湖北MOSFET功率器件项目申请报告模板范本.docx

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1、泓域咨询/湖北MOSFET功率器件项目申请报告目录第一章 项目概述7一、 项目名称及建设性质7二、 项目承办单位7三、 项目定位及建设理由8四、 报告编制说明10五、 项目建设选址11六、 项目生产规模11七、 建筑物建设规模12八、 环境影响12九、 项目总投资及资金构成12十、 资金筹措方案13十一、 项目预期经济效益规划目标13十二、 项目建设进度规划13主要经济指标一览表14第二章 背景及必要性16一、 功率MOSFET的行业发展趋势16二、 功率半导体市场规模与竞争格局17三、 发展壮大实体经济，加快构建现代产业体系18四、 坚持创新第一动力，增强发展新动能21第三章 市场预测24一

2、、 功率器件应用发展机遇24二、 MOSFET器件概述28第四章 建筑技术分析34一、 项目工程设计总体要求34二、 建设方案34三、 建筑工程建设指标35建筑工程投资一览表35第五章 选址可行性分析37一、 项目选址原则37二、 建设区基本情况37三、 打造强大市场枢纽，构建内陆开放新高地39四、 项目选址综合评价42第六章 运营管理43一、 公司经营宗旨43二、 公司的目标、主要职责43三、 各部门职责及权限44四、 财务会计制度47第七章 SWOT分析51一、 优势分析（S）51二、 劣势分析（W）52三、 机会分析（O）53四、 威胁分析（T）54第八章 法人治理结构62一、 股东权利

3、及义务62二、 董事69三、 高级管理人员74四、 监事76第九章 项目节能说明79一、 项目节能概述79二、 能源消费种类和数量分析80能耗分析一览表81三、 项目节能措施81四、 节能综合评价84第十章 原辅材料供应及成品管理85一、 项目建设期原辅材料供应情况85二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理85第十一章 环境保护方案86一、 编制依据86二、 环境影响合理性分析87三、 建设期大气环境影响分析87四、 建设期水环境影响分析88五、 建设期固体废弃物环境影响分析89六、 建设期声环境影响分析90七、 建设期生态环境影响分析90八、 清洁生产91九、 环境管理分析93十、 环境影响

4、结论94十一、 环境影响建议94第十二章 进度实施计划95一、 项目进度安排95项目实施进度计划一览表95二、 项目实施保障措施96第十三章 工艺技术及设备选型97一、 企业技术研发分析97二、 项目技术工艺分析99三、 质量管理100四、 设备选型方案101主要设备购置一览表102第十四章 投资计划方案104一、 投资估算的依据和说明104二、 建设投资估算105建设投资估算表109三、 建设期利息109建设期利息估算表109固定资产投资估算表111四、 流动资金111流动资金估算表112五、 项目总投资113总投资及构成一览表113六、 资金筹措与投资计划114项目投资计划与资金筹措一览表

5、114第十五章 项目经济效益评价116一、 经济评价财务测算116营业收入、税金及附加和增值税估算表116综合总成本费用估算表117固定资产折旧费估算表118无形资产和其他资产摊销估算表119利润及利润分配表121二、 项目盈利能力分析121项目投资现金流量表123三、 偿债能力分析124借款还本付息计划表125第十六章 招标方案127一、 项目招标依据127二、 项目招标范围127三、 招标要求127四、 招标组织方式128五、 招标信息发布128第十七章 项目综合评价说明129第十八章 附表附录131营业收入、税金及附加和增值税估算表131综合总成本费用估算表131固定资产折旧费估算表13

6、2无形资产和其他资产摊销估算表133利润及利润分配表134项目投资现金流量表135借款还本付息计划表136建设投资估算表137建设投资估算表137建设期利息估算表138固定资产投资估算表139流动资金估算表140总投资及构成一览表141项目投资计划与资金筹措一览表142本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目概述一、 项目名称及建设性质（一）项目名称湖北MOSFET功率器件项目（二）项目建设性质本项目属于扩建项目二、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xxx有限责任公司（二）项目联系人张xx（三）项目

7、建设单位概况公司坚持诚信为本、铸就品牌，优质服务、赢得市场的经营理念，秉承以人为本，始终坚持 “服务为先、品质为本、创新为魄、共赢为道”的经营理念，遵循“以客户需求为中心，坚持高端精品战略，提高最高的服务价值”的服务理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于为客户量身定制出完美解决方案，满足高端市场高品质的需求。本公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原则为广大客户提供优质的服务。公司坚持“责任+爱心”的服务理念，将诚信经营、诚信服务作为企业立世之本，在服务社会、方便大众中赢得信誉、赢得市场。“满足社会和业主的需要，是我们不懈的追求”的企业观念，面对经济发展步入快

8、车道的良好机遇，正以高昂的热情投身于建设宏伟大业。展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。公司始终坚持“人本、诚信、创新、共赢”的经营理念，以“市场为导向、顾客为中心”的企业服务宗旨，竭诚为国内外客户提供优质产品和一流服务，欢迎各界人士光临指导和洽谈业务。三、 项目定位及建设理由根据全球半导体贸易组织统计，全球半导体行业2019年市场规模达到4,123亿美元，较2018年下降约12.1%。

9、过去五年，随着智能手机、平板电脑为代表的新兴消费电子市场的快速发展，以及汽车电子、工业控制、物联网等科技产业的兴起，带动了整个半导体行业规模增长。十四五”时期，我省发展仍然处于重要战略机遇期，但机遇和挑战都有新的发展变化。世界百年未有之大变局加速演进，我国国际影响力、感召力、塑造力明显增强，为我们赢得战略主动创造了有利外部环境，同时新冠肺炎疫情影响广泛深远，经济全球化遭遇逆流，不稳定性不确定性明显增加。我国已转向高质量发展阶段，加快构建新发展格局，为我们拓展了新的发展空间，同时我省创新驱动能力不够强，开放型经济发展水平不够高，城乡区域发展不够协调，民生保障还有不少短板，生态环境治理任重道远。我

10、省经济长期向好的基本面没有改变，多年积累的综合优势没有改变，在国家和区域发展中的重要地位没有改变，党中央支持湖北一揽子政策提供强力支撑，伟大抗疫精神正转化为推动发展的强大动力，同时作为全国疫情最重、管控时间最长的省份，疫后重振和高质量发展面临较多困难。综合来看，“十四五”时期，我省处于战略机遇叠加期、政策红利释放期、发展布局优化期、蓄积势能迸发期、省域治理提升期，机遇大于挑战，前景十分广阔。全省上下要立足“两个大局”，深刻认识我省发展环境面临的新变化，增强机遇意识和风险意识，充分发挥湖北经济大省、科教大省、生态大省、农业大省优势，抢时间、抢机遇、抢要素，准确识变、科学应变、主动求变，以自身发展

11、的确定性应对外部环境的不确定性，努力在危机中育先机、于变局中开新局。四、 报告编制说明（一）报告编制依据1、中华人民共和国国民经济和社会发展“十三五”规划纲要；2、建设项目经济评价方法与参数及使用手册（第三版）；3、工业可行性研究编制手册；4、现代财务会计；5、工业投资项目评价与决策；6、国家及地方有关政策、法规、规划；7、项目建设地总体规划及控制性详规；8、项目建设单位提供的有关材料及相关数据；9、国家公布的相关设备及施工标准。（二）报告编制原则按照“保证生产，简化辅助”的原则进行设计，尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下，综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺

12、流程及设备和完善的现代企业管理制度，采取有效的环境保护措施，使生产中的排放物符合国家排放标准和规定，重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。（二） 报告主要内容1、项目背景及市场预测分析；2、建设规模的确定；3、建设场地及建设条件；4、工程设计方案；5、节能；6、环境保护、劳动安全、卫生与消防；7、组织机构与人力资源配置；8、项目招标方案；9、投资估算和资金筹措；10、财务分析。五、 项目建设选址本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准），占地面积约18.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。六、 项目

13、生产规模项目建成后，形成年产xxx件MOSFET功率器件的生产能力。七、 建筑物建设规模本期项目建筑面积20590.70，其中：生产工程12636.00，仓储工程2997.36，行政办公及生活服务设施2558.30，公共工程2399.04。八、 环境影响项目建设拟定的环境保护方案、生产建设中采用的环保设施、设备等，符合项目建设内容要求和国家、省、市有关环境保护的要求，项目建成后不会造成环境污染。本项目没有采用国家明令禁止的设备、工艺，生产过程中产生的污染物通过合理的污染防治措施处理后，均能达标排放，符合清洁生产理念。九、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、

14、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资7669.54万元，其中：建设投资6016.43万元，占项目总投资的78.45%；建设期利息146.87万元，占项目总投资的1.91%；流动资金1506.24万元，占项目总投资的19.64%。（二）建设投资构成本期项目建设投资6016.43万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用5258.38万元，工程建设其他费用592.32万元，预备费165.73万元。十、 资金筹措方案本期项目总投资7669.54万元，其中申请银行长期贷款2997.33万元，其余部分由企业自筹。十一、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经

15、营年份）1、营业收入（SP）：13200.00万元。2、综合总成本费用（TC）：10323.03万元。3、净利润（NP）：2106.37万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：5.91年。2、财务内部收益率：21.17%。3、财务净现值：3195.60万元。十二、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十四、项目综合评价综上所述，该项目属于国家鼓励支持的项目，项目的经济和社会效益客观，项目的投产将改善优化当地产业结构，实现高质量发展的目标。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积12000.00约18

16、.00亩1.1总建筑面积20590.701.2基底面积7200.001.3投资强度万元/亩330.682总投资万元7669.542.1建设投资万元6016.432.1.1工程费用万元5258.382.1.2其他费用万元592.322.1.3预备费万元165.732.2建设期利息万元146.872.3流动资金万元1506.243资金筹措万元7669.543.1自筹资金万元4672.213.2银行贷款万元2997.334营业收入万元13200.00正常运营年份5总成本费用万元10323.036利润总额万元2808.507净利润万元2106.378所得税万元702.139增值税万元570.5710税

17、金及附加万元68.4711纳税总额万元1341.1712工业增加值万元4621.6213盈亏平衡点万元4526.95产值14回收期年5.9115内部收益率21.17%所得税后16财务净现值万元3195.60所得税后第二章 背景及必要性一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。

18、同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切

19、。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现，SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要，提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾

20、向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测，2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元，预计至2024年市场规模将增长至522亿美元，2019-2024的年化复合增

21、长率为2.4%。在功率半导体领域，国际厂商优势明显，全球前十大功率半导体公司均为海外厂商，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等。行业整体集中度较低，2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%，前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善，技术也正在取得突破。同时，中国也是全球最大的功率半导体消费国，2019年市场规模达到177亿美元，增速为-3.3%，占全球市场比例高达38%。预计未来中国功率半导体将

22、继续保持平稳增长，2024年市场规模有望达到206亿美元，2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 发展壮大实体经济，加快构建现代产业体系坚持把发展经济着力点放在实体经济上，推进科技创新、现代金融、人力资源等要素向实体经济集聚协同，加快形成战略性新兴产业引领、先进制造业主导、现代服务业驱动的现代产业体系。（一）提升产业基础高级化和产业链现代化水平坚持制造强省战略，加快先进制造业发展，巩固壮大实体经济根基。全面推进新一轮技术改造升级，促进重点传统产业高端化、智能化、绿色化，发展服务型制造。发挥汽车整车产能和零部件配套优势，打造万亿级汽车产业集群。加强重大装备联合技术攻关和产业化发展，

23、推进首台套示范应用。加快钢铁、有色、化工、建材等原材料工业安全绿色高效发展。推动食品、纺织等消费品工业增品种、提品质、创品牌。引导企业专业化发展，培育一大批“专精特新”和“单项冠军”企业。实施产业基础再造工程，以重点行业转型升级、重点领域创新发展需求为导向，集中资源解决我省关键基础材料、核心基础零部件、重要技术装备和基础制造工艺、基础工业软件等方面的突出问题。实施产业链提升工程，锻造产业链长板，突破优势产业关键环节瓶颈制约，增强产业链供应链韧性。着力培育和引进更多头部企业和有终端产品的企业，提升产业链控制力和主导能力。完善质量基础设施，加强标准、计量、专利等建设，深入开展质量提升行动。坚持军民

24、融合发展，推进先进制造业与国防建设深度衔接、协调发展。（二）发展壮大战略性新兴产业实施战略性新兴产业倍增计划，促进产业集群发展。集中力量建设集成电路、新型显示器件、下一代信息网络、生物医药等四大国家战略性新兴产业集群，打造“光芯屏端网”、大健康等具有国际竞争力的万亿产业集群。高质量建设国家存储器、国家航天产业、国家网络安全人才与创新、国家新能源和智能网联汽车等四大基地，提升高技术船舶和海洋工程装备、航空航天及北斗、新材料、高端装备、数字创意、绿色环保等新兴产业发展能级，推动人工智能、大数据、物联网、区块链等技术集成创新与产业深度融合，加快形成接续有力、相互支撑、融合互动的产业梯队。促进平台经济

25、、共享经济健康发展。（三）加快发展现代服务业培育现代服务业万千亿产业集群，实施现代服务业提速升级行动，推进服务业标准化、品牌化建设。推动生产性服务业向专业化和价值链高端延伸，加快建设一批面向先进制造业和现代农业的生产服务支撑平台，大力发展现代金融、现代物流、研发设计、检验检测、高端商务、人力资源等知识密集型生产性服务业，构建全产业链区域服务体系。推动生活性服务业向高品质和多样化升级，加快发展健康、养老、育幼、文化、旅游、体育、家政、物业等服务业，扩大公益性、基础性服务业供给。（四）加快建设数字湖北实施数字经济跃升工程，推进数字产业化和产业数字化，促进数字经济与实体经济深度融合，催生新产业新业态

26、新模式。加快数字社会建设步伐，推进智慧城市和数字乡村建设，推动数字技术在公共服务、生活服务和社会治理领域的广泛应用和融合创新。推动政府数字化转型，加强数据资源开放共享，实现科学化决策、精准化治理和高效化服务。四、 坚持创新第一动力，增强发展新动能坚持把创新摆在事关发展全局的核心位置，围绕“四个面向”，深入实施科教兴省战略、人才强省战略、创新驱动发展战略，围绕产业链部署创新链，围绕创新链布局产业链，提高“钱变纸”、“纸变钱”能力，加快建设科技强省。（一）加强区域创新体系建设优化全省区域创新空间布局和创新要素配置，以武汉建设国家科技创新中心为引领，以重大创新平台为支撑，提高体系化科技创新支撑能力，

27、加快构建融通协作的区域创新共同体。加强基础研究，注重原始创新，谋划建设重大科技基础设施群，加快布局建设大科学装置，积极争创国家实验室，建设高水平实验室，促进创新资源开放共享，提升湖北在国家战略科技力量布局中的地位。建设环大学创新经济带、各级各类高新区开发区等创新生态圈。高标准建设光谷科技创新大走廊，争创武汉东湖综合性国家科学中心，打造具有全球影响力的科技创新策源地。支持襄阳、宜昌等突出比较优势打造区域性创新高地。开展跨区域创新合作，深化拓展国际科技合作，积极融入全球创新网络。（二）加快突破关键核心技术对接国家需求，聚焦我省重点支柱产业高端领域、关键环节，突破一批制约产业转型升级的关键核心技术，

28、推动产业迈向高端和整体发展。围绕“光芯屏端网”、生物医药、新能源和智能汽车、航空航天、装备制造、先进材料、现代农业等，攻克一批卡脖子技术，推动“临门一脚”关键技术产业化，增强产业核心竞争力。瞄准世界前沿技术方向，在未来网络、生命健康、生物育种、前沿材料、量子信息、空天科技、海洋科技等领域加强前瞻布局，培植先发优势。（三）强化企业创新主体地位促进各类创新要素向企业集聚，推动企业成为技术创新决策、研发投入、科研组织和成果转化的主体。强化产学研协同创新，支持企业牵头整合高校、科研机构和上下游企业创新资源，加快建设高水平产业创新联合体。优化高新技术企业认定机制，促进高新技术企业高质量发展。加强财税政策

29、支持，发挥企业家作用，激励企业加大研发投入，开展应用基础研究、技术研发与集成、成果中试熟化与产业化。加快各类“双创”平台向专业化、精细化方向升级,扶持中小微企业创新发展。大力发展科技服务业，完善企业创新公共服务体系。（四）释放人才创新创业活力深化人才发展体制机制改革，全方位培养、引进、用好、留住人才，建设高水平创新创业人才队伍。围绕产业培育人才、引进人才，以人才集聚促进产业发展，以产业发展集聚更多人才。加强创新型、应用型、技能型人才培养，推进战略科技人才、科技领军人才、青年科技人才、高技能人才等梯队建设。深入推进大学生留鄂就业创业，积极引进高层次人才和创新团队，完善安居、子女教育、医疗、社保等

30、人才保障政策。建立健全以创新能力、质量、实效、贡献为导向的科技人才评价体系。构建充分体现知识、技术等创新要素价值的收益分配机制，完善科研人员职务发明成果权益分享机制。创新人才流动机制，鼓励引导人才到艰苦地区和基层一线服务。弘扬科学精神和工匠精神，加强科普工作。（五）深入推进科技体制改革创新创新科技成果转化机制，推进大学校区、产业园区、城市社区“三区”融合发展，加快科技成果就地转化。加大科研经费投入，优化科研经费使用机制，建立市场导向的技术创新项目立项和组织方式，推行科技项目“揭榜挂帅”制度。深化科研院所改革，扩大高校院所科研自主权。完善科研评价和科研诚信体系。完善知识产权保护和服务体系。第三章

31、 市场预测一、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展，充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加，高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩（1）发展机遇2020年，充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间，政府工作报告中强调“建设充电桩，推广新能源汽车，激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示，截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆，与2019年年底相比增加36万辆，增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长，新能源充电桩作为配套基础

32、设施亦实现了快速增长，截止2019年12月，全国充电基础设施累计数量为121.9万个，其中公共桩51.6万个，私人桩70.3万个，充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办，服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。近几年来，我国充电站同样有快速发展，充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，复合年增长率为140.64%。充电站密度越来越高，电动汽车车主充电便利性也得到了大幅改善。“新基建”对充电桩的建设驱动主要在以下几方面：驱动公共

33、桩建设提质且区域均衡发展，直流桩占比将持续提升，省份间差异有望缩小。推动优质场站建设，完善配套设施申报流程办理。推动小区、商场等停车位充电桩建设。促进对运营商的建设与充电运营流程支持。（2）超级结MOSFET功率器件迎来快速发展机遇充电桩按充电能力分类，以处理不同的用例场景。公共充电桩包括交流桩和直流桩，交流充电桩需要借助车载充电机，充电速度较慢，一辆纯电动汽车（普通电池容量）完全放电后通过交流充电桩充满通常需要8个小时。直流充电桩俗称“快充”，固定安装在电动汽车外，与交流电网连接，通常仅需要不到2-3小时即可将一辆纯电动汽车电池充满。目前我国公共交流桩主要分为单相交流桩和三相交流桩。单相交流

34、桩的建设更广泛，对应的充电功率分为3.5kW和7kW，其中，公共交流桩充电功率以7kW为主。三相交流桩的主要功率为21kW、40kW和80kW，但整体数量较少。从2016-2019年新增公共交流桩平均功率来看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流桩主要使用三相维也纳输入整流器（PowerFactorCorrection，“PFC”），其中部分功率器件的领先解决方案使用了超级结MOSFET。公共直流充电桩一般输入电压为380V。根据2016-2019年新增公共直流桩平均功率数据，公共直流桩充电功率在逐渐提高。其中2017年上涨幅度最大，从69.23kW提高到91.65kW，而到了201

35、9年虽然维持上涨趋势，但由于目前市场的公共直流桩充电功率已经基本上能够满足电动汽车的充电需求，故2019年新增公共直流桩平均充电功率小幅提高，达到115.76kW。预计未来新增的公共直流桩充电功率普遍在120kW左右。在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。超级结MOSFET将充分受益于充电桩的快速建设。据英飞凌统计，100k

36、W的充电桩需要功率器件价值量在200-300美元，预计随着充电桩的不断建设，功率器件尤其是超级结MOSFET将迎来高速发展机遇。 2、5G基站（1）5G建设规模2020年12月15日在2021中国信通院ICT+深度观察报告会上，工业和信息化部发言人指出，中国已累计建成5G基站71.8万个，推动共建共享5G基站33万个。2020年12月28日，工信部部长肖亚庆在2021年全国工业和信息化工作会议上表示，2021年将有序推进5G网络建设及应用，加快主要城市5G覆盖，推进共建共享，新建5G基站60万个以上。（2）5G基站拉动功率半导体需求5G建设将从四个方面拉动功率半导体需求，包括：1）5G基站功率

37、更高、建设更为密集，带来更大的电源供应需求；2）射频端功率半导体用量提升；3）雾计算为功率半导体带来增量市场；以及4）云计算拉动计算用功率半导体用量。MIMO即多进多出，指在发送端和接收端都使用多根天线、在收发之间构成多个信道的天线系统，可以极大地提高信道容量。MassiveMIMO即大规模天线，可以在不增加频谱资源和天线发送功率的情况下，提升系统信道容量和信号覆盖范围。数量上，传统网络天线的通道数为2/4/8个，而MassiveMIMO通道数可以达到64/128/256个。信号覆盖维度上，传统MIMO为2D覆盖，信号只能在水平方向移动，不能在垂直方向移动，类似与平面发射。而MassiveMI

38、MO的信号辐射状是电磁波束，可以利用垂直维度空域。5G网络主要部署在高频频段，即毫米波频段（mmWave）。因接收功率与波长的平方成正比，毫米波的信号衰减严重，而发射功率又受到限制，所以5G网络部署需要增加发射天线和接收天线的数量，使用MassiveMIMO技术。根据英飞凌的统计，传统MIMO天线需要的功率半导体价值大约为25美元，而过渡为MassvieMIMO天线阵列后，所需的MOSFET等功率半导体价值增加至100美元，达到原来的4倍。与云计算相比，雾计算所采用的架构呈分布式，更接近网络边缘。雾计算将数据、数据处理和应用程序集中在网络边缘的设备中，数据的存储及处理更依赖本地设备，本地运算设

39、备的增加带动MOSFET用量提升。二、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET器件具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等多个领域。2019年全球MOSFET器件市场需求规模达到84.20亿美元，受疫情影响，2020预计市场规模下降至73.88亿美元，但预计未来全球MOSFET器件市场将继续保持平稳回增，2024年市场规模有望恢复至77.02亿美元。2019年全球MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市场占有率达到

40、24.79%，前十大公司市场占有率达到74.42%。中国本土企业中，闻泰收购的安世半导体、中国本土成长起来的华润微电子、扬杰科技进入前十，分别占比3.93%、3.09%和1.80%。根据Omdia的统计，2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元，2017年-2019年复合年均增长率为7.89%，高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中，消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET器件在电动马达辅

41、助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，有着广阔的应用市场及发展前景。2019年，中国MOSFET器件市场中，英飞凌排名第一，市占率达到24.95%，前十大公司市占率达到74.54%。中国本土企业中，华润微电子、扬杰科技、闻泰收购的安世半导体和吉林华微电子进入前十，分别占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超级结MOSFET继二十世纪五十年代起，真空管逐渐被固体器件替代，以硅材料为基础的功率器件成为研究主流。二十世纪七十年代，用二氧化硅改善双极性晶体管性能的功率MOSFET开始出现。随着功率器件在消费、医药、工业、运输业

42、中的广泛应用，能够降低成本且提高系统效率的高性能功率器件的需求日渐提升。由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，因此在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要，多次注入的超级结和深槽的超级结MOSFET结构由此被提出。超级结MOSFET全称超级结型MOSFET，是MOSFET结构设计的先进技术。该结构具备更好的导通特性，可以工作于更大的电流条件。通常情况下，高压VDMOS采用平面栅结构。由于击穿电压与N-外延层厚度成正比，因此要获得更高的击穿电压需要更厚尺寸的外延层和更淡的掺杂浓度，导致其导通电阻和损耗随着外延层厚度增加而急剧增大，额定电流同步降低。超级结MO

43、SFET的漂移区具有多个P柱，可以补偿N区中的电荷。在器件关断时，N型外延层和P柱相互耗尽，可以在N型外延层掺杂浓度比高压VDMOS对应的N外延浓度高很多时也可以有较高的耐受电压；在器件导通时，N掺杂区作为导通时的电流通路。由此，超级结结构兼具高耐压特性和低电阻特性。由于超级结MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加而线性增加，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。相较于普通硅基MOSFET功率器件，高压超级结MOSFET功率器件系更先进、更适用于大电流环境下的高性能功率器件。随着5G通讯、汽车电动化、高性能充电器等应用

44、领域的发展，高压超级结MOSFET将拥有更快的市场增速。根据Omdia和Yole的统计及预测，2020年与2025年硅基MOSFET的晶圆月出货量（折合8英寸）分别为59.7万片与73.9万片，年均复合增长为4.3%。其中，超级结MOSFET由23.8万片增长至35.1万片，年均复合增长率为8.1%，增长速度约为普通硅基MOSFET功率器件的两倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT被广泛应用于逆变器、

45、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。随着新能源汽车、通信、计算机、消费电子、汽车电子、航空航天、国防军工等应用需求增长，全球IGBT分立器件市场将持续扩大。根据Omdia的统计，2019年市场规模为16.03亿美元，2017-2019年复合年均增长率为11.73%，2024年市场规模有望达到16.82亿美元。2019年全球IGBT分立器件领域中，英飞凌销售额排名第一，市占率高达30.22%，前十大公司合计占比达到75.42%，中国厂商中，吉林华微电子进入前十，市占率为2.41%。根据Omdia的统计，2017年我国IGBT分立器件市场规模为4.26亿美元，2019年为6.05亿美元，对

46、应复合年均增长率为19.17%。IGBT是国家16个重大技术突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。在中低电压领域，IGBT广泛应用于新能源汽车和白色家电中；在1700V以上的高电压领域，IGBT广泛应用于轨道交通、清洁发电、智能电网等重要领域。2019年，中国IGBT分立器件市场中英飞凌排名第一，市占率为24.28%，前十大公司合计占比达到69.57%，中国厂商吉林华微电子、华润微电子进入前十，市占率分别为4.71%、3.65%。我国IGBT产业起步较晚，未来进口替代空间巨大，目前在部分领域已经实现了技术突破和国产化。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。第四章 建筑技术分析一、 项目工程设计总体要求（一）设计原则本设计按照国家及行业指定的有关建筑、消防、规划、环保等各项规定，在满足工艺和生产管理的条件下，尽可能的改善工人的操作环境。在不额外增加投资的前提下，对建筑单体从型体到色彩质地力求简洁、鲜明、大方，突出现代化工业建筑的个性。在整个建筑设计中，力求采