结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别.doc

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1、!- 结型场效应管和绝缘栅型场效应管的区别 (1)从包装上辨别 由于绝缘栅型场效应管的栅极易被击穿损坏，所以管脚之间一般都是短路的或是用金属箔包裹的；而结型场效应管在包装上无特别要求。 (2)用指针式万用表的电阻档测量 用万用表的“R谴k”档或“R?00”档测G、S管脚间的阻值，若正、反向电阻都很大近乎不导通，则此管为绝缘栅型管；若电阻值呈PN结的正、反向阻值，此管为结型管。 2、用万用表电阻档判别结型场效应管管脚 一般用R?k或R?00档进行测量，测量时，任选两管脚，测正、反向电阻，阻值都相同(均为几千欧)时，该两极分别为D、S极(在使用时，这两极可互换)，余下的一极为 由于绝缘栅型场效应管

2、在测量时易损坏，所以不使用此方法进行管脚识别，一般以查手册为宜。 = 场效应管检测方法与经验 一、用指针式万用表对场效应管进行判别 （1）用测电阻法判断结型场效应管的电极 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。详细办法：将万用表拨在R?k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极确定是栅极。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔顺次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当涌现两次测得的电阻值

3、近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是结的反向，即都是反向电阻，可以判定是沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向结，等于正向电阻，判断为沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不呈现上述情形，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。 （2）用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极1与栅极2之间的电阻值同场效应管手册表明的电阻值是否相符去判别管的好坏。详细方式：首先将万用表置于?或?00档，测量源极与漏极之间的电阻，通常在几十欧

4、到几千欧范畴（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不雷同的），如果测得阻值大于正常值，可能是因为内部接触不良；假如测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于?档，再测栅极1与2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则解释管是畸形的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要留神，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。 （3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力 具体方法：用万用表电阻的R?00档，红表笔接源极，黑表笔接漏极，给场效应管加上1.5的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极，将人体的

5、感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流I都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。 根据上述方法，我们用万用表的R?00档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的极开路，测得漏源电阻RDS为600，用手捏住极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12k，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。 应用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（

6、电阻值增长）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，实验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也实用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极容许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量结束，应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，树立起G电压

7、，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。 （4）用测电阻法判别无标记的场效应管 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极和漏极，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极与漏极之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极；红表笔所接的为源极。用这种方法判别出来的、极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是极；红表笔所接地是极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极、源极的位置后，按、的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定

8、了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了、S、G1、G2管脚的顺序。 （5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小 对 沟道加强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极、黑表笔接漏极，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R?0k的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。 二、.场效应管的使用注意事项 （1）为了安全使用处效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数

9、的极限值。 （2）各类型场效应管在使用时，都要严厉按要求的偏置接人电路中，要遵照场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是结，沟道管栅极不能加正偏压；沟道管栅极不能加负偏压，等等。 （3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、储藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保留时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。 （4）为了预防场效应管栅极感应击穿，请求所有测试仪器、工作台、电烙铁、线路自身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全体引线端保持相互短接状况，焊接完后才把短接材料去掉；

10、从元器件架上取下管时，应以恰当的方法确保人体接地如采取接地环等；当然，如果能采用进步的气热型电烙铁，焊接场效应管是比拟方便的，并且确保平安；在未关断电源时，相对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上保险办法在应用场效应管时必需注意。 （5）在装置场效应管时，注意安装的位置要尽量防止凑近发烧元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在曲折时，应该大于根部尺寸毫米处进行，以避免弯断管脚和引起漏气等。 对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷前提下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定牢靠地工作。 总之，确保场效应管安全使用，要注意

11、的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技巧职员，特殊是宽大的电子喜好者，都要根据本人的实际情况动身，采用切实可行的措施，安全有效地用好场效应管。 三.VMOS场效应管 VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继续了MOS场效应管输入阻抗高（108W）、驱动电流小（0.1A左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A100A）、输出功率高（1250W）、跨导的线性好、开关速度快等精良特性。恰是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器

12、（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正取得广泛应用。 VMOS场效应功率管拥有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等长处，尤其是其具备负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因而，VMOS管的并联得到普遍利用。 家喻户晓，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大抵处于同一程度面的芯片上，其工作电流基础上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的反面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N

13、区（源极S）出发，经由P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下达到漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流畅截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。 海内出产VMOS场效应管的重要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典范产品有VN401、VN672、VMPT2等。 下面介绍检测VMOS管的方法。 1断定栅极G 将万用表拨至R?k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发明某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证实此脚为G极，由于它和另外两个管脚是绝缘的。 2判断源极S、漏极D 由图1可见，在源-漏之间有

14、一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差别，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。 3测量漏-源通态电阻RDS（on） 将G-S极短路，抉择万用表的R?档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。 由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R?档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。 4检查跨导 将万用表置于R?k（或R?00）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有

15、明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。 注意事项： （1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交流表笔的位置。 （2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。 （3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，形成三相桥式结构。 （4）当初市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=200

16、0S。适用于高速开关电路和播送、通讯设备中。 （5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140?40?（mm）的散热器后，最大功率能力到达30W。 （6）多管并联后，由于极间电容和散布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈轻易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。 = 万用表检测可控硅 一，可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。 1. 可控硅

17、的特性。 可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G三个引出脚。 只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只有阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继承处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生转变（交换过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即便阳极A和阴极

18、K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有从新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。 双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于保持电流或A1、A2间当电压极性改变且不触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。 2. 单向可控硅的检测。 万用表选电阻R*1挡，

19、用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。 3. 双向可控硅的检测。 用万用表电阻R*1挡，用红、黑两表笔分辨测任意两引脚间正反向电阻，成果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A

20、2。肯定A1、G极后，再细心测量A1、G极间正、反向电阻，读数绝对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为掌握极G。将黑表笔接已断定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极霎时短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应坚持10欧姆左右。调换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不产生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极

21、间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。合乎以上法则，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性断定准确。 检测较大功率可控硅时，需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池，以进步触发电压。 晶闸管(可控硅)的管脚判别 晶闸管管脚的判别可用下述方法： 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值，阻值小的两脚分别为控制极和阴极，所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚接触，黑表笔接阳极，红表笔接剩下的一脚，如表针向右摆动，说明红表笔所接为阴极，不摆动则为控制极。 二，可控硅分单向可控硅跟双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、节制极

22、（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为把持极（G）。 1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R?挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧凡尘俗世神坛鬼土概不能等量齐观，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R?或R?0挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔

23、接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。 2、性能的差异：将旋钮拨至R?挡，对于16A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后刹时断开A极再接通，指针应退回位置，则表明可控硅良好。 对于16A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、 手表品牌排名T2极，在保障黑笔不脱离T2极的条件下断开G极，指针应指导为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，反复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。

24、若保持接通A极或T2极时断开G极，指针即时退回位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。 对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是统一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏。 = 三极管的检测方法与经验 一，中、小功率三极管的检测： 1，已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏 (a)测量极间电阻。将万用表置于R?00或R?K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻

25、值都很高，约为几百千欧至无穷大。但不论是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。 (b)三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数和集电结的反向电流ICBO的乘积。ICBO跟着环境温度的升高而增加很快，ICBO的增添必定造成ICEO的增大。而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。 通过用万用表电阻直接测量三极管ec极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下： 万用表电阻的量程一般选用R?00或R?K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。要求测得的

26、电阻越大越好。ec间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针往返晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。 (c)测量放大才能()。目前有些型号的万用表存在测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，能够很便利地测量三极管的放大倍数。先将万用表功效开关拨至挡，量程开关拨到ADJ地位，把红、黑表笔短接，调剂调零旋钮，使万用表指针唆使为零，而后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔离开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子

27、的放大倍数。 另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数值，其颜色和值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不必定完整相同。 2，检测判别电极 (a)判定基极。用万用表R?00或R?k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其余两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时，测得的阻值较小，

28、则被测三极管为NPN型管。 (b)判定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于R?00或R?K挡，红表笔基极b，用黑表笔分别接触另外两个管脚时，所测得的两个电阻值会是一个大一些，一个小一些。在阻值小的一次测量中，黑表笔所接管脚为集电极；在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接收脚为发射极。 3，判别高频管与低频管 高频管的截止频率大于3MHz，而低频管的截止频率则小于3MHz，一般情况下，二者是不能互换的。 4，在路电压检测判断法 在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时经常通过用万用表直流电压挡，去测量被测三极管各引脚的电压值，来

29、推断其工作是否正常，进而判断其好坏。 二，大功率晶体三极管的检测： 利用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的各种方法，对检测大功率三极管来说基本上适用。然而，由于大功率三极管的工作电流比较大，因此其PN结的面积也较大。PN结较大，其反向饱和电流也必然增大。所以，若像测量中、小功率三极管极间电阻那样，使用万用表的R?k挡测量，必然测得的电阻值很小，似乎极间短路一样，所以通常使用R?0或R?挡检测大功率三极管。 三，普通达林顿管的检测： 用万用表对普通达林顿管的检测包含识别电极、区分PNP和NPN类型、估测放大能力等项内容。因为达林顿管的EB极之间包括多个发射结，所以应当使用万用表能提供

30、较高电压的R?0K挡进行测量。 四，大功率达林顿管的检测： 检测大功率达林顿管的方法与检测普灵通林顿管基原形同。但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、R2等维护和泄放漏电流元件，所以在检测量应将这些元件对测量数据的影响加以分辨，免得造成误判。具体可按下述几个步骤进行： A用万用表R?0K挡测量B、C之间PN结电阻值，应明显测出具有单向导电性能。正、反向电阻值应有较大差异。 B在大功率达林顿管BE之间有两个PN结，并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻拦检测时，当正向测量时，测到的阻值是BE结正向电阻与R1、R2阻值并联的结果；当反向测量时，发射结截止，测出的则是(R1R2)电阻之和，大概为几

31、百欧，且阻值固定，不随电阻挡位的变换而改变。但须要注意的是，有些大功率达林顿管在R1、R2、上还并有二极管，此时所测得的则不是(R1R2)之和，而是(R1R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。 五，带阻尼行输出三极管的检测： 将万用表置于R?挡，通过独自测量带阻尼行输出三极管各电极之间的电阻值，即可判断其是否正常。具体测试原理，方法及步骤如下： A将红表笔接E，黑表笔接B，此时相当于测量大功率管BE结的等效二极管与掩护电阻R并联后的阻值，由于等效二极管的正向电阻较小，而保护电阻R的阻值一般也仅有2050，所以，二者并联后的阻值也较小；反之，将表笔对调，即红表笔接B，黑表笔接E，则测得的是

32、大功率管BE结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值，由于等效二极管反向电阻值较大，所以，此时测得的阻值即是保护电阻R的值，此值依然较小。 B将红表笔接C，黑表笔接B，此时相当于测量管内大功率管BC结等效二极管的正向电阻，一般测得的阻值也较小；将红、黑表笔对调，行将红表笔接B，黑表笔接C，则相当于测量管内大功率管BC结等效二极管的反向电阻，测得的阻值通常为无穷大。 C将红表笔接E，黑表笔接C，相称于丈量管内阻尼二极管的反向电阻，测得的阻值普通都较大，约300；将红、黑表笔对调，即红表笔接C，黑表笔接E，则相称于测量管内阻尼二极管的正向电阻，测得的阻值个别都较小，约几欧至多少十欧。 国产三

33、极管用色彩表现放大倍数时，一般颜色与放大倍数对应关联如下: 颜色棕红橙黄绿兰紫 hFE 7-15 15-25 25-40 40-55 55-80 80-120 = 二极管的检测方法与经验 一，检测小功率晶体二极管： A判别正、负电极 (a)观察外壳上的的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。 (b)观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。 (c)以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。 B检测最高工作

34、频率fM。晶体二极管工作频率，除了可从有关特性表中查阅出外，适用中常常用眼睛观察二极管内部的触丝来加以划分，如点接触型二极管属于高频管，面接触型二极管多为低频管。另外，也可以用万用表R?k挡进行测试，一般正向电阻小于1K的多为高频管。 C检测最高反向击穿电压VRM。对于交流电来说，因为一直变化，因此最高反向工作电压也就是二极管蒙受的交流峰值电压。需要指出的是，最高反向工作电压并不是二极管的击穿电压。一般情况下，二极管的击穿电压要比最高反向工作电压高得多(约高一倍)。 二，检测玻封硅高速开关二极管： 检测硅高速开关二极管的方法与检测普通二极管的方法相同。不同的是，这种管子的正向电阻较大。用R?k

35、电阻挡测量，一般正向电阻值为5K10K，反向电阻值为无穷大。 三，检测快恢复、超快恢复二极管： 用万用表检测快恢复、超快恢复二极管的方法根本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用R?k挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为45K左右，反向电阻为无穷大；再用R?挡复测一次，一般正向电阻为几，反向电阻仍为无穷大。 四，检测双向触发二极管： A将万用表置于R?K挡，测双向触发二极管的正、反向电阻值都应为无穷大。若交换表笔进行测量，万用表指针向右摆动，说明被测管有漏电性故障。 将万用表置于相应的直流电压挡。测试电压由兆欧表供给。测试时，动摇兆欧表，万用表所指示的电压值即为被测管子的VBO值。然后调换

36、被测管子的两个引脚，用同样的方法测出VBR值。最后将VBO与VBR进行比较，两者的绝对值之差越小，说明被测双向触发二极管的对称性越好。 五，瞬态电压制制二极管(TVS)的检测： A用万用表R?K挡测量管子的好坏 对于单极型的TVS，按照测量普通二极管的方法，可测出其正、反向电阻，一般正向电阻为4K左右，反向电阻为无穷大。 b对双向极型的TVS，任意更换红、黑表笔测量其两引脚间的电阻值均应为无限大，否则，阐明管子机能不良或已经破坏。 六，高频变阻二极管的检测： A识别正、负极 高频变阻二极管与普通二极管在外观上的差别是其色标颜色不同，普通二极管的色标颜色一般为黑色，而高频变阻二极管的色标颜色则为

37、浅色。其极性规律与普通二极管类似，即带绿色环的一端为负极，不带绿色环的一端为正极。 B测量正、反向电阻来判定其好坏 具体方法与测量普通二极管正、反向电阻的方法相同，当使用500型万用表R?k挡测量时，正常的高频变阻二极管的正向电阻为5K55K，反向电阻为无穷大。 七，变容二极管的检测： 将万用表置于R?0k挡，无论红、黑表笔怎么对调测量，变容二极管的两引脚间的电阻值均应为无穷大。如果在测量中，发现万用表指针向右有稍微摆动或阻值为零，说明被测变容二极管有漏电故障或已经击穿损坏。对于变容二极管容量消散或内部的开路性故障，用万用表是无奈检测判别的。必要时，可用调换法进行检查判断。 八，单色发光二极管

38、的检测： 在万用表外部附接一节15V干电池，将万用表置R?0或R?00挡。这种接法就相当于给万用表串接上了15V电压，使检测电压增加至3V(发光二极管的开启电压为2V)。检测时，用万用表两表笔轮换接触发光二极管的两管脚。若管子性能良好，一定有一次能正常发光，此时，黑表笔所接的为正极，红表笔所接的为负极。 九，红外发光二极管的检测： A判别红外发光二极管的正、负电极。红外发光二极管有两个引脚，通常长引脚为正极，短引脚为负极。因红外发光二极管呈透明状，所以管壳内的电极清楚可见，内部电极较宽较大的一个为负极，而较窄且小的一个为正极。 B将万用表置于R?K挡，测量红外发光二极管的正、反向电阻，通常，正

39、向电阻应在30K左右，反向电阻要在500K以上，这样的管子才可正常使用。要求反向电阻越大越好。 十，红外接收二极管的检测： A识别管脚极性 (a)从外观上识别。常见的红外接受二极管外观颜色呈玄色。识别引脚时，面对受光窗口，从左至右，分别为正极和负极。另外，在红外吸收二极管的管体顶端有一个小斜切平面，通常带有此斜切平面一真个引脚为负极，另一端为正极。 (b)将万用表置于R?K挡，用来判别普通二极管正、负电极的方法进行检查，即交换红、黑表笔两次测量管子两引脚间的电阻值，正常时，所得阻值应为一大一小http:/ B检测性能好坏。用万用表电阻挡测量红外接收二极管正、反向电阻，根据正、反向电阻值的大小，

40、即可初步判定红外接收二极管的好坏。 十一，激光二极管的检测： A将万用表置于R?K挡，依照检测一般二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列次序确定。但检测时要注意，因为激光二极管的正向压降比普通二极管要大，所以检测正向电阻时，万用表指针仅稍微向右偏转罢了，而反向电阻则为无穷大。 = 一，色码电感器的的检测： 将万用表置于R?挡，红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端，此时指针应向右摆动。根据测出的电阻值大小，可具体分下述三种情况进行辨别： A被测色码电感器电阻值为零，其内部有短路性故障。 B被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电

41、阻值，则可以为被测色码电感器是正常的。 二，中周变压器的检测： A将万用表拨至R?挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐个检查各绕组的通断情况，进而判断其是否正常。 B检测绝缘性能 将万用表置于R?0k挡，做如下几种状态测试： (1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值； (2)初级绕组与外壳之间的电阻值； (3)次级绕组与外壳之间的电阻值。 上述测试结果分出现三种情况： (1)阻值为无穷大：正常； (2)阻值为零：有短路性故障； (3)阻值小于无穷大，但大于零：有漏电性故障。 三，电源变压器的检测： A通过察看变压器的外貌来检讨其是否有显明异样景象。如线圈引线是否断裂，脱焊，绝缘资料是否有烧焦

42、痕迹，铁心紧固螺杆是否有松动，硅钢片有无锈蚀，绕组线圈是否有外露等。 B绝缘性测试。用万用表R?0k挡分别测量铁心与初级，初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值，万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则，说明变压器绝缘性能不良。 C线圈通断的检测。将万用表置于R?挡，测试中，若某个绕组的电阻值为无穷大，则说明此绕组有断路性故障。 D判别初、次级线圈。电源变压器低级引脚和次级引脚正常都是分离从两侧引出的，并且初级绕组多标有220V字样，次级绕组则标出额外电压值，如15V、24V、35V等。再依据这些标志进行辨认。 E空载电流的检测。 (a)直接测量法。将次级所有绕组全

43、部开路，把万用表置于交流电流挡(500mA，串入初级绕组。当初级绕组的插头插入220V交流市电时，万用表所指示的便是空载电流值。此值不应大于变压器满载电流的1020。一般常见电子装备电源变压器的正常空载电流应在100mA左右。如果超越太多，则说明变压器有短路性故障。 (b)间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一个10/5W的电阻，次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后，用两表笔测出电阻R两端的电压降U，然后用欧姆定律算出空载电流I空，即I空=U/R。F空载电压的检测。将电源变压器的初级接220V市电，用万用表交流电压接依次测出各绕组 电工基础习题册答案(第二版)全国中等职业技术(第三章电容器答案) ： http:/ = 电容器检测方法与经验 一，固定电容器的检测： A检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R?0k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。 B检测10PF001F固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R?k挡