晋城碳化硅衬底设备项目申请报告【模板】.docx
《晋城碳化硅衬底设备项目申请报告【模板】.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《晋城碳化硅衬底设备项目申请报告【模板】.docx(136页珍藏版)》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。
1、泓域咨询/晋城碳化硅衬底设备项目申请报告目录第一章 项目概况9一、 项目名称及项目单位9二、 项目建设地点9三、 可行性研究范围9四、 编制依据和技术原则10五、 建设背景、规模11六、 项目建设进度12七、 环境影响12八、 建设投资估算12九、 项目主要技术经济指标13主要经济指标一览表13十、 主要结论及建议15第二章 行业发展分析16一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心16二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期17三、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越19第三章 项目建设背景、必要性22一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临2
2、2二、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期23三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%25四、 激发各类市场主体活力26五、 坚持创新驱动发展,打造一流创新生态26第四章 项目选址方案30一、 项目选址原则30二、 建设区基本情况30三、 培育壮大战略性新兴产业集群32四、 项目选址综合评价33第五章 建筑工程可行性分析34一、 项目工程设计总体要求34二、 建设方案34三、 建筑工程建设指标35建筑工程投资一览表35第六章 产品规划方案37一、 建设规模及主要建设内容37二、 产品规划方案及生产纲领37产品规划方案一览表37第七章 运营管理39一、 公司经营宗旨39二、 公司的
3、目标、主要职责39三、 各部门职责及权限40四、 财务会计制度43第八章 SWOT分析50一、 优势分析(S)50二、 劣势分析(W)52三、 机会分析(O)52四、 威胁分析(T)53第九章 发展规划59一、 公司发展规划59二、 保障措施65第十章 劳动安全生产分析67一、 编制依据67二、 防范措施70三、 预期效果评价72第十一章 建设进度分析74一、 项目进度安排74项目实施进度计划一览表74二、 项目实施保障措施75第十二章 项目节能分析76一、 项目节能概述76二、 能源消费种类和数量分析77能耗分析一览表78三、 项目节能措施78四、 节能综合评价79第十三章 环保方案分析81
4、一、 编制依据81二、 建设期大气环境影响分析81三、 建设期水环境影响分析81四、 建设期固体废弃物环境影响分析82五、 建设期声环境影响分析82六、 环境管理分析83七、 结论84八、 建议84第十四章 人力资源配置分析86一、 人力资源配置86劳动定员一览表86二、 员工技能培训86第十五章 投资方案分析89一、 编制说明89二、 建设投资89建筑工程投资一览表90主要设备购置一览表91建设投资估算表92三、 建设期利息93建设期利息估算表93固定资产投资估算表94四、 流动资金95流动资金估算表96五、 项目总投资97总投资及构成一览表97六、 资金筹措与投资计划98项目投资计划与资金
5、筹措一览表98第十六章 经济收益分析100一、 基本假设及基础参数选取100二、 经济评价财务测算100营业收入、税金及附加和增值税估算表100综合总成本费用估算表102利润及利润分配表104三、 项目盈利能力分析105项目投资现金流量表106四、 财务生存能力分析108五、 偿债能力分析108借款还本付息计划表109六、 经济评价结论110第十七章 项目招标方案111一、 项目招标依据111二、 项目招标范围111三、 招标要求112四、 招标组织方式114五、 招标信息发布117第十八章 项目综合评价118第十九章 附表附录120主要经济指标一览表120建设投资估算表121建设期利息估算表
6、122固定资产投资估算表123流动资金估算表124总投资及构成一览表125项目投资计划与资金筹措一览表126营业收入、税金及附加和增值税估算表127综合总成本费用估算表127固定资产折旧费估算表128无形资产和其他资产摊销估算表129利润及利润分配表130项目投资现金流量表131借款还本付息计划表132建筑工程投资一览表133项目实施进度计划一览表134主要设备购置一览表135能耗分析一览表135报告说明半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第
7、二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。根据谨慎财务估算,项目总投资29464.05万元,其中:建设投资23313.52万元,占项目总投资的79.13%;建设期利息327.73万元,占项目总投资
8、的1.11%;流动资金5822.80万元,占项目总投资的19.76%。项目正常运营每年营业收入63900.00万元,综合总成本费用47530.41万元,净利润12006.89万元,财务内部收益率33.56%,财务净现值29992.79万元,全部投资回收期4.47年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。该项目工艺技术方案先进合理,原材料国内市场供应充足,生产规模适宜,产品质量可靠,产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著,抗风险能力强,盈利能力强。综上所述,本项目是可行的。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方
9、案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称:晋城碳化硅衬底设备项目项目单位:xxx投资管理公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx,占地面积约61.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、项目背景及市场预测分析;2、建设规模的确定;3、建设场地及建设条件;4、工程设计方案;5、节能;6、环境保护、劳动安全、卫生与消防;7、组织机构与人力资源配置;8、项目招标方案;9
10、、投资估算和资金筹措;10、财务分析。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托;2、国家和地方有关政策、法规、规划;3、现行有关技术规范、标准和规定;4、相关产业发展规划、政策;5、项目承办单位提供的基础资料。(二)技术原则1、政策符合性原则:报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则:树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础,通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划,提高资源利用率,减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链,减少生产过程的污染排放,走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗
11、低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子,实现可持续发展。3、工艺先进性原则:按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则,积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术,能耗低、三废排放少、产品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则:近一步提高信息化水平,切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则:认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点,来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求,以此来扩大市场占有率,寻求经济效益最大化,
12、提高企业在国内外的知名度。五、 建设背景、规模(一)项目背景目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积40667.00(折合约61.00亩),预计场区规划总建筑面积77763.60。其中:生产工程49631.12,仓储工程14536.8
13、1,行政办公及生活服务设施7649.46,公共工程5946.21。项目建成后,形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx投资管理公司将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目符合产业政策、符合规划要求、选址合理;项目建设具有较明显的社会、经济综合效益;项目实施后能满足区域环境质量与环境功能的要求,但项目的建设不可避免地对环境产生一定的负面影响,只要建设单位严格遵守环境保护“三同时”管理制度,切实落实各项环境保护措施,加强环境管理,认真对
14、待和解决环境保护问题,对污染物做到达标排放。从环保角度上讲,项目的建设是可行的。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资29464.05万元,其中:建设投资23313.52万元,占项目总投资的79.13%;建设期利息327.73万元,占项目总投资的1.11%;流动资金5822.80万元,占项目总投资的19.76%。(二)建设投资构成本期项目建设投资23313.52万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用19632.02万元,工程建设其他费用3080.17万元,预备费601.33万元。九、 项目主
15、要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入63900.00万元,综合总成本费用47530.41万元,纳税总额7365.98万元,净利润12006.89万元,财务内部收益率33.56%,财务净现值29992.79万元,全部投资回收期4.47年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积40667.00约61.00亩1.1总建筑面积77763.601.2基底面积24806.871.3投资强度万元/亩362.642总投资万元29464.052.1建设投资万元23313.522.1.1工程费用万元19632.022.1.2其他费用万元308
16、0.172.1.3预备费万元601.332.2建设期利息万元327.732.3流动资金万元5822.803资金筹措万元29464.053.1自筹资金万元16087.303.2银行贷款万元13376.754营业收入万元63900.00正常运营年份5总成本费用万元47530.416利润总额万元16009.197净利润万元12006.898所得税万元4002.309增值税万元3003.2810税金及附加万元360.4011纳税总额万元7365.9812工业增加值万元24199.1713盈亏平衡点万元17673.91产值14回收期年4.4715内部收益率33.56%所得税后16财务净现值万元29992
17、.79所得税后十、 主要结论及建议本项目生产线设备技术先进,即提高了产品质量,又增加了产品附加值,具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势,主要原材料从本地市场采购,保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述,项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义,本期项目的建设,是十分必要和可行的。第二章 行业发展分析一、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,
18、核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H
19、型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相
20、比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺(如液相法)的延伸。二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只
21、用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆
22、变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中
23、使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 模板 晋城 碳化硅 衬底 设备 项目 申请报告
限制150内