2022年太阳能电池培训资料 .pdf
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1、本文由贡献文档可能在端浏览体验不佳。建议您优先选择,或下载源文件到本机查看。太阳能电池培训资料王松太阳能电池的基本原理太阳能电池主要依靠结的光生伏打效应来工作,而当型半导体和型半导体紧密结合连成一块时,型半导体中的空穴向型半导体的方向扩散运动,而型半导体的电子向型半导体的方向扩散运动,如下图所示:其中型半导体中的空穴和型半导体中的电子均称为多子,型半导体中的电子和型半导体中的空穴均称为少子,在扩散运动的同时在型半导体和型半导体的中央形成了一个由区指向区的电场称为内建电场,在内建电场的影响下将产生孔穴向右而电子向左的飘移运动,当漂移运动和扩散运动达到平衡的时候就形成了结太阳能电池的基本原理如右图
2、所示,当处于开路的情况下,当光生电流和正向电流相等的时候,结两端将建立起稳定的电势差(区为正,区为负),如果与外电路接通,只要光生电流不停止,就会有源源不断的电流通过电路,结起到了一个电源的作用这就是太阳能电池的工作原理。太阳能电池的基本性质光电转换效率评估太阳能电池好坏的重要因素。()。目前:实验室,产业化。单体电池电压:由材料本身的掺杂程度来决定。填充因子:评估太阳能电池负载能力的重要因素。()()流,开路电压,最佳工作电流,最佳工作电压。标准光强与环境温度:地面光强,。温度对电池片性能的影响:功率会随着温度的升高而降低。例如:在标准状况下,光强,某电池片的输出功率为,如果电池片温度升高至
3、时,电池片的输出功率将小于。其中:短路电晶体硅太阳能电池生产的工艺流程电池的生产工艺流程制绒扩散去边结去电池片测试分选制作上下电极及烧结制做减反射膜硅片表面化学腐蚀处理硅片表面化学腐蚀处理制绒?目的:去除硅片表面的杂质残留,制做能够减少表面太阳光反射的陷光结构。目的原理:单晶:利用单晶硅的各向异性,采用化腐工艺在硅片上制作的绒面,以减少入射光反射、晶提高短路电流和转换效率。采用两步法制作绒面,先用高浓度碱液、较高温度下进行短时间“粗抛”,再在低浓度、低温度下进行长时间“细腐”。此法所制绒面,在晶相显微镜下观察,小金字塔排列规则、整齐、均匀,可使入射光的反射损失降低近。多晶:多晶:利用硝酸的强氧
4、化性和氢氟酸的络合性,对硅进行氧化和络合剥离,导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀,从而形成类似“凹陷坑”状的绒面。硅片表面化学腐蚀处理(一次清洗)硅片表面化学腐蚀处理(一次清洗)绒面微观图电子扫描镜单晶电子扫描镜单晶电子扫描镜电子扫描镜多晶电子扫描镜多晶电子扫描镜制结(扩散)结扩散)名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页,共 5 页 - - - - - - - - - 目的:在型硅表面上渗透入很薄的一层磷,使前表面变成型,使目的:之成为一个结。扩散原理:扩散原理:在高
5、温下()分解生成五氯化磷()和五氧化二磷(),其反应式如下:?生成的在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅()和磷原子,其反应式如下:由上面反应式可以看出,热分解时,如果没有外来的氧()参与其分解是不充分的,生成的是不易分解的,并且对硅有腐蚀作用,破坏硅片的表面状态。但在有外来存在的情况下,会进一步分解成并放出氯气()其反应式如下:过量?制结(扩散)结扩散)扩散原理:扩散原理:生成的又进一步与硅作用,生成和磷原子,由此可见,在磷扩散时,为了促使充分的分解和避免对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。在有氧气的存在时,热分解的反应式为:分解产生的淀积在硅片表面,与硅反应生成和磷原
6、子,并在硅片表面形成一层磷硅玻璃,然后磷原子再向硅中进行扩散。液态源扩散方法具有生产效率较高,得到结均匀、平整和扩散层表面良好等优点,这对于制作具有大面积结的太阳电池是非常重要的。扩散装置示意图大载气小石英管制结(扩散)结扩散)扩散原理:扩散原理:硅氧化磷硅气体反应淀积除去杂质再分布去边结去边结刻蚀?目的:去除硅片边缘的型区域,将硅片内部的层和层隔离开,结的结构要求结的结构要求。目的去除硅片边缘的型区域,将硅片内部的层和层隔离开,以达到结的结构要求。去除硅片边缘的干法刻蚀(等离子刻蚀):等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,):等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应原理:干法刻蚀(等离子刻蚀):等离
7、子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。形成挥发性生成物而被去除。这是各向同性反应)(这是各向同性反应)母体分子在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。母体分子在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。以及它们的离子?,以及它们的离子这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达表面,并在表面上发生化学反应。这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达表面
8、,并在表面上发生化学反应。生产过程中,中掺入这样有利于提高和的刻蚀速率。生产过程中,中掺入,这样有利于提高和的刻蚀速率。湿法刻蚀(背腐蚀):利用溶液,对硅片背表面和边缘进行高速腐蚀,湿法刻蚀(背腐蚀):利用溶液,对硅片背表面和边缘进行高速腐蚀,以达到):利用溶液去掉边缘层和消除背面绒面的作用。去掉边缘层和消除背面绒面的作用。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页,共 5 页 - - - - - - - - - 去边结去边结刻蚀去清洗清洗目的:去除硅片表面的玻璃层(),
9、为加镀减反射膜做准备。目的原理:利用和硅片表面的玻璃层反应,并使之络合剥离,以达到清洗的目的。镀减反射膜()镀减反射膜()目的:在硅片前表面均匀的镀上一层高效的减反射膜,并对硅片进行钝化。目的在硅片前表面均匀的镀上一层高效的减反射膜,并对硅片进行钝化。在硅片前表面均匀的镀上一层高效的减反射膜借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,微波使含有薄膜组成原子的气体电离原理:借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。基本特征:实现了薄膜沉积工艺的低温化
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