邯郸碳化硅衬底设备项目商业计划书【参考模板】.docx

《邯郸碳化硅衬底设备项目商业计划书【参考模板】.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《邯郸碳化硅衬底设备项目商业计划书【参考模板】.docx（132页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、泓域咨询/邯郸碳化硅衬底设备项目商业计划书邯郸碳化硅衬底设备项目商业计划书xxx集团有限公司目录第一章 项目总论9一、 项目定位及建设理由9二、 项目名称及建设性质9三、 项目承办单位10四、 项目建设选址11五、 项目生产规模11六、 建筑物建设规模11七、 项目总投资及资金构成11八、 资金筹措方案12九、 项目预期经济效益规划目标12十、 项目建设进度规划13十一、 项目综合评价13主要经济指标一览表13第二章 市场分析16一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期16二、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%17三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心18第三章 公

2、司基本情况21一、 公司基本信息21二、 公司简介21三、 公司竞争优势22四、 公司主要财务数据24公司合并资产负债表主要数据24公司合并利润表主要数据24五、 核心人员介绍25六、 经营宗旨26七、 公司发展规划27第四章 背景、必要性分析29一、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒29二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期30三、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越32四、 推进新型城镇化和城乡融合34五、 实施高水平对外开放，开拓区域合作新局面35六、 项目实施的必要性38第五章 创新发展40一、 企业技术研发分析40二、 项目技术工

3、艺分析42三、 质量管理44四、 创新发展总结45第六章 SWOT分析说明47一、 优势分析（S）47二、 劣势分析（W）49三、 机会分析（O）49四、 威胁分析（T）50第七章 运营模式分析56一、 公司经营宗旨56二、 公司的目标、主要职责56三、 各部门职责及权限57四、 财务会计制度60第八章 发展规划分析64一、 公司发展规划64二、 保障措施65第九章 法人治理结构68一、 股东权利及义务68二、 董事72三、 高级管理人员77四、 监事79第十章 建筑工程可行性分析81一、 项目工程设计总体要求81二、 建设方案82三、 建筑工程建设指标82建筑工程投资一览表83第十一章 产品

4、方案与建设规划85一、 建设规模及主要建设内容85二、 产品规划方案及生产纲领85产品规划方案一览表85第十二章 项目风险分析87一、 项目风险分析87二、 公司竞争劣势92第十三章 进度实施计划93一、 项目进度安排93项目实施进度计划一览表93二、 项目实施保障措施94第十四章 投资方案95一、 投资估算的依据和说明95二、 建设投资估算96建设投资估算表100三、 建设期利息100建设期利息估算表100固定资产投资估算表102四、 流动资金102流动资金估算表103五、 项目总投资104总投资及构成一览表104六、 资金筹措与投资计划105项目投资计划与资金筹措一览表105第十五章 经济

5、效益107一、 经济评价财务测算107营业收入、税金及附加和增值税估算表107综合总成本费用估算表108固定资产折旧费估算表109无形资产和其他资产摊销估算表110利润及利润分配表112二、 项目盈利能力分析112项目投资现金流量表114三、 偿债能力分析115借款还本付息计划表116第十六章 总结评价说明118第十七章 补充表格121建设投资估算表121建设期利息估算表121固定资产投资估算表122流动资金估算表123总投资及构成一览表124项目投资计划与资金筹措一览表125营业收入、税金及附加和增值税估算表126综合总成本费用估算表127固定资产折旧费估算表128无形资产和其他资产摊销估算

6、表129利润及利润分配表129项目投资现金流量表130报告说明根据谨慎财务估算，项目总投资10336.45万元，其中：建设投资8012.24万元，占项目总投资的77.51%；建设期利息229.75万元，占项目总投资的2.22%；流动资金2094.46万元，占项目总投资的20.26%。项目正常运营每年营业收入20200.00万元，综合总成本费用16862.60万元，净利润2435.86万元，财务内部收益率16.71%，财务净现值1002.31万元，全部投资回收期6.47年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本

7、占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目总论一、 项目定位及建设理由由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例

8、，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。二、 项目名称及建设性质（一）项目名称邯郸碳化硅衬底设备项目（二）项目建设性质

9、本项目属于技术改造项目三、 项目承办单位（一）项目承办单位名称xxx集团有限公司（二）项目联系人曾xx（三）项目建设单位概况公司依据公司法等法律法规、规范性文件及公司章程的有关规定，制定并由股东大会审议通过了董事会议事规则，董事会议事规则对董事会的职权、召集、提案、出席、议事、表决、决议及会议记录等进行了规范。 公司将依法合规作为新形势下实现高质量发展的基本保障，坚持合规是底线、合规高于经济利益的理念，确立了合规管理的战略定位，进一步明确了全面合规管理责任。公司不断强化重大决策、重大事项的合规论证审查，加强合规风险防控，确保依法管理、合规经营。严格贯彻落实国家法律法规和政府监管要求，重点领域合

10、规管理不断强化，各部门分工负责、齐抓共管、协同联动的大合规管理格局逐步建立，广大员工合规意识普遍增强，合规文化氛围更加浓厚。公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。四、 项目建设选址本期项目选址位于

11、xxx（待定），占地面积约28.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。五、 项目生产规模项目建成后，形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。六、 建筑物建设规模本期项目建筑面积31447.88，其中：生产工程22038.08，仓储工程5383.42，行政办公及生活服务设施2985.60，公共工程1040.78。七、 项目总投资及资金构成（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资10336.45万元，其中：建设投资8012.24万元，占项目总投资的77.51%；建设

12、期利息229.75万元，占项目总投资的2.22%；流动资金2094.46万元，占项目总投资的20.26%。（二）建设投资构成本期项目建设投资8012.24万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用6798.26万元，工程建设其他费用1003.13万元，预备费210.85万元。八、 资金筹措方案本期项目总投资10336.45万元，其中申请银行长期贷款4688.84万元，其余部分由企业自筹。九、 项目预期经济效益规划目标（一）经济效益目标值（正常经营年份）1、营业收入（SP）：20200.00万元。2、综合总成本费用（TC）：16862.60万元。3、净利润（NP）：2435.8

13、6万元。（二）经济效益评价目标1、全部投资回收期（Pt）：6.47年。2、财务内部收益率：16.71%。3、财务净现值：1002.31万元。十、 项目建设进度规划本期项目按照国家基本建设程序的有关法规和实施指南要求进行建设，本期项目建设期限规划24个月。十一、 项目综合评价本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1

14、占地面积18667.00约28.00亩1.1总建筑面积31447.881.2基底面积11013.531.3投资强度万元/亩276.672总投资万元10336.452.1建设投资万元8012.242.1.1工程费用万元6798.262.1.2其他费用万元1003.132.1.3预备费万元210.852.2建设期利息万元229.752.3流动资金万元2094.463资金筹措万元10336.453.1自筹资金万元5647.613.2银行贷款万元4688.844营业收入万元20200.00正常运营年份5总成本费用万元16862.606利润总额万元3247.827净利润万元2435.868所得税万元81

15、1.969增值税万元746.5010税金及附加万元89.5811纳税总额万元1648.0412工业增加值万元5656.3113盈亏平衡点万元9053.08产值14回收期年6.4715内部收益率16.71%所得税后16财务净现值万元1002.31所得税后第二章 市场分析一、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-V

16、I）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：

17、以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。二、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46

18、%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产

19、射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅

20、衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶

21、端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平

22、每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。第三章 公司基本情况一、 公司基本信息1、公司名称：xxx集团有限公司2、法定代表人：曾xx3、注册资本：920万元4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx5、登记机关：xxx市场监督管理局6、成立日期：2011-3-77、营业期限：2011-3-7至无固定期限8、注册地址：xx市xx区xx9、经营范围：从事碳化硅设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止

23、和限制类项目的经营活动。）二、 公司简介公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求卓越，回报社会” 的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。公司不断建设和完善企业信息化服务平台，实施“互联网+”企业专项行动，推广适合企业需求的信息化产品和服务，促进互联网和信息技术在企业经营管理各个环节中的应用，业通过信息化提高效率和效益。搭建信息化服务平台，培育产业链，打造创新链，提升价值链，促进带动产业链上下游企业协同发展。三、 公司竞争优势（一）自主研发优势公司在各个细分领域深入研究的同时，通过整合各平台优势，构建全产品系列，并不断进行产

24、品结构升级，顺应行业一体化、集成创新的发展趋势。通过多年积累，公司产品性能处于国内领先水平。公司多年来坚持技术创新，不断改进和优化产品性能，实现产品结构升级。公司结合国内市场客户的个性化需求，不断升级技术，充分体现了公司的持续创新能力。在不断开发新产品的过程中，公司已有多项产品均为国内领先水平。在注重新产品、新技术研发的同时，公司还十分重视自主知识产权的保护。（二）工艺和质量控制优势公司进口大量设备和检测设备，有效提高了精度、生产效率，为产品研发与确保产品质量奠定了坚实的基础。此外，公司是行业内较早通过ISO9001质量体系认证的企业之一，公司产品根据市场及客户需要通过了产品认证，表明公司产品

25、不仅满足国内高端客户的要求，而且部分产品能够与国际标准接轨，能够跻身于国际市场竞争中。在日常生产中，公司严格按照质量体系管理要求，不断完善产品的研发、生产、检验、客户服务等流程，保证公司产品质量的稳定性。（三）产品种类齐全优势公司不仅能满足客户对标准化产品的需求，而且能根据客户的个性化要求，定制生产规格、型号不同的产品。公司齐全的产品系列，完备的产品结构，能够为客户提供一站式服务。对公司来说，实现了对具有多种产品需求客户的资源共享，拓展了销售渠道，增加了客户粘性。公司产品价格与国外同类产品相比有较强性价比优势，在国内市场起到了逐步替代进口产品的作用。（四）营销网络及服务优势根据公司产品服务的特

26、点、客户分布的地域特点，公司营销覆盖了华南、华东、华北及东北等下游客户较为集中的区域，并在欧美、日本、东南亚等国家和地区初步建立经销商网络，及时了解客户需求，为客户提供贴身服务，达到快速响应的效果。公司拥有一支行业经验丰富的销售团队，在各区域配备销售人员，建立从市场调研、产品推广、客户管理、销售管理到客户服务的多维度销售网络体系。公司的服务覆盖产品服务整个生命周期，公司多名销售人员具有研发背景，可引导客户的技术需求并为其提供解决方案，为客户提供及时、深入的专业技术服务与支持。公司与经销商互利共赢，结成了长期战略合作伙伴关系，公司经销网络较为稳定，有利于深耕行业和区域市场，带动经销商共同成长。四

27、、 公司主要财务数据公司合并资产负债表主要数据项目2020年12月2019年12月2018年12月资产总额3296.242636.992472.18负债总额1512.961210.371134.72股东权益合计1783.281426.621337.46公司合并利润表主要数据项目2020年度2019年度2018年度营业收入14450.7411560.5910838.06营业利润2912.622330.102184.47利润总额2472.961978.371854.72净利润1854.721446.681335.40归属于母公司所有者的净利润1854.721446.681335.40五、 核心人员

28、介绍1、曾xx，中国国籍，无永久境外居留权，1958年出生，本科学历，高级经济师职称。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事长；2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事长；2016年11月至今任xxx有限公司董事、经理；2019年3月至今任公司董事。2、龚xx，中国国籍，1978年出生，本科学历，中国注册会计师。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司独立董事。3、崔xx，中国国籍，1976年出生，本科学历。2003年5月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2003年11月至2011年3

29、月任xxx有限责任公司执行董事、总经理；2004年4月至2011年9月任xxx有限责任公司执行董事、总经理。2018年3月起至今任公司董事长、总经理。4、顾xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971年出生，本科学历，中级会计师职称。2002年6月至2011年4月任xxx有限责任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限责任公司财务经理。2017年3月至今任公司董事、副总经理、财务总监。5、尹xx，中国国籍，1977年出生，本科学历。2018年9月至今历任公司办公室主任，2017年8月至今任公司监事。6、段xx，中国国籍，无永久境外居留权，1970年出生，硕士研究生学历。2012年4

30、月至今任xxx有限公司监事。2018年8月至今任公司独立董事。7、杨xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959年出生，大专学历，高级工程师职称。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技术顾问；2004年8月至2011年3月任xxx有限责任公司总工程师。2018年3月至今任公司董事、副总经理、总工程师。8、戴xx，1974年出生，研究生学历。2002年6月至2006年8月就职于xxx有限责任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限责任公司销售部副经理。2011年3月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；2019年8月至今任公司监事会主席。六、 经营宗旨依据有关法律、法规

31、，自主开展各项业务，务实创新，开拓进取，不断提高产品质量和服务质量，改善经营管理，促进企业持续、稳定、健康发展，努力实现股东利益的最大化，促进行业的快速发展。七、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的不断创新以及

32、与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。第四章 背景、必要性分析

33、一、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高，设备+工艺合作研发是关键。长晶炉：主要由衬底制造厂商自研开发，可基本实现国产化（与传统晶硅级长晶炉有相同性，炉子结构不是非常复杂），市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT（物理气相传输）的技术路线，温度很高，不可实施监控，难点不在设备本身，而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样，也是各家的核心机密所在，只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括：Wolfspe

34、ed,Aymont,Aixtron，LHT，中国电科二所，山东天岳，天科合达，中科院硅酸盐所，中国电科四十六所等。切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫氏硬度达9.5，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度非常大，切一刀可能需几百个小时，对系统设备的稳定性很高，国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备（金刚石多线切割机）占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备：和传统硅机台基本类似，主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括：日本不二越、韩国NTS、

35、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。二、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共4

36、8颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车SiC器件使用量将达到100-150颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市

37、场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10

38、%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的

39、可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（Si

40、C）为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-

41、10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。四、 推进新型城镇化和城乡融合以国土空间规划为引领，深入落实区域协调发展战略、主体功能区战略、新型城镇化战略，构

42、建高质量发展的国土空间布局和支撑体系。（一）建立国土空间规划体系全面对标对表国家、省国土空间规划纲要，推动总体规划与专项规划和详细规划有机衔接。科学划定生态保护红线、永久基本农田、城镇开发边界，优化重大基础设施、重大生产力和公共资源布局，支持城市化地区高效率聚集经济和人口、保护基本农田和生态空间，支持农产品主产区增强农业生产能力，支持生态功能区加强自然生态保护、提供生态产品，逐步形成中部都市圈功能集聚区、东部特色经济发展区、西部太行山生态保护区三大空间布局。完善规划法规政策体系，强化规划监督实施，严格审批和监管，确保“一张蓝图干到底”。（二）优化中心城区功能布局构建“太行为屏、滏水绕城、环城绿

43、廊、十字轴带、满城园景”的中心城区空间形态。主城区围绕“东强、南联、西美、北升、中优”总体思路，提高城市辐射带动力、综合承载力、聚集吸引力。全面推进东湖新城建设，加快中央商务区建设步伐，建设创新引领中心和高质量发展示范平台；依托冀南新区，加快滏阳河生态修复和马头镇区改造，推动高端装备制造基地、职教城、科教城与空港陆港区、新一中联动发展，促进产城教一体化，打造南部滏阳新城；依托邯西生态区、园博园，优化西部居住环境，高品质规划建设邯钢老区搬迁片区，打造西部生态新城；依托丛台产业新城、新二中和北湖生态优势，提升产业和人口聚集能力，建设特色滨水街区，打造北部产业新城；坚持旧城改造与功能完善并举，加大基

44、础设施、老旧小区、棚户区、城中村改造和社区建设力度，做优老城区，打造城市双修示范区、宜居宜业宜游宜养示范区。组团城区加快推进邯永、邯肥、邯峰三条快速路建设，谋划推进城市轨道交通，构建组团城区间快捷高效交通网，强化“软隔离”生态带建设，支持永年区、肥乡区、峰峰矿区提升城区和产业现代化水平，与主城区融合发展，提高中心城区首位度和综合竞争力。五、 实施高水平对外开放，开拓区域合作新局面坚定不移实施更大范围、更宽领域、更深层次对外开放，坚持高质量引进来和高水平走出去相结合，增强自身竞争实力，积极实现互利共赢。（一）加强与京津协同发展坚持“四地一中心”功能定位，有效承接先进装备制造、食品加工、生物技术等

45、京津产业转移，加强产业链供应链创新链协同对接。大力建设邯郸经济技术开发区、冀南新区等省级重点承接平台，鼓励以“微中心”“园中园”等模式，加快建设一批协作京津、链条互补的县域特色产业园区、产业集群。加强市场对接，推动邯郸优质特色农副产品稳定供应京津市场。积极融入“轨道上的京津冀”，加强与京津、雄安新区互联互通。促进京津优质教育、医疗资源向邯郸延伸，加快基本公共服务共建共享。积极对接雄安新区，促进装配式建筑、新型建材、新材料、新能源、安防应急等方面的产品配套、产业承接和项目延伸，推进“雄安建设、邯郸配套”联动发展。（二）深度融入“一带一路”建设推进重点企业参与境外资源开发、传统优势产业跨国经营、服

46、务贸易企业境外投资合作，支持企业共建共享海外仓，构建互利共赢的产业链供应链合作体系。深化国际产能和第三方市场合作，鼓励优势产能和装备走出去，支持新峰水泥、普阳钢铁、文安钢铁、晨光生物、企美农科等企业海外项目做大做强，打造境外生产基地和产业园区。支持邯郸国际陆港中欧班列常态化开行和双向对开，畅通国际物流渠道。与沿线国家在教育、科技、投资等多领域开展合作，促进经贸往来与人文交流。（三）着力稳定外资外贸实施外贸综合实力提升工程，支持外贸企业优化出口商品结构和国际市场布局，推动优质产品走向世界。加大对钢材、铸管、标准件、陶瓷、童车、食品等县域特色产业外贸基地的支持力度。培育跨境电商、市场采购贸易、外贸综合服务等新业态新模式，支持河北陆港保税物流有限公司、青岛保税港区邯郸（鸡泽）功能区扩大进出口业务，发展跨境电商业务，拓展跨境寄递服务。持续建设义乌“邯郸产品展示中心”，发挥各类