2022年电子工程师面试试题 .pdf

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1、模拟电路1、 基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子）基尔霍夫电流定律是一个电荷守恒定律, 即在一个电路中流入一个节点的电荷与流出同一个节点的电荷相等 . 基尔霍夫电压定律是一个能量守恒定律 , 即在一个回路中回路电压之和为零. 2、平板电容公式 (C=S/4kd) 。（未知）3、最基本的如三极管曲线特性。（未知）4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子）5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻， 改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）6、放大电路的

2、频率补偿的目的是什么，有哪些方法？ （仕兰微电子）7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。（凹凸）9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点 ，特别是广泛采用差分结构的原因。（未知）10、给出一差分电路， 告诉其输出电压Y+和 Y-, 求共模分量和差模分量。11、画差放的两个输入管。（凹凸）12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。（仕兰微电子）13、用运算放大器组成一个10 倍的放大器。（未知）14、 给出一个简单电路，让你分析输

3、出电压的特性 （就是个积分电路），并求输出端某点的 rise/fall时间。 (Infineon笔试试题 ) 15、电阻 R和电容 C串联，输入电压为 R和 C之间的电压， 输出电压分别为 C上电压和 R上电 压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 1 页，共 10 页 - - - - - - - - - 这两种电路何为高通滤波器， 何为低通滤波器 。当 RCT 时，给出输入电压波形图，绘制两种路的输出波形图。16、有源滤波器和无源滤波

4、器的原理及区别?（新太硬件）17、有一时域信号S=V0sin(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+2sin(2pif3t+90),当其通过低通、带通、高通滤波器后的信号表示方式。（未知）18、选择电阻时要考虑什么？（东信笔试题）19、在 CMOS 电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用 P管 还是 N管，为什么？（仕兰微电子）20、给出多个 mos管组成的电路求5 个点的电压。 (Infineon笔试试题) 21、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块，请画出你知道的线路结构，简单描述其优缺点。（仕兰微电子）22、画电流偏置的产生电路，并解释。（凹凸）23、

5、史密斯特电路 , 求回差电压。（华为面试题）24、晶体振荡器 , 好像是给出振荡频率让你求周期( 应该是单片机的,12 分之一周期 .) （华为面试题）25、LC正弦波振荡器有哪几种三点式振荡电路，分别画出其原理图。（仕兰微电子）26、VCO 是什么 , 什么参数 (压控振荡器 ?) （华为面试题）27、锁相环有哪几部分组成？（仕兰微电子）28、锁相环电路组成，振荡器（比如用D触发器如何搭）。（未知）29、求锁相环的输出频率，给了一个锁相环的结构图。（未知）30、如果公司做高频电子的，可能还要RF知识，调频，鉴频鉴相之类，不一一列举。31、一电源和一段传输线相连（长度为L, 传输时间为 T），

6、画出终端处波形，考虑传输线无损耗。给出电源电压波形图，要求绘制终端波形图。（未知）名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 2 页，共 10 页 - - - - - - - - - 32、微波电路的匹配电阻。（未知）33、DAC 和 ADC 的实现各有哪些方法？（仕兰微电子）34、A/D电路组成、工作原理。（未知）35、实际工作所需要的一些技术知识(面试容易问到 ) 。如电路的低功耗，稳定，高速如何做到，调运放，布版图注意的地方等等, 一般会针对简历上你所写做过的东西具体问，肯

7、定会问得很细。数字电路1、同步电路和异步电路的区别是什么？（仕兰微电子）2、什么是同步逻辑和异步逻辑？（汉王笔试）同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系。异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系。3、什么是 线与 逻辑，要实现它，在硬件特性上有什么具体要求？（汉王笔试）线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上，要用oc 门来实现，由于不用oc 门可能使灌电流过大，而烧坏逻辑门。同时在输出端口应加一个上拉电阻。4、什么是 Setup 和 Holdup 时间？（汉王笔试）5、setup 和 holdup 时间, 区别. （南山之桥）6、 解释 setup time 和 hold time 的

8、定义和在时钟信号延迟时的变化。7、解释 setup 和 hold time violation，画图说明，并说明解决办法。盛 VIA2003.11.06 上海笔试试题）Setup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求。建立时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以前，数据稳定不变的时间。输入信号应提前时钟上升沿（如上升沿有效）T时间到达芯片，这个T就是建立时间 -Setuptime. 如不满足 setup time, 这个数据就不能被这一时钟打入触发器， 只有在下一个时钟上升沿， 数据才能被打入触发器。保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后，数据稳定不变的时间。 如果

9、 hold time 不够，数据同样不能被打入触发器. 建立时间 (Setup Time)和保持时间（ Hold time ）。建立时间是指在时钟边沿前，数据信号需要保持不变的时间。保持时间是指时钟跳变边沿后数据信号需要保持不变的时间。如果不满足建立和保持时间的话，那么 DFF将不能正确地采样到数据，将会出现 metastability的情况。如果数据信号在时钟沿触发前后名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 3 页，共 10 页 - - - - - - - - - 持续的时

10、间均超过建立和保持时间，那么超过量就分别被称为建立时间裕量和保持时间裕量。8、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解，并举例说明竞争和冒险怎样消除。（仕兰微电子）9、什么是竞争与冒险现象？怎样判断？如何消除？（汉王笔试）在组合逻辑中， 由于门的输入信号通路中经过了不同的延时，导致到达该门的时间不一致叫竞争。 产生毛刺叫冒险。 如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象。解决方法： 一是添加布尔式的消去项， 二是在芯片外部加电容。10、你知道那些常用逻辑电平？TTL与 COMS 电平可以直接互连吗？（汉王笔试）常用逻辑电平： 12V，5V，3.3V；TTL和 CMOS 不可以直接互连，由于TT

11、L是在 0.3-3.6V 之间，而 CMOS 则是有在 12V的有在 5V的。CMOS 输出接到 TTL是可以直接互连。 TTL接到 CMOS 需要在输出端口加一上拉电阻接到 5V或者 12V。11、如何解决亚稳态。（飞利浦大唐笔试）亚稳态是指触发器无法在某个规定时间段内达到一个可确认的状态。当一个触发器进入亚稳态时， 既无法预测该单元的输出电平， 也无法预测何时输出才能稳定在某个正确的电平上。在这个稳定期间， 触发器输出一些中间级电平， 或者可能处于振荡状态， 并且这种无用的输出电平可以沿信号通道上的各个触发器级联式传播下去。12、IC 设计中同步复位与异步复位的区别。（南山之桥）13、MO

12、ORE 与 MEELEY 状态机的特征。（南山之桥）14、多时域设计中 , 如何处理信号跨时域。（南山之桥）15、给了 reg 的 setup,hold时间，求中间组合逻辑的delay 范围。（飞利浦大唐笔试）Delay q,还有clock 的 delay, 写出决定最大时钟的因素，同时给出表达式。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 4 页，共 10 页 - - - - - - - - - 18、说说静态、动态时序模拟的优

13、缺点。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）19、一个四级的 Mux,其中第二级信号为关键信号如何改善 timing 。（威盛 VIA2003.11.06 上海笔试试题）20、给出一个门级的图， 又给了各个门的传输延时， 问关键路径是什么，还问给出输入，使得输出依赖于关键路径。（未知）21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简，时序（同步异步差异），触发器有几种（区别，优点），全加器等等。（未知）22、卡诺图写出逻辑表达使。 （威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题）23、化简 F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。（威盛）24、p

14、lease show the CMOS inverter schmatic,layout and its cro sectionwith P- well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve?（威盛笔试题 c ircuit design-beijing-03.11.09）25、To design a CMOS invertor with balance rise

15、 and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain? 26、 为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比 N管的宽长比大？（仕兰微电子）27、用 mos管搭出一个二输入与非门。（扬智电子笔试）28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less

16、 delay time)。（威盛笔试题 circuit design-beijing-03.11.09）29、画出 NOT,NAND,NOR的符号，真值表，还有transistor level的电路。（ Infineon笔试）30、 画出 CMOS 的图， 画出 tow-to-one mux gate 。（威盛 VIA 2003.11.06上海笔试试题）名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 5 页，共 10 页 - - - - - - - - - 31、用一个二选一 mux

17、和一个 inv 实现异或。（飞利浦大唐笔试）32、画出 Y=A*B+C 的 cmos电路图。（科广试题）33、用逻辑们和 cmos电路实现 ab+cd。（飞利浦大唐笔试）34、画出 CMOS 电路的晶体管级电路图，实现Y=A*B+C(D+E) 。（仕兰微电子）35、利用 4 选 1 实现 F(x,y,z)=xz+yz。（未知）36、给一个表达式 f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少数量的与非门实现（实际上就是化简）。37、给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图，根据输入波形画出各点波形。（ Infineon笔试）38、为了实现逻辑（ A XOR B ）OR （C

18、 AND D ），请选用以下逻辑中的一种，并说明为什么？ 1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND （未知）39、用与非门等设计全加法器。（华为）40、给出两个门电路让你分析异同。（华为）41、用简单电路实现， 当 A为输入时，输出 B波形为（仕兰微电子）42、A,B,C,D,E 进行投票，多数服从少数，输出是F（也就是如果A,B,C,D 中 1 的个数比 0 多，那么 F输出为 1，否则 F 为 0），用与非门实现，输入数目没有限制。43、用波形表示 D触发器的功能。（扬智电子笔试）44、用传输门和倒向器搭一个边沿触发器。（扬智电子笔试）45、用

19、逻辑们画出 D触发器。（威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题）46、画出 DFF的结构图 , 用 verilog实现之。（威盛）47、画出一种 CMOS 的 D锁存器的电路图和版图。（未知）48、D触发器和 D锁存器的区别。（新太硬件面试）名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 6 页，共 10 页 - - - - - - - - - 49、简述 latch和 filp-flop的异同。（未知）50、LATCH 和 DFF的概念和区别。（未知）51、latch 与

20、 register的区别 , 为什么现在多用 register.行为级描述中 latch如何产生的。（南山之桥）52、用 D触发器做个二分颦的电路. 又问什么是状态图。（华为）53、请画出用 D触发器实现 2 倍分频的逻辑电路？（汉王笔试）54、怎样用 D触发器、与或非门组成二分频电路？（东信笔试）55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16?(Intel) 16分频？56、 用 filp-flop和 logic-gate设计一个 1 位加法器，输入 carryin和 current-stage，输出 carryout和 n

21、ext-stage. （未知）57、用 D触发器做个 4 进制的计数。（华为）58、实现 N位 Johnson Counter,N=5 。（南山之桥）59、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7 进制循环计数器，15 进制的呢？（仕兰微电子）60、数字电路设计当然必问Verilog/VHDL ，如设计计数器。（未知）61、BLOCKING NONBLOCKING 赋值的区别。（南山之桥）62、写异步 D触发器的 verilog module。（扬智电子笔试）module dff8(clk , reset, d, q); input clk; input reset; input 7:0 d;

22、 output 7:0 q; reg 7:0 q; always (posedge clk or posedge reset) if(reset) q = 0; else q = d; endmodule 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 7 页，共 10 页 - - - - - - - - - 63、用 D触发器实现 2 倍分频的 Verilog描述？ （汉王笔试）module divide2( clk , clk_o, reset); input clk , res

23、et; output clk_o; wire in; reg out ; always ( posedge clk or posedge reset) if ( reset) out = 0; else out = in; assign in = out; assign clk_o = out; endmodule 64、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要，请问：a) 你所知道的可编程逻辑器件有哪些？ b) 试用 VHDL 或 VERILOG 、ABLE描述 8位 D触发器逻辑。（汉王笔试）PAL ，PLD ，CPLD ，FPGA 。module dff8(clk , reset, d,

24、 q); input clk; input reset; input d; output q; reg q; always (posedge clk or posedge reset) if(reset) q = 0; else q = d; endmodule 65、请用 HDL描述四位的全加法器、 5 分频电路。（仕兰微电子）66、用 VERILOG 或 VHDL 写一段代码，实现 10 进制计数器。（未知）67、用 VERILOG 或 VHDL 写一段代码， 实现消除一个 glitch。 （未知）68、一个状态机的题目用verilog实现（不过这个状态机画的实在比较差，很容易误解的）。（

25、威盛 VIA 2003.11.06 上海笔试试题）69、描述一个交通信号灯的设计。（仕兰微电子）名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 8 页，共 10 页 - - - - - - - - - 70、画状态机，接受 1，2，5 分钱的卖报机，每份报纸5 分钱。（扬智电子笔试）71、设计一个自动售货机系统，卖soda 水的，只能投进三种硬币，要正确的找回钱数。（ 1）画出 fsm（有限状态机）；（ 2）用 verilog编程，语法要符合 fpga 设计的要求。72、设计一个自动

26、饮料售卖机， 饮料 10 分钱，硬币有 5 分和 10 分两种，并考虑找零：（ 1） 画出 fsm（有限状态机）；（ 2）用 verilog编程，语法要符合 fpga 设计的要求；（3）设计工程中可使用的工具及设计大致过程。（未知）73、画出可以检测 10010串的状态图 , 并 verilog实现之。（威盛）74、用 FSM 实现 101101 的序列检测模块。（南山之桥）a 为输入端， b 为输出端，如果 a 连续输入为 1101 则 b 输出为 1，否则为 0。例如 a： 0001100110110100100110 b： 0000000000100100000000 请画出 state

27、 machine ；请用 RTL描述其 state machine 。（未知）75、用 verilog/vddl检测 stream 中的特定字符串 （分状态用状态机写）。（飞利浦大唐笔试）76、用 verilog/vhdl写一个 fifo控制器( 包括空，满，半满信号 ) 。（飞利浦大唐笔试）77、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx ，其中，x 为 4 位二进制整数输入信号。 y 为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为35v 假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。（仕兰微电子）78、sram，falsh memory

28、 ，及 dram的区别？（新太硬件面试）79、给出单管 DRAM 的原理图 ( 西电版数字电子技术基础 作者杨颂华、冯毛官 205 页图 9 14b)，问你有什么办法提高refresh time，总共有 5 个问题，记不起来了。（降低温度， 增大电容存储容量）（Infineon笔试）80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 9 页，共 10 页 - - - - - - -

29、 - - transistors,point out which nodes can store data and which node is word line control? （威盛笔试题 cir cuit design-beijing-03.11.09）81、名词 :sram,ssram,sdram 名词 IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR IRQ: Interrupt ReQuest BIOS: Basic Input Output System USB: Universal Serial Bus VHDL: VHIC Hardware Description Languag

30、e SDR: Single Data Rate 压控振荡器的英文缩写 (VCO)。动态随机存储器的英文缩写(DRAM) 。名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC 、DDR 、interrupt、pipeline IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO( 压控振荡器 ) RAM ( 动态随机存储器) ，FIR IIR DFT(离散傅立叶变换 ) 或者是中文的，比如： a. 量化误差b. 直方图 c. 白平衡名师资料总结 - - -精品资料欢迎下载 - - - - - - - - - - - - - - - - - - 名师精心整理 - - - - - - - 第 10 页，共 10 页 - - - - - - - - -