资34281.49万元,其中:建设投资28210.62万元,占项目总投资的82.29%;建设期利息622.56万元,占项目总投资的1.82%;流动资
7、金5448.31万元,占项目总投资的15.89%。项目正常运营每年营业收入64200.00万元,综合总成本费用49566.40万元,净利润10720.19万元,财务内部收益率23.82%,财务净现值17019.08万元,全部投资回收期5.61年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。综上所述,该项目属于国家鼓励支持的项目,项目的经济和社会效益客观,项目的投产将改善优化当地产业结构,实现高质量发展的目标。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。
8、第一章 项目基本情况一、 项目定位及建设理由半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于
9、600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。二、 项目名称及建设性质(一)项目名称扬州碳化硅衬底设备项目(二)项目建设性质本项目属于技术改造项目三、 项目承办单位(一)项目承办单位名称xxx(集团)有限公司(二)项目联系人蒋xx(三)项目建设单位概况公司在发展中始终坚持以创新为源动力,不断投入巨资引入先进研发设备,更新思想观念,依托优秀的人才、完善的信息、现代科技技术等优势,不断加大新产品的研发力度,以实现公司的永续经营和品牌发展。公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念,倡导“诚信尊重”的企业情怀;坚持“品质营造未来,细节决定成败”为质量方针;以“真诚服
10、务赢得市场,以优质品质谋求发展”的营销思路;以科学发展观纵观全局,争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 公司以负责任的方式为消费者提供符合法律规定与标准要求的产品。在提供产品的过程中,综合考虑其对消费者的影响,确保产品安全。积极与消费者沟通,向消费者公开产品安全风险评估结果,努力维护消费者合法权益。公司加大科技创新力度,持续推进产品升级,为行业提供先进适用的解决方案,为社会提供安全、可靠、优质的产品和服务。面对宏观经济增速放缓、结构调整的新常态,公司在企业法人治理机构、企业文化、质量管理体系等方面着力探索,提升企业综合实力,配合产业供给侧结构改革。同时,公司注重履行社会责任所带来的
11、发展机遇,积极践行“责任、人本、和谐、感恩”的核心价值观。多年来,公司一直坚持坚持以诚信经营来赢得信任。四、 项目建设选址本期项目选址位于xx园区,占地面积约82.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。五、 项目生产规模项目建成后,形成年产xx套碳化硅设备的生产能力。六、 建筑物建设规模本期项目建筑面积87770.43,其中:生产工程61202.57,仓储工程8994.26,行政办公及生活服务设施9883.49,公共工程7690.11。七、 项目总投资及资金构成(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利
12、息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资34281.49万元,其中:建设投资28210.62万元,占项目总投资的82.29%;建设期利息622.56万元,占项目总投资的1.82%;流动资金5448.31万元,占项目总投资的15.89%。(二)建设投资构成本期项目建设投资28210.62万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用24200.31万元,工程建设其他费用3266.28万元,预备费744.03万元。八、 资金筹措方案本期项目总投资34281.49万元,其中申请银行长期贷款12705.33万元,其余部分由企业自筹。九、 项目预期经济效益规划目标(一)经济效益目标值(正
13、常经营年份)1、营业收入(SP):64200.00万元。2、综合总成本费用(TC):49566.40万元。3、净利润(NP):10720.19万元。(二)经济效益评价目标1、全部投资回收期(Pt):5.61年。2、财务内部收益率:23.82%。3、财务净现值:17019.08万元。十、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设,本期项目建设期限规划24个月。十一、 项目综合评价由上可见,无论是从产品还是市场来看,本项目设备较先进,其产品技术含量较高、企业利润率高、市场销售良好、盈利能力强,具有良好的社会效益及一定的抗风险能力,因而项目是可行的。主要经济指标一
14、览表序号项目单位指标备注1占地面积54667.00约82.00亩1.1总建筑面积87770.431.2基底面积30613.521.3投资强度万元/亩327.962总投资万元34281.492.1建设投资万元28210.622.1.1工程费用万元24200.312.1.2其他费用万元3266.282.1.3预备费万元744.032.2建设期利息万元622.562.3流动资金万元5448.313资金筹措万元34281.493.1自筹资金万元21576.163.2银行贷款万元12705.334营业收入万元64200.00正常运营年份5总成本费用万元49566.406利润总额万元14293.597净利
15、润万元10720.198所得税万元3573.409增值税万元2833.4710税金及附加万元340.0111纳税总额万元6746.8812工业增加值万元22756.2113盈亏平衡点万元21197.86产值14回收期年5.6115内部收益率23.82%所得税后16财务净现值万元17019.08所得税后第二章 项目背景、必要性一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅
16、单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早
17、,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户
18、工业级为主)。二、 SiC衬底设备:与传统晶硅差异较小,工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括:长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高,设备+工艺合作研发是关键。长晶炉:主要由衬底制造厂商自研开发,可基本实现国产化(与传统晶硅级长晶炉有相同性,炉子结构不是非常复杂),市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT(物理气相传输)的技术路线,温度很高,不可实施监控,难点不在设备本身,而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样,也是各家的核心机密所在,只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括:
19、Wolfspeed,Aymont,Aixtron,LHT,中国电科二所,山东天岳,天科合达,中科院硅酸盐所,中国电科四十六所等。切片机:碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似,但因为碳化硅属于硬质材料(莫氏硬度达9.5,除金刚石以外世界上第二硬的材料),切割难度非常大,切一刀可能需几百个小时,对系统设备的稳定性很高,国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备(金刚石多线切割机)占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备:和传统硅机台基本类似,主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括:日本不二越
20、、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型Si
21、C衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。四、 打造自主创新能够扎根的特色产业创新高地深入实施创新驱动战略,强化产业创新发展,更大力度推动
22、人才优先发展,探索开展适应性创新,加快建设产业创新发展新空间、新平台、新载体,畅通技术成果转移转化路径,打造能够扎根的区域特色产业创新高地。(一)建设专业化和功能化科创载体布局高能级重大科创载体。以服务国家重大战略需求为导向,围绕扬州“323+1”先进制造业集群建设,持续深化与中航、中船、上汽、清华大学、中科院等央企国企、大学大院大所的合作,更大力度招引和培育一批国家重点实验室、国内一流科研院所,承接一批国家重大战略项目和重大科技专项,努力实现“国字号”重点实验室、大型科学装置等重大科创资源集聚的新突破。(二)促进区域协同创新发展积极融入区域创新空间。立足长三角“大三角”和宁镇扬“小三角”,充
23、分发挥扬州资源禀赋优势,围绕重点产业发展和重大创新需求,加快构建区域协同创新体系,为产业科创名城建设蓄积发展势能。加强与长三角区域中心城市科技交流合作,主动承接大城市科技成果转化、创新资源转移。(三)支持工业企业技术改造更大力度推进工业企业技术改造。突出企业创新主体地位,鼓励工业企业通过技术改造推动创新发展。(四)推进多层次创新创业加快吸引创新人才(团队)创新创业。聚焦“323+1”先进制造业集群和百强企业,升级出台2.0版人才政策体系,制定个性化、特色化、系统化人才政策,重点引进一批具有国际视野和战略眼光、研究成果具有重要国际影响、能快速抢占产业制高点的顶尖人才(团队),鼓励企业招引一批发展
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