2022年大学物理下公式总结 .pdf
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1、1 101 库仑定律:0221041rrqqF102 电场强度:点电荷020041rrqqFE电荷离散分布)(4120rrqEii电荷连续分布02041rrdqE103 高斯定理:不连续分布的源电荷SsiieqSdE)(01内连续分布的源电荷dVsdEVSe01104 静电场的安培环路定理:在静电场中,电场场强沿任意闭合路径的线积分恒等于零。0dlE电势能:在数值上等于把该电荷从该点移动到电势能零参考点时,静电力作的功。000aaadlEqAW105 电势:电场中某点的电势,其量值等于单位正电荷在该点具有的电势能00aaadlEqWu电势差:babaabdlEuuU点电荷的电势:2041rqd
2、lEuaa电势叠加原理:iiarqu041或Qardqu041等势面在电场中电势相等的点所连成的曲面。电势与电场强度的微分关系:任意一场点P 处电场强度的大小等于沿过该点等势面法线方向上电势的变化率,负号表示电场强度的方向指向电势降低的方向:为等势面的法线ndnduE,某点的电场强度等于该点电势梯度的负值:)(kzujyuixuE107 导体的静电平衡:导体内部的电场强度处处为零,导体表面处的电场强度的方向,都与导体表面垂直,大小与该处的电荷密度成正比,导体上的电势处处相等时。表面的电荷面密度的大小与表面的曲率有关。nE0孤立导体的电容:uqC电容器的电容:21uuqC典型电容器的电容: 平行
3、板电容器dSuuqC021球形电容器12210214RRRRuuqC圆柱形电容器)ln(212021RRLuuqC108 电场能量密度2021EVW电场中储藏的静电能:VdVEW2021109 介质中的电场rEE01011介质中的高斯定理:ED,D0rSiiqSd内111 磁感应强度:IdldFBm ax安培力公式:BlIdFd112 毕奥 -萨伐尔定律:204rIdlSindB2004rrIdlB运动电荷的磁场:2004rrvqB名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1
4、页,共 7 页 - - - - - - - - - 2 113 磁通量dSBdSBdmcosSmSdB磁场的高斯定理:通过任意闭合曲面的磁通量恒等于零0SSdB114 安培环路定理: 在稳恒电流的磁场中,磁感应强度沿任何闭合环路L 的线积分, 等于 0乘以穿过 L 的所有电流强度代数和。内iSIldB0115 磁场对载流导线的作用力:BlIdFL均匀磁场对载流线圈的作用:BpMm,nISpm磁力的功:IA116 带电粒子在磁场中的运动:洛伦兹力BvqF圆周运动:RmvqvB2霍尔效应:nq1K,dIBKUab磁介质分类:顺磁质1r,抗磁质1r,铁磁质1r顺磁质的磁性主要来源于分子磁矩的转向;抗
5、磁质的磁性来源于抗磁效应;铁磁质产生的原因是具有磁畴,铁磁质有磁滞现象。磁滞现象表明铁磁质的磁化过程是不可逆过程。磁介质中的安培环路定理:BBHIl dHriS0,内12 电动势:将单位正电荷从负极经过电源内部搬到正极,非静电力所作的功。qAk,闭合回路 L 内的总电动势:ldEk在非静电力的一段电路ab上的电动势bakldE法拉第电磁感应定律:如果穿过一闭合回路的磁通量发生变化,在回路中就会产生感应电动势dtd楞次定律:闭合回路中,感应电流的方向总是使它自身所产生的磁量反抗引起感应电流的磁通量的变化。楞次定律是能量守恒定律在电磁感应中的体现。动生电动势:导体在磁场中运动,其内部与洛伦北力相对
6、应的非静电性场强vB 沿导体的线积分为动生电动势babakldBvldE)(感生电动势:变化的磁场会感应出有旋电场Ev,Ev 沿任一闭合路径的线积分等于该路径上的感生电动势,等于这一闭合路径所包围面积的磁通量的变化率SdtBldESbak自感:由于导体回路中电流变化,而在自身回路中产生感应电动势的现象dtdILdtd,ILm互感:由于回路一中电流发生变化,而在另一回路中产生电动势的现象。dtdIM,IMm自感磁能:221LIWm磁能密度22122121BHBHwm,磁场能量:VmBHdVW21全电流安培环路定理:DLIIldH名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - -
7、 - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页,共 7 页 - - - - - - - - - 3 麦克斯韦方程组: (1)电场高斯定理VSidVqSdD)(内(2)法拉第电磁感应定律SdtBldESL(3)磁场的高斯定理:0SSdB(4)全电流的安培环路定律:DLIIldH13电 磁 波 是 交 变 电 磁 场 在 空 间 的 传 播 。 光 是 电 磁 波 , 光 是 电 场 强 度E 和 磁 场 强 度H的 矢 量 波 ,)(c os),(0uxtwEtxE)(cos),(0uxtwHtxH在空间任一点, E 和 H 量值关系:HE波速
8、1u电磁场的能量密度)(2221HEwwwme坡印亭矢量(能流密度))(cos200uxtwHEHES光强(一个周期T 内平均能流密度)200021211EHEEHdtTITtt光波的叠加:非相干21III,相干cos22121IIIII(条件 : 同频率、相差恒定、光矢量振动方向平行)获得相干光的方法:分波阵面法(杨氏干涉),分振幅法(薄膜干涉)杨氏双缝干涉:与缝平行、等宽、等间距、明暗相间、对称分布的干涉条纹。明纹(干涉加强)22k暗纹(干涉相消)2)12( k,相邻明(暗)条纹间距dDx光程:在相同时间内,光在介质中传播的路程r 可折合为光在真空中传播的相应路程nr(n 为介质的折射率)
9、。在不同介质中,同一频率单色光的波长是不同的。iiirnx光程差:1122rnrn相位差:)(211220rnrn薄膜等厚干涉2cos22dn明纹条件:.3,2, 1,22kk暗纹条件:.2, 1 , 0,2) 12(kk劈尖干涉:相邻明(暗)条纹之间距a 应满足2sina牛顿环:明、暗纹半径分别为.3, 2, 1,2)12(kRkr明,.2 , 10,,kRkr暗牛顿环快速检测透镜曲率:不出现牛顿环=达到标准值要求;牛顿环条纹越密、误差越大,条纹不圆说明被测件曲率半径不均匀,此时用手均匀轻压样板,条纹向边缘扩展说明零级条纹在中心,则被测件曲率半径小于标准件;若条纹向中心收缩,说明零级条纹在边
10、缘,则被测件曲率大于标准值。迈克耳逊干涉仪:若M1 平移 d 时,干涉条纹移过N 条,则有2Nd(可测量长度量或波长)惠更斯菲涅耳原理:从同一波前上的各点发出的次波是相干波,经过传播在空间某点相遇时的叠加是相干叠加。SdSrrwtFkPE)2cos()()(名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页,共 7 页 - - - - - - - - - 4 单缝的夫琅和费衍射:两条边缘光线间的光程差:sina暗纹条件:.3 , 2, 1,22sinkka明纹条件:.3,2 ,
11、1,2)12(sinkka圆孔衍射:经圆孔衍射后,一个点光源对应一个爱里斑,爱里斑的光强占总光强的84%。爱里斑的半角宽度:D22.1sin00瑞利判据:对于两个等光强的非相干物点,如果一个像斑中心恰好落在另一像斑的边缘(第一暗纹处 ),则此两像被认为是刚好能分辨。此时两像斑中心角距离为最小分辨角DR22.1望远镜的分辨率=最小分辩角的倒数DRR22.111衍射光栅:光栅方程.2, 1 , 0,sin)(kkba主极大条纹:满足光栅方程的明条纹。主极大条纹的最大级数)(bak缺级条件:abakk暗纹条件:kNmmbaN,sin)(获得偏振光的方法:通过偏振片;光在二界面的反射和折射;双折射。马
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