杭州碳化硅衬底项目商业计划书【范文参考】.docx

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1、泓域咨询/杭州碳化硅衬底项目商业计划书杭州碳化硅衬底项目商业计划书xxx集团有限公司目录第一章 总论9一、 项目提出的理由9二、 项目概述9三、 项目总投资及资金构成13四、 资金筹措方案13五、 项目预期经济效益规划目标13六、 项目建设进度规划14七、 研究结论14八、 主要经济指标一览表14主要经济指标一览表14第二章 项目建设背景及必要性分析17一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期17二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越18三、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%20四、 优化市域统筹，推进协调发展的全域城区化21五、 强化科技自立自强，打造面向世界

2、的创新策源地25第三章 行业、市场分析30一、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临30二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期31三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心33第四章 项目承办单位基本情况36一、 公司基本信息36二、 公司简介36三、 公司竞争优势37四、 公司主要财务数据38公司合并资产负债表主要数据38公司合并利润表主要数据39五、 核心人员介绍39六、 经营宗旨41七、 公司发展规划41第五章 法人治理43一、 股东权利及义务43二、 董事47三、 高级管理人员52四、 监事54第六章 创新驱动56一、 企业技术研发分析56二、 项目技

3、术工艺分析58三、 质量管理59四、 创新发展总结60第七章 发展规划分析62一、 公司发展规划62二、 保障措施63第八章 运营管理66一、 公司经营宗旨66二、 公司的目标、主要职责66三、 各部门职责及权限67四、 财务会计制度70第九章 SWOT分析说明78一、 优势分析（S）78二、 劣势分析（W）79三、 机会分析（O）80四、 威胁分析（T）80第十章 产品方案分析86一、 建设规模及主要建设内容86二、 产品规划方案及生产纲领86产品规划方案一览表86第十一章 建筑工程说明88一、 项目工程设计总体要求88二、 建设方案90三、 建筑工程建设指标93建筑工程投资一览表94第十二

4、章 进度计划方案96一、 项目进度安排96项目实施进度计划一览表96二、 项目实施保障措施97第十三章 风险评估分析98一、 项目风险分析98二、 项目风险对策100第十四章 投资估算及资金筹措103一、 投资估算的编制说明103二、 建设投资估算103建设投资估算表105三、 建设期利息105建设期利息估算表106四、 流动资金107流动资金估算表107五、 项目总投资108总投资及构成一览表108六、 资金筹措与投资计划109项目投资计划与资金筹措一览表110第十五章 项目经济效益分析112一、 基本假设及基础参数选取112二、 经济评价财务测算112营业收入、税金及附加和增值税估算表11

5、2综合总成本费用估算表114利润及利润分配表116三、 项目盈利能力分析117项目投资现金流量表118四、 财务生存能力分析120五、 偿债能力分析120借款还本付息计划表121六、 经济评价结论122第十六章 总结分析123第十七章 附表附件125主要经济指标一览表125建设投资估算表126建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表129总投资及构成一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131营业收入、税金及附加和增值税估算表132综合总成本费用估算表132利润及利润分配表133项目投资现金流量表134借款还本付息计划表136报告说明根据谨慎财务估算，项目总投资46228

6、.42万元，其中：建设投资37097.68万元，占项目总投资的80.25%；建设期利息428.07万元，占项目总投资的0.93%；流动资金8702.67万元，占项目总投资的18.83%。项目正常运营每年营业收入97400.00万元，综合总成本费用79102.31万元，净利润13357.66万元，财务内部收益率21.04%，财务净现值16452.56万元，全部投资回收期5.60年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，

7、以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发，以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效，产业化进程有望提速。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局，成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年，特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型，其逆变器总重量下降至4.8kg（较此前减少约84%），续航能力提升6%（逆变器和永磁电机组合的效率高达97%，此前为82%）。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件，小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC（随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降），低端车可

8、能会再随这之后。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 总论一、 项目提出的理由由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观

9、察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。二、 项目概述（一）项目基本情况1、项目名称：杭州碳化硅衬底项目2、承办单位名称：xxx集团有限公司3、项目性质：扩建4、项目建设地点：xxx5、项目联系人：钟xx（二）主办单位基本情况本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务

10、作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，人力资源结构进一步优化，人员素质进一步提升，安全生产意识和社会责任意识进一步增强，诚信经营水平进一步提高”，培育一批具有工匠精神的高素质企业员工，企业品牌影响力不断提升。公司注重

11、发挥员工民主管理、民主参与、民主监督的作用，建立了工会组织，并通过明确职工代表大会各项职权、组织制度、工作制度，进一步规范厂务公开的内容、程序、形式，企业民主管理水平进一步提升。围绕公司战略和高质量发展，以提高全员思想政治素质、业务素质和履职能力为核心，坚持战略导向、问题导向和需求导向，持续深化教育培训改革，精准实施培训，努力实现员工成长与公司发展的良性互动。（三）项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx，占地面积约91.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。锚定二三五年远景目标，坚持问题导向、守正创新、争先创优有机

12、统一，今后五年经济社会发展要努力实现以下主要目标：综合实力走在前列。经济持续健康较快发展，现代化经济体系建设取得重大进展，增长潜力充分发挥，创新能力明显提升，力争全市生产总值突破2.3万亿元、人均生产总值突破18万元，研究与试验发展经费投入强度力争达到4%。数字变革走在前列。数字产业化、产业数字化、城市数字化深度融合，新基建、新消费、新制造、新电商、新健康、新治理全面推进，城市大脑更加智慧，数字社会建设深入推进，全市数字经济核心产业主营业务收入突破2万亿元、增加值突破7000亿元。城市治理走在前列。社会主义民主更加健全，各领域法治化水平全面提升，基层治理水平明显提高。平安建设体系更加完善，发展

13、安全保障更加有力，建成全国市域社会治理现代化标杆城市。行政效率和公信力显著提升，国际一流营商环境基本形成。文化建设走在前列。社会主义核心价值观深入人心，红船精神和浙江精神大力弘扬，历史文化名城建设持续推进，创新文化、都市文化充分彰显，2022年杭州亚运会、亚残运会成功举办，公共文化服务体系和文化产业体系更加健全，建成东方文化国际交流重要城市和国际文化创意中心。生态环境走在前列。绿水青山就是金山银山转化通道进一步拓宽，生态文明制度体系更加完备，生产生活方式全面绿色转型，西湖西溪一体化保护提升成效明显，千岛湖、新安江、富春江、钱塘江、苕溪、大运河等重要水系生态环境更加优美，“湿地水城”成为新时代杭

14、州的鲜明特色。生活品质走在前列。民生福祉达到新水平，居民人均可支配收入突破8.5万元，城乡居民收入倍差缩小至1.8以内；人民全生命周期需求普遍得到更高水平满足，全民受教育程度和健康水平不断提升，人均预期寿命达到83.88岁，常住人口城镇化率达到82%以上，公共服务更加优质均衡，建成人民的幸福城市。（四）产品规划方案根据项目建设规划，达产年产品规划设计方案为：xxx万片碳化硅衬底/年。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资46228.42万元，其中：建设投资37097.68万元，占项目总投资的80.25%；建设期利息428.07万

15、元，占项目总投资的0.93%；流动资金8702.67万元，占项目总投资的18.83%。四、 资金筹措方案（一）项目资本金筹措方案项目总投资46228.42万元，根据资金筹措方案，xxx集团有限公司计划自筹资金（资本金）28756.08万元。（二）申请银行借款方案根据谨慎财务测算，本期工程项目申请银行借款总额17472.34万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入（SP）：97400.00万元。2、年综合总成本费用（TC）：79102.31万元。3、项目达产年净利润（NP）：13357.66万元。4、财务内部收益率（FIRR）：21.04%。5、全部投资回收期（Pt）：5.

16、60年（含建设期12个月）。6、达产年盈亏平衡点（BEP）：41127.45万元（产值）。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 研究结论该项目的建设符合国家产业政策；同时项目的技术含量较高，其建设是必要的；该项目市场前景较好；该项目外部配套条件齐备，可以满足生产要求；财务分析表明，该项目具有一定盈利能力。综上，该项目建设条件具备，经济效益较好，其建设是可行的。八、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积60667.00约91.00亩1.1总建筑面积113745.781.2基底面积38220.211.3投

17、资强度万元/亩388.182总投资万元46228.422.1建设投资万元37097.682.1.1工程费用万元31257.992.1.2其他费用万元4663.872.1.3预备费万元1175.822.2建设期利息万元428.072.3流动资金万元8702.673资金筹措万元46228.423.1自筹资金万元28756.083.2银行贷款万元17472.344营业收入万元97400.00正常运营年份5总成本费用万元79102.316利润总额万元17810.217净利润万元13357.668所得税万元4452.559增值税万元4062.3410税金及附加万元487.4811纳税总额万元9002.3

18、712工业增加值万元30760.4613盈亏平衡点万元41127.45产值14回收期年5.6015内部收益率21.04%所得税后16财务净现值万元16452.56所得税后第二章 项目建设背景及必要性分析一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、

19、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间

20、上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。二、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为

21、以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作

22、高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，

23、其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。三、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经

24、过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成

25、）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。四、 优化市域统筹，推进协调发展的全域城区化着眼大空间，统筹全市域，推进新型城镇化，着力建设国家中心城市，提升城市品质，重点打造“一廊五区四港多点”重大平台，全面提升城市能级和综合承载力，塑造杭州市域发展新版图。（一）优化市域空间布局1、构建新型特大城市空间格局按照“多中心、网络化、组团式、生态型”的原则，加快构建“一核九星、双网融合、三江绿楔”的新型特大城市空间格局。2、焕发中心城区活力坚持“宽视野决策、大区域统筹、小单元作战

26、”理念，深化拥江发展战略，推动“东整、西优、南启、北建、中塑”迭代升级。3、推动县（市）和美丽城镇融合发展坚持差异化定位和全面融入杭州都市区导向，深化区县（市）协作，支持西部县（市）与主城区合作发展飞地经济，加快市域快速交通体系建设，推动桐庐、淳安、建德与杭州市区一体化融合发展，实现县域经济向城市经济升级。（二）提升城市品质颜值1、推动城市更新更有序强化主城区周边城市化地区生态约束，控制城市“粗放型”蔓延，推进“精明增长”，实现“强身健体”。2、推动城市交通更便捷加强城市交通设施建设，完善路网结构，优化交通组织，提高公共交通出行品质，提升交通治理水平。3、推动城市面貌更亮丽贯彻人民城市理念，深

27、化城市管理体制改革，以绣花功夫推进城市精细化、综合化、智能化管理，实现“城市管理让生活更美好”。（三）打造“一廊五区四港多点”重大发展平台1、一廊策源集中力量建设杭州城西科创大走廊，以杭州城西科创大走廊为主平台争创综合性国家科学中心和区域性创新高地。2、五区引领坚持世界眼光、高点定位，聚焦科技创新、对外开放、智能制造、生态文明、未来城市等功能，以国家自主创新示范区、中国（浙江）自由贸易试验区杭州片区、杭州钱塘新区、淳安特别生态功能区、三江汇未来城市先行实践区等为引领，建设一批能级高、带动性强的重大平台，进一步提升城市综合承载力。3、四港联动坚持“双网融合”导向，统筹推动空港、陆港（铁路港、公路

28、港）、河港、信息港“四港”建设。积极创建交通强国示范城市和国际综合交通枢纽城市，深入开展综合交通枢纽建设和数字交通试点，持续推进“5433”综合交通大会战，大力实施“六铁、四高、两枢纽、两环线”等重大交通项目，加快完善综合交通大通道、综合交通枢纽和物流网络，率先建成省域、市域、城区 3个“1小时交通圈”，构建以万物智联网为特色的新时代信息港。4、多点支撑推进产业平台系统性重构、创新型变革，推动开发区（园区）整合提升，优化产业平台空间布局和功能定位，持续提升平台发展能级。增强萧山经济技术开发区、余杭经济技术开发区、富阳经济技术开发区等国家级园区辐射带动能力，奋力向全国一流方阵迈进。（四）做强杭州

29、都市区（圈）1、建设现代化国际化杭州都市区坚持“集成、集聚、集约”理念，增强杭州中心城市集聚能力，强化分工合作与紧密联动，提升对全省大都市区建设的示范、引领、领跑作用。2、建设协同包容的杭州都市圈深化与衢州市开展旅游、创新等领域合作交流，共同推动钱塘江诗路建设。合力编制实施新安江流域水生态环境共同保护规划，规划建设杭黄毗邻区块生态旅游合作先行区，共建杭黄世界级自然生态和文化旅游廊道、环太湖生态文化旅游圈和杭衢黄省际旅游合作示范区。（五）深化与中心城市协同发展1、服务借力大上海鼓励上海名院名校名所来杭建立分支机构、研发中心，深化建设梦想小镇沪杭创新中心等创新飞地，建立沪杭高层次人才、海外人才互通

30、机制，探索构建“基础研究在上海、应用研究与产业化在杭州”的模式。2、强化城市协同发展联通宁波舟山港，数字赋能传统产业改造升级，共建新能源汽车、新材料等产业链，唱好杭甬“双城记”，共建沪杭甬湾区经济创新区。发挥浙江人才大厦等带动效应，服务支撑全省高质量发展。（六）深化省内外区域合作1、加快打造山海协作工程升级版发挥杭州数字赋能等优势，深化开展产业发展、社会事业、文化旅游、乡村振兴等领域协作，合作共建山海协作产业园和生态旅游文化产业园，提升平台发展质量，推动山海消费帮扶协作，助力增强协作山区内生发展动力。2、持续做好对口支援和协作合作深入推进东西部产业协作、消费协作和劳务协作，巩固拓展脱贫攻坚成果

31、，加强与乡村振兴有效衔接。五、 强化科技自立自强，打造面向世界的创新策源地坚持创新在现代化建设全局中的核心地位，以积极创建综合性国家科学中心为重点，全力增强创新策源力、技术供给力、成果转化力，打造国际一流的“互联网+”、生命健康和新材料科创高地，构建具有全球影响力的全域创新创业体系。（一）打造全球人才蓄水池1、集聚全球高端创新人才深入实施“全球英才杭聚工程”，优化完善顶尖人才和团队支持模式，探索与国际接轨的人才政策，持续办好杭州国际人才大会、海外高层次人才创新创业大赛、云栖大会、2050大会、梦溪论坛、侨界精英峰会、中国（杭州）国际人力资源峰会、中国国际软件博览会，调整优化市级人才计划，创新改

32、进遴选方式，精准招引全球顶尖人才和高水平创新创业团队。坚持“高精尖缺”并重，加强基础研究和应用基础研究人才培养，注重引进文化艺术、哲学社会科学人才。创新“候鸟型”高层次人才引进和使用机制，柔性集聚国内外高端智力。2、壮大优秀青年人才队伍深入实施“青年人才弄潮工程”，建立阶梯式支持机制，建设全球青年人才中心，支持更多青年人才成为领军人才。3、建设创新型杭商队伍实施“杭商名家”计划，培育新生代企业家，全面拓展企业家和企业高层次管理人才全球视野，提升战略思维和创新能力。4、培育新时代“杭州工匠”深化全国首批产教融合试点，建设一批产教融合联盟和人才培育基地，推行企业新型学徒制和现代学徒制。5、建设最优

33、人才生态城市加快建设人才管理改革试验区，扩大人才“引育留用管”自主权，创新突破薪酬分配、科研经费管理等人才政策。（二）创建综合性国家科学中心1、建设综合性国家科学中心核心承载区面向世界科技前沿与国家重大战略需求，构建部门协同、省市联动创建机制，高规格开展综合性国家科学中心创建工作。2、增强重大战略科技力量支撑持续深化“名校名院名所”工程，全力支持浙江大学“双一流”建设、西湖大学建设高水平研究型大学，加快建设中法航空大学、国科大杭州高等研究院，积极引进国内外知名高校和科研院所。3、加强重点领域基础研究鼓励高校、科研院所、新型研发机构、行业龙头企业等积极参与“尖峰计划”，围绕量子信息、人工智能、新

34、一代通信与智能网络、精准医疗、新药创制、前沿新材料、高端制造等领域，开展前沿基础研究，加强原始创新探索，攻克一批重大科学问题。力争在网络空间安全主动防御、大数据计算、脑认知与脑机交互、干细胞与再生医学、量子信息、传感材料与器件等研究领域取得一批重大原始创新成果。加大基础研究投入，提升基础研究投入占全社会研发投入比例。4、强化关键核心技术攻坚坚持以服务提升关键核心技术进口替代能力为方向，以通用芯片、人工智能与融合应用、区块链、新一代网络通信技术、空天信息技术、先进制造与智能装备等为重点，积极争取国家、省重点研发计划、重大科技项目。（三）健全以企业为主体的技术创新体系1、增强企业创新主体功能健全科

35、技企业梯次培育机制，滚动实施“双倍增”行动，大力培育高新技术企业和科技型中小企业，壮大具有产业链控制能力和国际竞争力“头部企业”队伍。2、促进创新链产业链协同融合聚焦新一代信息技术、创新药物、高端医疗器械、关键战略材料等重点领域，支持龙头企业牵头与高校院所、上下游企业组建创新联合体，搭建产业共性技术和关键技术供给平台，加快建设一批具有国际先进水平功能型研发转化平台，促进基础研究、应用研究与产业化对接融通，加快产业链关键环节协同创新。3、建设科技成果转化示范区建设科技成果交易中心和大数据交易市场，推动科技大市场“上脑上云”，建设杭州中科国家技术转移中心等高水平技术转移机构，鼓励社会力量发展科技转

36、让平台，打造面向全球的技术转移枢纽。（四）完善全域一流创新创业生态1、加大科创政策支持力度完善科技治理体系，成立创新委员会，全面构建“产学研用金、才政介美云”十联动的区域创新生态。2、健全知识产权大保护格局加快建设知识产权强市，争取设立杭州知识产权法院，严格知识产权司法保护和行政执法，有效执行惩罚性赔偿制度。3、营造创新创业活跃氛围加快国家双创示范基地建设，建设一批科技孵化器、众创空间、创新技术联盟及产业创新服务综合体，制定双创平台扶持管理政策，引导众创空间和孵化器向专业化、国际化发展，加快构建全链条科技服务体系，打造全市域科技大孵化器，梯次布局“重大平台+特色小镇+孵化器+众创空间”金字塔平

37、台矩阵。第三章 行业、市场分析一、 受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临据Yole统计，2020年SiC碳化硅功率器件市场规模约7.1亿美元，预计2026年将增长至45亿美元，2020-2026年CAGR近36%。其中，新能源汽车是SiC功率器件下游最重要的应用市场,预计需求于2023年开始快速爆发。新能源汽车是碳化硅功率器件市场的主要增长驱动。SiC功率器件主要应用于新能源车逆变器、DC/DC转换器、电机驱动器和车载充电器(OBC)等核心电控领域，以完成较Si更高效的电能转换。预计随着新能源车需求快速爆发，以及SiC衬底工艺成熟、带来产业链降本增效，产业化进程有望提速。应用端：解决电

38、动车续航痛点。据Wolfspeed测算，将纯电动汽车逆变器中的功率组件改成SiC时,可显著降低电力电子系统的体积、重量和成本，提升车辆5%-10%的续航。据英飞凌测算，SiC器件整体损耗相比Si基器件降低80%以上，导通及开关损耗减小，有助于增加电动车续航里程。成本端：单车可节省400-800美元的电池成本，与新增200美元的SiC器件成本抵消后，能够实现至少200-600美元的单车成本下降。客户端：特斯拉等车企已相继布局。Model3是行业第一家采用SiC逆变器的车型，开启了电动汽车使用SiC先河，单车总共有48个SiCMOSFET裸片，由意法半导体和英飞凌提供。其他车企包括比亚迪汉、丰田M

39、irai等也相继开始采用SiC逆变器。目前各大车企已在碳化硅领域纷纷布局，成本是决定SiC何时在新能源车大批量使用的关键因素。2017年，特斯拉Model3成为第一家使用SiC逆变器的车型，其逆变器总重量下降至4.8kg（较此前减少约84%），续航能力提升6%（逆变器和永磁电机组合的效率高达97%，此前为82%）。预计未来续航里程500公里以上的高端SUV车和轿车有望均应用到SiC功率器件，小型SUV和中型轿车可能在2024-2025年后开始应用一部分SiC（随着SiC衬底产能大规模释放、成本下降），低端车可能会再随这之后。二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯

40、拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制

41、器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使用量将达到100-150颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随

42、着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）1

43、0倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产

44、业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪

45、费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。

46、目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。第四章 项目承办单位基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx集团有限公司2、法定代表人：钟xx3、注册资本：1170万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2012-12-137、营业期限：2012-12-13至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅衬底相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司坚持提升企业素质，即“企业管理水平进一步提高，