2022年2022年计算机组成原理RAM实验报告 .pdf

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1、山东大学软件 学院组成原理实验报告（实验）课程名称计算机组织与结构实验报告名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 6 页 - - - - - - - - - 学生姓名：学 号：指导教师：陈志勇实验地点：硬件实验室实验时间： 2014 年 12 月 11 日一、实验项目名称： RAM 实验二、实验目的：. 了解半导体静态随机读写存储器RAM 的工作原理及其使用方法。. 掌握半导体存储器的字、位扩展技术。三、实验内容：存储体开关（地址）隔离部件开关（数据）指示灯RAM

2、 实验结构图INTEL2114静态存储器：名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 6 页 - - - - - - - - - Intel2114RAM 存储器芯片为双列直插式集成电路芯片，共有 18 个引脚，各引脚的功能如下： A 0 -A 9 ： 10 根地址信号输入引脚。： 读写控制信号输入引脚，当为低电 平时，使输入三态门导通，信息由数据总线通过输入数据控制电路写入被选中的存储单元；反之从所选中的存储单元读出信息送到数据总线。I/O 1 I/O 4 ： 4

3、根数据输入输出信号引脚。：片选信号，低电平有效，通常接地址译码器的输出端。第一部分：采用 1K x 4 的芯片，构成 1K x 8 的存储器。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 6 页 - - - - - - - - - 第二部分：采用 1K x 4 的芯片，构成 2K x 4 的存储器。四、实验要求：采用 1K x 4 的芯片，构成1K x 8 的存储器 。选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的读 /写操作实验。采用 1K x 4

4、 的芯片，构成2K x 4 的存储器。必须使用译码器进行扩展（三输入都用，接开关）。选择五个不连续的存贮单元地址，分别存入不同内容，作单个存贮器单元的读 /写操作实验。选用适当芯片，根据各种控制信号的极性和时序要求，设计出实验线路图。分别设计 实验步骤 。使用开关进行数据加载，通过指示灯显示实验结果，记录试验现象，写出实验报告。给出字扩展试验中每片RAM 芯片的地址范围。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 6 页 - - - - - - - - - 五、参考器

5、件：RAM 采用两片MM2114 隔离部件采用74LS125 译码器采用74LS138 备注：为简化试验，地址可只用低4 位（其余地址可接地） 。六、实验数据记录及结果分析：字扩展的实验操作：1. 初始化：将 k15（ 74LS125的 C信号）推至高电平，断开开关输入。将 k13（ RAM 片选信号）推至低电平，选中RAM 。将 k14( 读写控制 ) 推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。2. 写入数据：将 k0k3 的四个开关调至想要输入的地址。将 k4k11 调整至想要的二进制输入值。将 k15（ 74LS125的 C信号）推至低电平，连接开关输入。将 k14（读写控

6、制）推至低电平写入状态，写入数据。3. 读取数据：将 k14（读写控制）推至高电平读取状态，断开对RAM 的写入。将 k15（ 74LS125的 C信号）推至高电平，断开开关对扽灯泡的影响，读取数据。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 6 页 - - - - - - - - - 位扩展的实验操作：1. 初始化：将 k15（ 74LS125的 C信号）推至高电平，断开开关输入。将 k13（第一块RAM 片选信号）推至低电平，选中RAM ，同时确保将k12（第二块

7、RAM 片选信号）推至高电平，使RAM 失效。将 k14( 读写控制 ) 推至高电平读取状态，以防选地址过程中对沿路数据进行修改。2. 写入数据：将 k0k3 的四个开关调至想要输入的地址。将 k4k7 调整至想要的二进制输入值。将 k15（ 74LS125的 C信号）推至低电平，连接开关输入。将 k14（读写控制）推至低电平写入状态，写入数据。3. 读取数据：将 k14（读写控制）推至高电平读取状态，断开对RAM 的写入。将 k15（ 74LS125的 C信号）推至高电平，断开开关对灯泡的影响，读取数据。名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 6 页 - - - - - - - - -