2022年铁电存储器介绍资料 .pdf
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1、一、 什么是铁电存储器(F-RAM )相对于其它类型的半导体技术而言,铁电随机存储器(F-RAM )具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类:易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器(SRAM )和动态随机存取存储器( DRAM)以及其他类型存储器。 RAM 类型存储器易于使用,高性能,但它们有着共同的弱点:在掉电的情况下会失去所保存的数据。F-RAM芯片技术采用一种锆钛酸铅Pb(Zr,Ti)O3,简称为 PZT的铁电薄膜材料, 该铁电材料的晶体微结构如图1 所示。在铁电晶体中位于晶胞中心的Ti (或 Zr)原子在外电场作用下,向上或向下产生物理偏移,撤掉外电场后
2、, 仍表现出一定的电极性,铁电存储器就是利用这两个稳定态来代表数字逻辑中的“1”和“0” ,从而来存储信息。与传统 RAM 器件不同, F-RAM 在电源被关闭或中断时,由于PZT晶体具有剩余极化的特性, 所以能够保留其所存储的数据。这种独特的性质使 F-RAM 成为一个低功耗、 非易失性存储器。 同时由于在离子辐照情况下, 铁电电容所存储 “1”和“0”时的两个态, 很难被改变,所以具有很好的抗辐射性能。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页,共 5 页 - - -
3、 - - - - - - 图 1 具有钙钛矿结构 PZT薄膜结构图铁电存储器技术和标准的CMOS 制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置于 CMOS 基层之上,并置于两电极之间,使用金属互连并钝化后完成铁电制造过程 , 器件结构如图 2 所示。图 2 铁电存储器存储单元剖面图F-RAM 、ROM都属于非易失性存储器,在掉电情况下数据不会丢失。新一代 ROM ,像 EEPROM(可擦可编程只读存储器)和Flash 存储器,可以被擦除, 并多次重复编程,但它们需要高电压写入且写入速度非常慢。基于 ROM 技术的存储器读写周期有限(仅为1E5次),使名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - -
4、- - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页,共 5 页 - - - - - - - - - 它们不适合高耐性工业应用。F-RAM比一般串口EEPROM 器件有超过10,000 倍的耐性,低于3,000 倍的功耗和将近500 倍的写入速度(图 3 ), 还有出色的抗干扰能力 (包括抗伽玛射线 ) 、极高的可靠性和工作寿命。图 3 写入速度比较(在 25 MHz 频率下, F-RAM 写入速度比 EEPROM 器件快488 倍)总之, F-RAM 结合了 RAM 和 ROM 的优势,与传统的非易失存储器相比,具有高速、低功耗、长寿命
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