大学物理第二版ppt课件.ppt
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1、17.1 17.1 固体的能带理论固体的能带理论固体指具有确定形状和体积的物体。固体指具有确定形状和体积的物体。分为:晶体、非晶体和准晶体分为:晶体、非晶体和准晶体一、晶体结构和晶体分类一、晶体结构和晶体分类1、晶体结构、晶体结构外观上:具有规则的几何形状外观上:具有规则的几何形状微观上:晶体点阵(晶格)微观上:晶体点阵(晶格)基本特征:规则排列,表现出长程有序性基本特征:规则排列,表现出长程有序性晶体中的重复单元称为晶胞晶体中的重复单元称为晶胞 Na Cl立方立方 Cs Cl体心体心立方立方Cu面心面心立方立方晶胞晶胞晶体晶体组成组成结合力结合力结合力结合力特性特性晶体晶体特性特性离子晶体离
2、子晶体正、负离子正、负离子库仑吸引力库仑吸引力(离子键)(离子键)无方向性无方向性无饱和性无饱和性硬度高、熔点高、硬度高、熔点高、性脆、电子导电性弱性脆、电子导电性弱共价晶体共价晶体原子原子共价键共价键有方向性有方向性有饱和性有饱和性硬度高、熔点高、硬度高、熔点高、沸点高、不溶于沸点高、不溶于所有寻常液体所有寻常液体晶体晶体组成组成结合力结合力结合力结合力特性特性晶体晶体特性特性金属晶体金属晶体原子实、价电子原子实、价电子金属键金属键有明显方向性有明显方向性有饱和性有饱和性具有导电性、导具有导电性、导热性、金属光泽热性、金属光泽分子晶体分子晶体电中性的无极分子电中性的无极分子范德瓦耳斯力范德瓦
3、耳斯力(范德瓦耳斯键)(范德瓦耳斯键)无方向性无方向性无饱和性无饱和性熔点低、硬度低、熔点低、硬度低、导电性差导电性差二、固体的能带二、固体的能带1、电子共有化、电子共有化U r单个原子单个原子U r两个原子两个原子 由于晶体中原子的周期由于晶体中原子的周期性排列而使价电子不再性排列而使价电子不再为单个原子所有的现象,为单个原子所有的现象,称为电子的共有化。称为电子的共有化。U r 晶体中周期性势场晶体中周期性势场2E1E2、能带的形成、能带的形成电子的共有化使原先每个原子中具有相同能级的电子的共有化使原先每个原子中具有相同能级的电子能级,因各原子间的相互影响而分裂成一系电子能级,因各原子间的
4、相互影响而分裂成一系列和原来能级很接近的新能级,形成能带。列和原来能级很接近的新能级,形成能带。Os1BrA0rEE 氢原子的能级分裂氢原子的能级分裂E 原子中原子中的能级的能级晶体中的能带晶体中的能带能带的一般规律:能带的一般规律:2. 越是外层电子,能带越宽,越是外层电子,能带越宽, E越越大。大。 1. 原子间距越小,能带越宽,原子间距越小,能带越宽, E越大。越大。 3. 两个能带有可能重叠。两个能带有可能重叠。禁带禁带:两个相邻能带间可能有一个不被允两个相邻能带间可能有一个不被允许的能量间隔。许的能量间隔。电子在能带中的分布:电子在能带中的分布:1、每个能带可以容纳的电子数等于与该能
5、带相应、每个能带可以容纳的电子数等于与该能带相应的原子能级所能容纳的电子数的的原子能级所能容纳的电子数的N倍(倍(N是组成晶是组成晶体的原子个数)。体的原子个数)。2、正常情况下,总是优先填能量较低的能级。、正常情况下,总是优先填能量较低的能级。满带:各能级都被电子填满的能带。满带:各能级都被电子填满的能带。 满带中电子不参与导电过程。满带中电子不参与导电过程。价带:由价电子能级分裂而形成的能带。价带:由价电子能级分裂而形成的能带。 价带能量最高,可能被填满,也可不满。价带能量最高,可能被填满,也可不满。空带:与各原子的激发态能级相应的能带。空带:与各原子的激发态能级相应的能带。 正常情况下没
6、有电子填入。正常情况下没有电子填入。 禁带禁带gE 空带空带(导带)(导带)满带满带 导带导带 满带满带三、导体和绝缘体三、导体和绝缘体当温度接近热力学温度零度时,半导体和绝缘当温度接近热力学温度零度时,半导体和绝缘体都具有满带和隔离满带与空带的禁带。体都具有满带和隔离满带与空带的禁带。 禁带禁带gE 空带空带满带满带半导体能带半导体能带eV.Eg5110 禁带禁带空带空带满带满带绝缘体能带绝缘体能带eVEg63 禁带禁带gE 价带价带满带满带 空带空带满带满带 空带空带价带价带 gE 满带满带一个好的金属导体,它最上一个好的金属导体,它最上面的能带或是未被电子填满,面的能带或是未被电子填满,
7、或虽被填满但填满的能带却或虽被填满但填满的能带却与空带相重叠。与空带相重叠。四、半导体四、半导体 本征半导体是指纯净的半导体。本征半导体是指纯净的半导体。杂质半导体是指掺有杂质半导体。杂质半导体是指掺有杂质半导体。电子导电电子导电半导体的载流子是电子半导体的载流子是电子空穴导电空穴导电半导体的载流子是空穴(满带上半导体的载流子是空穴(满带上 的一个电子跃迁到空带后的一个电子跃迁到空带后, ,满带满带 中出现的空位)中出现的空位)SiSiSiSiSiSiSiP1、 n型半导体型半导体 在四价元素中掺入少量五价元素,形成在四价元素中掺入少量五价元素,形成n型半导体。型半导体。导带导带施主施主能级能
8、级 gE 满带满带DE E SiSiSiSiSiSiSi2、 p型半导体型半导体 在四价元素中掺入少量三价元素,形成在四价元素中掺入少量三价元素,形成p型半导体。型半导体。B 导带导带受主受主能级能级 gE 满带满带AE E3、p-n结的形成结的形成由于由于n区的电子向区的电子向p区扩散,区扩散,p区的空穴向区的空穴向p区扩散,在区扩散,在p型半导体和型半导体和n型半导体的交型半导体的交界面附近产生了一个电场界面附近产生了一个电场 , , 称为内电场。称为内电场。p- -n结结阻阻En型型p型型0U导带导带禁带禁带满带满带 区区p区区n0eU 区区p区区n )a()b(p-n结的单向导电性结的
9、单向导电性在在p-n结的结的p型区接电源型区接电源正极正极,n区接负极区接负极阻挡层势垒被削弱、阻挡层势垒被削弱、变窄,有利于空穴向变窄,有利于空穴向n区运动,电子向区运动,电子向p区区运动,形成正向电流运动,形成正向电流。Ep型型n型型I阻阻EU(伏)(伏)I (毫安)(毫安)O在在p-n结的结的p型区接电型区接电源负极,源负极,n区接正极区接正极。阻挡层势垒增大、变阻挡层势垒增大、变宽,不利于空穴向宽,不利于空穴向n区区运动,也不利于电子运动,也不利于电子向向p区运动区运动。U(伏伏)I(微安)(微安)Ep型型n型型阻阻EI4、半导体的其他特征和应用、半导体的其他特征和应用热敏电阻热敏电阻
10、半导体的电阻随温度的升高而指数下降,半导体的电阻随温度的升高而指数下降,导电性能随变化十分灵敏。导电性能随变化十分灵敏。热敏电阻体积小、热惯性小、寿命长热敏电阻体积小、热惯性小、寿命长光敏电阻光敏电阻在可见光照射下,半导体硒的电阻随光强增加而急在可见光照射下,半导体硒的电阻随光强增加而急剧减小,但要求照射光的频率大于红限频率。剧减小,但要求照射光的频率大于红限频率。温差电偶温差电偶将两种不同的半导体组成回路,两个接头处于不同将两种不同的半导体组成回路,两个接头处于不同温度,回路中将产生温差电动势。温度,回路中将产生温差电动势。n型型p型型1T0T热端热端冷端冷端负载负载电流电流电流电流电势差增
11、加,半导体内电势差增加,半导体内电场也增强,阻止载流电场也增强,阻止载流子扩散,最后达到平衡子扩散,最后达到平衡。17.2 17.2 激光原理激光原理Light Amplification by StimulatedLaser受激辐射光放大受激辐射光放大一、激光的基本原理一、激光的基本原理1、自发辐射与受激辐射、自发辐射与受激辐射光与原子体系相互作用,同时存在光与原子体系相互作用,同时存在吸收吸收、自发自发辐射和辐射和受激受激辐射三种过程。辐射三种过程。自发辐射自发辐射 在没有任何外界作用下,激发态原子自发地从在没有任何外界作用下,激发态原子自发地从高能级向低能级跃迁,同时辐射出一光子。高能级
12、向低能级跃迁,同时辐射出一光子。满足条件:满足条件:h =E2-E11E 2E h 1E2E随机过程,用概率描述随机过程,用概率描述N2t时刻处于能级时刻处于能级E2上的原子数上的原子数自自 dtdN21单位时间内从高能级自发跃迁到单位时间内从高能级自发跃迁到 低能级的原子数低能级的原子数22121NAdtdN 自自A21自发辐射概率(自发跃迁率):表示一个原子自发辐射概率(自发跃迁率):表示一个原子 在单位时间内从在单位时间内从E2自发辐射到自发辐射到E1的概率的概率 自发辐射过程中各个原子辐射出的光子的相位、自发辐射过程中各个原子辐射出的光子的相位、偏振状态、传播方向等彼此独立,因而自发辐
13、射的偏振状态、传播方向等彼此独立,因而自发辐射的光是非相干光。光是非相干光。受激辐射受激辐射 处于高能级处于高能级E2上的原子,受到能量为上的原子,受到能量为h = E2- E1的外来光子的激励,由高能级的外来光子的激励,由高能级E2受迫跃迁到低能级受迫跃迁到低能级E1,同时辐射出一个与激励光子同时辐射出一个与激励光子全同全同的光子。的光子。频率、相位、偏振态、频率、相位、偏振态、传播方向等均同传播方向等均同 1E2E h h 1E2E h随机过程,用概率描述随机过程,用概率描述受受 dtdN21单位时间内从高能级单位时间内从高能级E2受激跃迁到受激跃迁到 低能级低能级E1的原子数的原子数22
14、121NWdtdN 受受B21受激辐射系数(由原子本身性质决定)受激辐射系数(由原子本身性质决定)W21表示一个原子在单位时间内从表示一个原子在单位时间内从E2受激辐射受激辐射 跃迁到跃迁到E1的概率的概率)t ,(BW 2121 ( ,t)辐射场的能量密度辐射场的能量密度受激吸收受激吸收 能量为能量为h = E2- E1的光子入射原子系统时,原子的光子入射原子系统时,原子吸收此光子从低能级吸收此光子从低能级E1跃迁到高能级跃迁到高能级E2。N1t时刻处于能级时刻处于能级E1上的原子数上的原子数吸吸 dtdN12单位时间内由于吸收光子从单位时间内由于吸收光子从E1跃迁跃迁 到到E2的原子数密度
15、的原子数密度11212NWdtdN 吸吸W12受激吸收跃迁概率受激吸收跃迁概率B12受激吸收系数受激吸收系数 ( ,t)辐射场的能量密度辐射场的能量密度)t ,(BW 21122、粒子数反转、粒子数反转 激光是通过受激辐射实现光放大,即要使受激激光是通过受激辐射实现光放大,即要使受激辐射超过吸收和自发辐射辐射超过吸收和自发辐射根据玻尔兹曼根据玻尔兹曼能量分布律能量分布律kTEEeNN)(1212 热动平衡下,热动平衡下, N2N1,即即处于高能级的原子数处于高能级的原子数大大少于低能级的原子数大大少于低能级的原子数粒子数的正常分布粒子数的正常分布受激辐射占支配地位受激辐射占支配地位粒子数反转粒
16、子数反转高能级上的粒高能级上的粒子数超过低能子数超过低能级上的粒子数级上的粒子数实现粒子数反转的条件:实现粒子数反转的条件:要有实现粒子数反转分布的物质,这种物质具有要有实现粒子数反转分布的物质,这种物质具有 适当的能级结构;适当的能级结构;必须从外界输入能量,使工作物质中尽可能多的必须从外界输入能量,使工作物质中尽可能多的 粒子处于激发态。(激励或泵浦)粒子处于激发态。(激励或泵浦)激励方法:光激励、电激励、化学激励激励方法:光激励、电激励、化学激励工作物质的能级结构:具有亚稳态工作物质的能级结构:具有亚稳态(寿命较长寿命较长)只有具有亚稳态的工作物质才能实现粒子数反转只有具有亚稳态的工作物
17、质才能实现粒子数反转1E3E4E2E)a(1E3E4E2E)b(工作跃迁工作跃迁粒粒子子数数反反转转的的实实现现3、光学谐振腔、光学谐振腔输出输出全反射镜全反射镜(100%反射镜)反射镜)部分透光反射镜部分透光反射镜(98%反射)反射)光光学学谐谐振振腔腔激发态激发态原子原子基基态态受激辐射受激辐射自发辐射自发辐射实现粒子数反转实现粒子数反转分布的激活介质分布的激活介质辐射的光的位相、辐射的光的位相、偏振状态、频率、偏振状态、频率、传播方向是随机的。传播方向是随机的。光学谐振腔的作用:光学谐振腔的作用: 1.使激光具有极好的方向性(沿轴线);使激光具有极好的方向性(沿轴线); 2.增强光放大作
18、用(延长了工作物质);增强光放大作用(延长了工作物质); 3.使激光具有极好的单色性(选频)。使激光具有极好的单色性(选频)。4、纵模与横模、纵模与横模谐振条件谐振条件:光波在谐振腔内能形成驻波:光波在谐振腔内能形成驻波3 , 2 , 1,2 kkLk nLckk2 或或腔长腔长谐振频率谐振频率频谱中每个谐振频谱中每个谐振频率成为一个频率成为一个振振荡纵模荡纵模。激光的纵模激光的纵模相邻两纵模间隔相邻两纵模间隔nLcnLcknLckk222) 1( 0 N个纵模个纵模谐振腔选频作用:谐振腔选频作用: 工作物质辐射的谱线有一工作物质辐射的谱线有一定宽度,只有满足阈值条件,定宽度,只有满足阈值条件
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