桂林碳化硅衬底项目商业计划书(模板参考).docx
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1、泓域咨询/桂林碳化硅衬底项目商业计划书桂林碳化硅衬底项目商业计划书xxx有限公司目录第一章 项目基本情况9一、 项目提出的理由9二、 项目概述9三、 项目总投资及资金构成12四、 资金筹措方案12五、 项目预期经济效益规划目标12六、 项目建设进度规划13七、 研究结论13八、 主要经济指标一览表13主要经济指标一览表13第二章 项目背景及必要性16一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期16二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%17三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心18四、 提升产业链供应链现代化水平20五、 项目实施的必要性20第三章 公司基本情况22一、
2、公司基本信息22二、 公司简介22三、 公司竞争优势24四、 公司主要财务数据26公司合并资产负债表主要数据26公司合并利润表主要数据26五、 核心人员介绍26六、 经营宗旨28七、 公司发展规划28第四章 行业、市场分析34一、 受益新能源车爆发,SiC产业化黄金时代将来临34二、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越35三、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期37第五章 运营模式40一、 公司经营宗旨40二、 公司的目标、主要职责40三、 各部门职责及权限41四、 财务会计制度44第六章 法人治理51一、 股东权利及义务51二、 董事58三、 高级管理人员62四
3、、 监事65第七章 创新驱动67一、 企业技术研发分析67二、 项目技术工艺分析69三、 质量管理71四、 创新发展总结72第八章 SWOT分析说明73一、 优势分析(S)73二、 劣势分析(W)75三、 机会分析(O)75四、 威胁分析(T)76第九章 发展规划82一、 公司发展规划82二、 保障措施86第十章 风险分析89一、 项目风险分析89二、 项目风险对策91第十一章 建设内容与产品方案94一、 建设规模及主要建设内容94二、 产品规划方案及生产纲领94产品规划方案一览表95第十二章 建筑工程方案96一、 项目工程设计总体要求96二、 建设方案96三、 建筑工程建设指标97建筑工程投
4、资一览表97第十三章 进度规划方案99一、 项目进度安排99项目实施进度计划一览表99二、 项目实施保障措施100第十四章 项目投资计划101一、 投资估算的依据和说明101二、 建设投资估算102建设投资估算表106三、 建设期利息106建设期利息估算表106固定资产投资估算表108四、 流动资金108流动资金估算表109五、 项目总投资110总投资及构成一览表110六、 资金筹措与投资计划111项目投资计划与资金筹措一览表111第十五章 经济收益分析113一、 基本假设及基础参数选取113二、 经济评价财务测算113营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表115利润及利
5、润分配表117三、 项目盈利能力分析118项目投资现金流量表119四、 财务生存能力分析121五、 偿债能力分析121借款还本付息计划表122六、 经济评价结论123第十六章 总结124第十七章 附表附件126营业收入、税金及附加和增值税估算表126综合总成本费用估算表126固定资产折旧费估算表127无形资产和其他资产摊销估算表128利润及利润分配表129项目投资现金流量表130借款还本付息计划表131建设投资估算表132建设投资估算表132建设期利息估算表133固定资产投资估算表134流动资金估算表135总投资及构成一览表136项目投资计划与资金筹措一览表137报告说明根据谨慎财务估算,项目
6、总投资12600.97万元,其中:建设投资9680.01万元,占项目总投资的76.82%;建设期利息118.03万元,占项目总投资的0.94%;流动资金2802.93万元,占项目总投资的22.24%。项目正常运营每年营业收入24900.00万元,综合总成本费用20839.03万元,净利润2962.06万元,财务内部收益率15.79%,财务净现值2057.73万元,全部投资回收期6.32年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源
7、于20世纪50年代,奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为
8、参考范文模板用途。第一章 项目基本情况一、 项目提出的理由相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 项目概述(一)项目基本情况1、项目名称:桂林碳化硅衬底项目2、承办单位名称:xxx有限公司3、项目性质:技术改造4、项目建设地点:xxx(以选址意见书为
9、准)5、项目联系人:严xx(二)主办单位基本情况公司秉承“以人为本、品质为本”的发展理念,倡导“诚信尊重”的企业情怀;坚持“品质营造未来,细节决定成败”为质量方针;以“真诚服务赢得市场,以优质品质谋求发展”的营销思路;以科学发展观纵观全局,争取实现行业领军、技术领先、产品领跑的发展目标。 公司坚持提升企业素质,即“企业管理水平进一步提高,人力资源结构进一步优化,人员素质进一步提升,安全生产意识和社会责任意识进一步增强,诚信经营水平进一步提高”,培育一批具有工匠精神的高素质企业员工,企业品牌影响力不断提升。企业履行社会责任,既是实现经济、环境、社会可持续发展的必由之路,也是实现企业自身可持续发展
10、的必然选择;既是顺应经济社会发展趋势的外在要求,也是提升企业可持续发展能力的内在需求;既是企业转变发展方式、实现科学发展的重要途径,也是企业国际化发展的战略需要。遵循“奉献能源、创造和谐”的企业宗旨,公司积极履行社会责任,依法经营、诚实守信,节约资源、保护环境,以人为本、构建和谐企业,回馈社会、实现价值共享,致力于实现经济、环境和社会三大责任的有机统一。公司把建立健全社会责任管理机制作为社会责任管理推进工作的基础,从制度建设、组织架构和能力建设等方面着手,建立了一套较为完善的社会责任管理机制。当前,国内外经济发展形势依然错综复杂。从国际看,世界经济深度调整、复苏乏力,外部环境的不稳定不确定因素
11、增加,中小企业外贸形势依然严峻,出口增长放缓。从国内看,发展阶段的转变使经济发展进入新常态,经济增速从高速增长转向中高速增长,经济增长方式从规模速度型粗放增长转向质量效率型集约增长,经济增长动力从物质要素投入为主转向创新驱动为主。新常态对经济发展带来新挑战,企业遇到的困难和问题尤为突出。面对国际国内经济发展新环境,公司依然面临着较大的经营压力,资本、土地等要素成本持续维持高位。公司发展面临挑战的同时,也面临着重大机遇。随着改革的深化,新型工业化、城镇化、信息化、农业现代化的推进,以及“大众创业、万众创新”、中国制造2025、“互联网+”、“一带一路”等重大战略举措的加速实施,企业发展基本面向好
12、的势头更加巩固。公司将把握国内外发展形势,利用好国际国内两个市场、两种资源,抓住发展机遇,转变发展方式,提高发展质量,依靠创业创新开辟发展新路径,赢得发展主动权,实现发展新突破。(三)项目建设选址及用地规模本期项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约27.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。(四)产品规划方案根据项目建设规划,达产年产品规划设计方案为:xx万片碳化硅衬底/年。三、 项目总投资及资金构成本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资12600.97万元,其中:建设
13、投资9680.01万元,占项目总投资的76.82%;建设期利息118.03万元,占项目总投资的0.94%;流动资金2802.93万元,占项目总投资的22.24%。四、 资金筹措方案(一)项目资本金筹措方案项目总投资12600.97万元,根据资金筹措方案,xxx有限公司计划自筹资金(资本金)7783.28万元。(二)申请银行借款方案根据谨慎财务测算,本期工程项目申请银行借款总额4817.69万元。五、 项目预期经济效益规划目标1、项目达产年预期营业收入(SP):24900.00万元。2、年综合总成本费用(TC):20839.03万元。3、项目达产年净利润(NP):2962.06万元。4、财务内部
14、收益率(FIRR):15.79%。5、全部投资回收期(Pt):6.32年(含建设期12个月)。6、达产年盈亏平衡点(BEP):11465.16万元(产值)。六、 项目建设进度规划项目计划从可行性研究报告的编制到工程竣工验收、投产运营共需12个月的时间。七、 研究结论本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。八、 主要经济指标一览表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积18000.00约27.00亩1.1总建筑面积32074.551.2基底面积10440.001.3投资强度万元/亩
15、340.422总投资万元12600.972.1建设投资万元9680.012.1.1工程费用万元8215.102.1.2其他费用万元1177.042.1.3预备费万元287.872.2建设期利息万元118.032.3流动资金万元2802.933资金筹措万元12600.973.1自筹资金万元7783.283.2银行贷款万元4817.694营业收入万元24900.00正常运营年份5总成本费用万元20839.036利润总额万元3949.427净利润万元2962.068所得税万元987.369增值税万元929.5510税金及附加万元111.5511纳税总额万元2028.4612工业增加值万元6849.7
16、213盈亏平衡点万元11465.16产值14回收期年6.3215内部收益率15.79%所得税后16财务净现值万元2057.73所得税后第二章 项目背景及必要性一、 竞争格局:国内外差距逐步缩小,国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局:海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。(一)导电型SiC衬底全球市场:美国科锐公司(Wolfspeed)占据了60%以上的市场份额,基本控制了国际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括:美国二六(II-VI)、德国SiCrystalAG、道康宁(DowCorning)、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的
17、转化。国内公司:总体处于发展初期,主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年,天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。(二)半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐(WOLFSPEED)、贰陆公司(II-VI)依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三,2020年市占率达30%。国内外差距缩小,进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早,各尺寸量产推出时间方面,国内与全球行业龙头企业存在差距:以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例,在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7
18、年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右,SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体,国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中,可观察到国内企业已迎头赶上,国内外差距正在缩小(举例:天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸,预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小)。目前海外龙头已向8吋发力(下游客户车规级为主),国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力(下游客户工业级为主)。二、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技
19、术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiC
20、MOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。三、 大尺寸大势所趋,衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中,衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右,数倍于传统硅基半导体,核心降本方式包括:提升材料使用率(向大尺寸发展)、降低制
21、造成本(提升良率)、提升生产效率(更成熟的长晶工艺)。(一)提升材料使用率(向大尺寸发展)目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸(半绝缘型)及6英寸(导电型)。行业龙头美国科锐(已改名Wolfspeed)已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大,单位衬底可制造的芯片数量越多,单位芯片成本越低(6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍)。衬底的尺寸越大,边缘的浪费就越小,有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时,随着晶体尺寸的扩大,其生长难度工艺呈几何级增长。(二)降低制造成本(提升良率)长晶端:SiC包含200多种同质异构结构的晶型,但只有4H型(4H-SiC)等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的
22、整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内(类似黑匣子),极易发生不同晶型的转化,任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控,很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右(传统硅基在90%以上),有较大提升空间。机加工端:碳化硅硬度与金刚石接近(莫氏硬度达9.5),切割、研磨、抛光技术难度大,工艺水平的提高需要长期的研发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右,仍有提升空间。(三)提升生产效率(更成熟的长晶工艺)SiC长晶的速度极为缓慢,行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm,较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先
23、进工艺(如液相法)的延伸。四、 提升产业链供应链现代化水平聚焦主导产业,坚持全产业链发展思路,开展补链强链延链专项行动,培育壮大“链主”和龙头企业,推动产业链迈上中高端,重点培育壮大智能终端制造、新能源汽车、先进装备制造、橡胶轮胎等产业,着力培育一批超百亿元龙头企业,打造一批超500亿元产业,力争实现千亿元产业零突破。实施产业基础再造和产业链提升工程,推进工业互联网创新发展,加快新一代信息技术与传统产业融合发展,推动产业智能化、数字化、高端化转型升级,形成一批超百亿元产业集群。聚焦“三大三新”重点领域,坚持招大引强,深入推进“三企入桂”,着力推进一批超百亿元投资、超百亿元产值的“双百双新”项目
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