核磁共振原理及图谱分析技巧ppt课件.ppt
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1、偶合常数与分子结构的关系偶合常数与分子结构的关系 NMR:磁性核受幅射而发生跃迁所形成的吸收光谱。:磁性核受幅射而发生跃迁所形成的吸收光谱。 是研究分子结构、构型构象等的重要方法。是研究分子结构、构型构象等的重要方法。核磁共振的研究对象:核磁共振的研究对象:磁性核磁性核磁性核:磁性核:具有磁矩的原子核。具有磁矩的原子核。磁矩是由于核的自旋运动产生的。磁矩是由于核的自旋运动产生的。并非所有同位素的原子核都具有自旋运动。并非所有同位素的原子核都具有自旋运动。原子核的自旋运动与自旋量子数(原子核的自旋运动与自旋量子数(I)有关。)有关。自旋量子数自旋量子数 I 值与原子核的质量数值与原子核的质量数A
2、和核电荷数和核电荷数 Z(质子数或原子序数)有关。(质子数或原子序数)有关。P =) 1( II2h磁矩(磁矩( )磁旋比(磁旋比( ):核的特征常数):核的特征常数自旋角动量(自旋角动量(P )自旋量子数自旋量子数(I ) I = 0: P=0,无自旋,不产生共振信号。,无自旋,不产生共振信号。 I=0:I=0: 1212C C6 6 1616O O8 8 3232S S1616 I I00 : : P P0 0 ,具有自旋现象。,具有自旋现象。 I I1/21/2,核电荷在核表面均匀分布。,核电荷在核表面均匀分布。 核磁共振谱线窄,有利于核磁共振检测。核磁共振谱线窄,有利于核磁共振检测。
3、I=1/2:I=1/2: 1 1H H1 1 1313C C6 6 1515N N7 7 1919F F9 9 3131P P15152、自旋核在磁场中的取向和能级、自旋核在磁场中的取向和能级 无外磁场(无外磁场(B B0 0)时,磁矩)时,磁矩 的取向是任意的。的取向是任意的。 在在B B0 0中,中,I I 0 0的自旋核,磁矩的自旋核,磁矩 的取向不是任意的,的取向不是任意的,而是量子化的,而是量子化的,共有共有(2I + 12I + 1)种取向。可用种取向。可用磁量子磁量子数数m m表示:表示:m m:I I,I-1I-1,I-2,1 I-2,1 , ,-I-I. .I = 1/2I
4、= 1I = 2m = 1/2m = +1/2m = 1m = +1m = m = 2m = 1m = m = m = zzzB0对于对于1 1H H1 1原子核:原子核:I I =1/2=1/2共有共有2 2种取向:(种取向:(+1/2+1/2,-1/2-1/2) m = 1/2m = 1/2H H0 0旋旋进进轨轨道道自自旋旋轴轴自自旋旋的的质质子子BO核磁距 B0B0回旋轴自旋轴自旋轴回旋轴I = 1/2I =1/2核磁距 自旋核在自旋核在BO场中的进动场中的进动EE1E2B03 3、核磁共振核磁共振g g 磁场强度与射频频率成正比。磁场强度与射频频率成正比。 仪器的射频频率越大,磁场强
5、度越大,谱图分辨率仪器的射频频率越大,磁场强度越大,谱图分辨率越高。越高。在垂直于在垂直于B0的方向加一个射频场的方向加一个射频场B1,其频率,其频率为为 , (1 1) I I 0 0 的自旋核的自旋核(2 2) 外磁场外磁场 B B0 0(3 3) 与与 B B0 0 相互垂直的射频场相互垂直的射频场B B1 1g g0 0H H0 0低低 场场高高 场场吸吸收收能能量量信信号号N+- 低能态的核数低能态的核数N- - 高能态的核数高能态的核数k - Boltzmann 常数常数T - 绝对温度绝对温度N N- -/N/N+ + = 1- = 1- E E/KT= 1/KT= 1( ( h
6、 h/2/2 ) )B B0 0/ /KTKTBoltzmann分布(低能态的核数高能态的核数):分布(低能态的核数高能态的核数):B0越大,越大, N-/N+越大,即低能态的核数越多。越大,即低能态的核数越多。弛豫方式:弛豫方式:1、自旋晶格弛豫(纵向弛豫):、自旋晶格弛豫(纵向弛豫): 反映了体系和环境的能量交换。反映了体系和环境的能量交换。“晶格晶格”泛指泛指“环境环境”。高能态的自旋核将能量转移至周围的分。高能态的自旋核将能量转移至周围的分子子(固体的晶格、液体中同类分子或溶剂分子固体的晶格、液体中同类分子或溶剂分子)而转而转变为热运动,结果是高能态的核数目有所下降。变为热运动,结果是
7、高能态的核数目有所下降。2、自旋自旋弛豫(横向弛豫):、自旋自旋弛豫(横向弛豫):N+NRelaxationh 二、核磁共振仪二、核磁共振仪磁体:磁体:永久磁体、电磁体永久磁体、电磁体 ( (低频谱仪低频谱仪) ) 超导磁体(高频谱仪)超导磁体(高频谱仪)射频频率:射频频率:60,80,100,300,400,600MHz射频源:射频源:连续波波谱仪,脉冲傅立叶变换波谱仪连续波波谱仪,脉冲傅立叶变换波谱仪脉冲脉冲自旋核自旋核FID谱图谱图照射照射共振共振傅立叶变换傅立叶变换 在核磁共振实验中,由于原子核所处的电子环境 不同,而具有不同的共振频率。 NMR信号包含许多共振频率的复合信号,分析困难
8、。 傅立叶转换(FT):将时域信号转换成频域信号。 在频域信号的图谱中,峰高包含原子核数目的信息, 位置则揭示原子核周围电子环境的信息。timefrequencyFT 在在PFT-NMR中,增设脉冲程序控制器和数据采集及处理系统。中,增设脉冲程序控制器和数据采集及处理系统。 脉冲发射时,待测核同时被激发,脉冲终止时,启动接收系统,脉冲发射时,待测核同时被激发,脉冲终止时,启动接收系统,被激发的核通过弛豫过程返回。被激发的核通过弛豫过程返回。 有很强的累加信号的能力,信噪比高(有很强的累加信号的能力,信噪比高(600:1),灵敏度高,),灵敏度高,分辨率好(分辨率好(0.45Hz)。三、三、 氢
9、的化学位移氢的化学位移3.2 化学位移的由来化学位移的由来 :核外电子的屏蔽效应核外电子的屏蔽效应 在外加磁场作用下,由在外加磁场作用下,由于核外电子在垂直于外加磁于核外电子在垂直于外加磁场的平面绕核旋转,从而产场的平面绕核旋转,从而产生与外加磁场方向相反的感生与外加磁场方向相反的感生磁场生磁场B。H核的实际感受到的磁场强度为:核的实际感受到的磁场强度为: 核的共振频率为:核的共振频率为: = = B B0 0(1-)g2为屏蔽常数为屏蔽常数 B Beffeff = = B B0 0 -B B0 0 = = B Bo o(1-) 核外电子云密度高,屏蔽作用大核外电子云密度高,屏蔽作用大(值大值
10、大) ),核的,核的 共振吸收向高场(或低频)移动,化学位移减小。共振吸收向高场(或低频)移动,化学位移减小。 核外电子云密度低,屏蔽作用小核外电子云密度低,屏蔽作用小(值小值小) ) ,核的,核的 共振吸收向低场(或高频)移动,化学位移增大。共振吸收向低场(或高频)移动,化学位移增大。3.3 化学位移的表示方法:化学位移的表示方法:化学位移的差别很小,精确测量十分困难,并因仪器化学位移的差别很小,精确测量十分困难,并因仪器不同(不同(Bo)而不同,现采用相对数值。)而不同,现采用相对数值。规定:规定:以四甲基硅(以四甲基硅(TMS)为标准物质,其化学位移为零,)为标准物质,其化学位移为零,
11、根据其它吸收峰与零点的相对距离来确定化学位移值。根据其它吸收峰与零点的相对距离来确定化学位移值。6010TMS试样化学位移感生磁场 H非常小,只有外加磁场的百万分之几,为方便起见,故106试样的共振频率试样的共振频率TMS的共振频率的共振频率单位:单位:ppm仪器的射频频率仪器的射频频率选用选用TMS(四甲基硅烷四甲基硅烷)作为作为标准物质标准物质的原因的原因? ( (1) )屏蔽效应强,共振信号在高场区屏蔽效应强,共振信号在高场区, ,绝大多数吸收峰绝大多数吸收峰 均出现在它的左边。均出现在它的左边。 ( (2) )结构对称,是一个单峰。结构对称,是一个单峰。 ( (3) )容易回收容易回收
12、( (b.p低低) ),与样品不反应、不缔合。,与样品不反应、不缔合。 化学位移用化学位移用 表示,以前也用表示,以前也用 表示,表示, 与与 的关系为:的关系为: = 10 - 零点零点-1-2-31234566789 TMS低场低场高场高场例:在例:在60MHz的仪器上,测得的仪器上,测得CHCl3与与TMS间吸收间吸收频率之差为频率之差为437Hz,则,则CHCl3中中1H的化学位移为:的化学位移为: 28. 7101060437106660标样样品3.5 NMR谱的结构信息谱的结构信息化学位移化学位移 积分高度积分高度 偶合常数偶合常数CDCl3 7.27(s)CD3CN 2.0 CD
13、3OD 3.3(5), 4.5(OH)CD3COCD3 2.1(5) , 2.7(水水)CD3SOCD3 2.5 (5), 3.1(水水)D2O 4.7(s)C6D6 7.3(s)n 积分曲线积分曲线 (integration line)n 积分曲线积分曲线 (integration line)甲基与苯环质子的积分曲线高度比为甲基与苯环质子的积分曲线高度比为 3 3:2 2图图3-5 乙醚乙醚CHCH3 3CHCH2 2OCHOCH2 2CHCH3 3的氢核磁共振谱的氢核磁共振谱 拉电子基团:去屏蔽效应,化学位移增大拉电子基团:去屏蔽效应,化学位移增大推电子基团:屏蔽效应,化学位移减小推电子基
14、团:屏蔽效应,化学位移减小4.1 诱导效应:诱导效应: YH中中Y的电负性越大,的电负性越大,1H周围电子云密度越低,周围电子云密度越低, 屏蔽效应越小,越靠近低场出峰,屏蔽效应越小,越靠近低场出峰,值越大。值越大。 试比较下面化合物分子中试比较下面化合物分子中 Ha Hb Hc 值的大小。值的大小。 CH3-O-CH2-C-CH3CH3Cla b c CHCH3 3CHCH2 2CHCH2 2X X 0.93 1.53 3.49 0.93 1.53 3.49 OHOH1.06 1.81 3.47 1.06 1.81 3.47 ClCl b a cORNH2NO2COR7.277.277.27
15、8.217.457.666.817.116.864.2 共轭效应共轭效应 供电子共轭效应,苯环电子云密度增大。供电子共轭效应,苯环电子云密度增大。 氢核电子云密度增大,屏蔽作用增大,向高场移动,氢核电子云密度增大,屏蔽作用增大,向高场移动,值减小。值减小。C=CHHHHC=CHHOCH3HC=CHHC=OHCH35.25 4.03 6.27HHOHHC=OH7.27 6.73 7.81HaOCH3HbOCH3Ha1Ha2HbCOCH3OA B C7.788.586.708.087.94例如:例如: CHCH3 3CHCH3 3 CH CH2 2=CH=CH2 2 HCCH HCCH(ppm):
16、 0.86 5.25 1.80(ppm): 0.86 5.25 1.80化学键的各向异性,导致与其相连的氢核的化学位移化学键的各向异性,导致与其相连的氢核的化学位移不同。不同。spsp杂化碳原子上的质子:叁键碳杂化碳原子上的质子:叁键碳碳碳叁键碳碳叁键: :直线构型,直线构型,电子云呈电子云呈圆筒型分布,形成环电流,产生圆筒型分布,形成环电流,产生的的感应磁场感应磁场与外加磁场方向相反。与外加磁场方向相反。H质子处于屏蔽区,屏蔽效应强,质子处于屏蔽区,屏蔽效应强,共振信号移向高场,共振信号移向高场, 减小。减小。= 1.8= 1.83 3 H-CC-H: 1.8H-CC-H: 1.8:屏蔽区;
17、:去屏蔽区:屏蔽区;:去屏蔽区去屏蔽效应:去屏蔽效应:核外电子产生的感应磁场与外加磁场核外电子产生的感应磁场与外加磁场方向相同,方向相同,sp苯:苯:7.277.27; 乙烯:乙烯:5.255.25;醛氢:;醛氢:9 91010HOH(1) 3.55HHO(2) 3.75HO 1.77(3) 2.31(4)HHHHHHHHHHHHHHHHHH2.99 9.2818轮烯轮烯对番烷对番烷CH2H2CCH2CH2CH2CH2CH2CH2H2C3.812.701.300.900.30 Ha = 0.76ppm,Ha = 0.76ppm, Hb = 1.15ppmHb = 1.15ppmHaHbHcOH
18、HaHbHcHOa 4.68b 2.40c 1.10a 3.92b 3.55c 0.88Van der Waals效应效应 两核靠得很近时,带负电荷的核外电子云就会相互两核靠得很近时,带负电荷的核外电子云就会相互 排斥,使核裸露,屏蔽减小,排斥,使核裸露,屏蔽减小,增大。增大。 靠近的基团越大,该效应越明显。靠近的基团越大,该效应越明显。 随样品浓度的增加,缔合程度增大,随样品浓度的增加,缔合程度增大,分子间氢键分子间氢键 增强,增强,羟基氢羟基氢值增大。值增大。4.3.3 氢键的影响氢键的影响 氢键的形成氢键的形成 降低了核外电子云密度,有去屏蔽效应,降低了核外电子云密度,有去屏蔽效应, 使
19、质子的使质子的值显著增大。值显著增大。值会在很宽的范围内变化。值会在很宽的范围内变化。浓度浓度100%20%10%5%2%1%/ppm7.456.86.45.94.94.35分子内氢键:分子内氢键:化学位移与溶液浓度无关,取决于分子化学位移与溶液浓度无关,取决于分子 本身结构。本身结构。OHORRRCOCH2CORRCCHOHCOR1116 ppm重氢环己烷重氢环己烷C6D11H 的低温的低温1H-NMR谱谱4.3.4 温度的影响温度的影响温度可能引起化合物分子结构的变化温度可能引起化合物分子结构的变化.如环烷烃的构型翻转受阻。如环烷烃的构型翻转受阻。4.3.5 溶剂效应溶剂效应 溶剂不同使化
20、学位移改变的效应。溶剂不同使化学位移改变的效应。 原因:溶剂与化合物发生相互作用。原因:溶剂与化合物发生相互作用。 如形成氢键、瞬时配合物等。如形成氢键、瞬时配合物等。 一般化合物在一般化合物在CCl4和和CD3Cl中中NMR谱重现性好。谱重现性好。 在苯中溶剂效应则较大。在苯中溶剂效应则较大。在氯仿与苯中测定的化学位移差值(CDCl3-C6H6)对环己酮羰基邻位的直立氢或直立甲基为正值(屏蔽),而对邻位平伏氢或甲基氢则为很小的正值或负值(去屏蔽)。苯的溶剂效应苯的溶剂效应: : 1 1、苯对、苯对环己酮衍生物环己酮衍生物1 1H-NMRH-NMR谱的影响谱的影响 2 2、苯对二甲基甲酰胺、苯
21、对二甲基甲酰胺1 1H-NMRH-NMR谱的影响谱的影响 由于共轭效应,赋予N-CO 键以部分双键性质,氮上两个甲基是不等价的。 在苯中,苯与二甲基甲酰胺形成复合物,苯环较多地靠近带正电荷的氮而远离带负电荷的氧,使-甲基受到苯环的屏蔽,所以向高场位移。在CDCl3-C6D6混合溶剂中,随着苯溶剂的增加,-甲基的化学位移逐渐移向高场,最后越过-甲基。各类质子的化学位移值范围各类质子的化学位移值范围 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 RCH2-O=C-CH2-C=C-CH2-CCCH2-CH2-CH2-X-CH2-O-CH2-NO2C=C-HAr-HRCHORCOOH
22、五、各类质子的化学位移及经验计算五、各类质子的化学位移及经验计算5.1 5.1 饱和碳上质子的化学位移饱和碳上质子的化学位移 甲基甲基甲基的化学位移在甲基的化学位移在0.74ppm之间。之间。亚甲基(亚甲基(CHCH2 2) )和次甲基和次甲基(CH)(CH):1-2ppm1-2ppmShoolery Shoolery 经验计算:经验计算:-CH = 0.23 + Ci-CH = 0.23 + Ci0.230.23是甲烷的化学位移值,是甲烷的化学位移值,CiCi是与次甲基(亚甲是与次甲基(亚甲基)相连的取代基的影响参数(基)相连的取代基的影响参数(P75P75,表,表3.13.1)。)。 例:
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