沧州碳化硅衬底项目招商引资方案(模板范本).docx
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1、泓域咨询/沧州碳化硅衬底项目招商引资方案沧州碳化硅衬底项目招商引资方案xxx(集团)有限公司目录第一章 项目基本情况7一、 项目名称及项目单位7二、 项目建设地点7三、 可行性研究范围7四、 编制依据和技术原则7五、 建设背景、规模8六、 项目建设进度9七、 环境影响9八、 建设投资估算9九、 项目主要技术经济指标10主要经济指标一览表10十、 主要结论及建议12第二章 行业发展分析13一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越13二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期14三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%16第三章 产品规划方案18一、 建设规模及主
2、要建设内容18二、 产品规划方案及生产纲领18产品规划方案一览表18第四章 建筑工程方案分析20一、 项目工程设计总体要求20二、 建设方案20三、 建筑工程建设指标22建筑工程投资一览表22第五章 运营管理模式24一、 公司经营宗旨24二、 公司的目标、主要职责24三、 各部门职责及权限25四、 财务会计制度28第六章 发展规划36一、 公司发展规划36二、 保障措施37第七章 法人治理结构40一、 股东权利及义务40二、 董事47三、 高级管理人员53四、 监事55第八章 项目节能说明58一、 项目节能概述58二、 能源消费种类和数量分析59能耗分析一览表60三、 项目节能措施60四、 节
3、能综合评价61第九章 人力资源配置63一、 人力资源配置63劳动定员一览表63二、 员工技能培训63第十章 原辅材料成品管理65一、 项目建设期原辅材料供应情况65二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理65第十一章 投资方案66一、 投资估算的依据和说明66二、 建设投资估算67建设投资估算表71三、 建设期利息71建设期利息估算表71固定资产投资估算表73四、 流动资金73流动资金估算表74五、 项目总投资75总投资及构成一览表75六、 资金筹措与投资计划76项目投资计划与资金筹措一览表76第十二章 经济效益及财务分析78一、 基本假设及基础参数选取78二、 经济评价财务测算78营业收入、税
4、金及附加和增值税估算表78综合总成本费用估算表80利润及利润分配表82三、 项目盈利能力分析83项目投资现金流量表84四、 财务生存能力分析86五、 偿债能力分析86借款还本付息计划表87六、 经济评价结论88第十三章 风险评估89一、 项目风险分析89二、 项目风险对策91第十四章 项目总结分析93第十五章 附表附件95营业收入、税金及附加和增值税估算表95综合总成本费用估算表95固定资产折旧费估算表96无形资产和其他资产摊销估算表97利润及利润分配表98项目投资现金流量表99借款还本付息计划表100建设投资估算表101建设投资估算表101建设期利息估算表102固定资产投资估算表103流动资
5、金估算表104总投资及构成一览表105项目投资计划与资金筹措一览表106第一章 项目基本情况一、 项目名称及项目单位项目名称:沧州碳化硅衬底项目项目单位:xxx(集团)有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx(以选址意见书为准),占地面积约100.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越,交通便利,规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备,非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围按照项目建设公司的发展规划,依据有关规定,就本项目提出的背景及建设的必要性、建设条件、市场供需状况与销售方案、建设方案、环境影响、项目组织与管理、投资估算与资金筹措、财务分析、社会效益等内容进行分析研究,并提出研
6、究结论。四、 编制依据和技术原则(一)编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定;2、建设项目经济评价方法与参数;3、投资项目可行性研究指南;4、项目建设地国民经济发展规划;5、其他相关资料。(二)技术原则为实现产业高质量发展的目标,报告确定按如下原则编制:1、认真贯彻国家和地方产业发展的总体思路:资源综合利用、节约能源、提高社会效益和经济效益。2、严格执行国家、地方及主管部门制定的环保、职业安全卫生、消防和节能设计规定、规范及标准。3、积极采用新工艺、新技术,在保证产品质量的同时,力求节能降耗。4、坚持可持续发展原则。五、 建设背景、规模(一)项目背景据中国汽车工业信息网,使用
7、碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。(二)建设规模及产品方案该项目总占地面积66667.00(折合约100.00亩),预计场区规划总建筑面积121770.42。其中:生产工程83411.81,仓储工程17982.89,行政办公及生活服务设施9233.00,公共工程11142.72。项目建成后,形成年产xxx万片碳化硅衬底的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况,xxx(集团)有限公司
8、将项目工程的建设周期确定为12个月,其工作内容包括:项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目的建设符合国家政策,各种污染物采取治理措施后对周围环境影响较小,从环保角度分析,本项目的建设是可行的。八、 建设投资估算(一)项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算,项目总投资47516.56万元,其中:建设投资37235.23万元,占项目总投资的78.36%;建设期利息398.26万元,占项目总投资的0.84%;流动资金9883.07万元,占项目总投资的20.80%。(二)建设投资构成本期项目建设
9、投资37235.23万元,包括工程费用、工程建设其他费用和预备费,其中:工程费用31082.68万元,工程建设其他费用5154.78万元,预备费997.77万元。九、 项目主要技术经济指标(一)财务效益分析根据谨慎财务测算,项目达产后每年营业收入90200.00万元,综合总成本费用73598.92万元,纳税总额7962.20万元,净利润12136.06万元,财务内部收益率19.24%,财务净现值9977.71万元,全部投资回收期5.80年。(二)主要数据及技术指标表主要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积66667.00约100.00亩1.1总建筑面积121770.421.2基底面积4
10、0666.871.3投资强度万元/亩347.182总投资万元47516.562.1建设投资万元37235.232.1.1工程费用万元31082.682.1.2其他费用万元5154.782.1.3预备费万元997.772.2建设期利息万元398.262.3流动资金万元9883.073资金筹措万元47516.563.1自筹资金万元31260.863.2银行贷款万元16255.704营业收入万元90200.00正常运营年份5总成本费用万元73598.926利润总额万元16181.427净利润万元12136.068所得税万元4045.369增值税万元3497.1810税金及附加万元419.6611纳税
11、总额万元7962.2012工业增加值万元27517.3613盈亏平衡点万元35115.97产值14回收期年5.8015内部收益率19.24%所得税后16财务净现值万元9977.71所得税后十、 主要结论及建议本期项目技术上可行、经济上合理,投资方向正确,资本结构合理,技术方案设计优良。本期项目的投资建设和实施无论是经济效益、社会效益等方面都是积极可行的。第二章 行业发展分析一、 第三代半导体之星,高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代:1、第一代元素半导体材料:硅(Si)和锗(Ge);为半导体最常用的材料,起源于20世纪50年代,奠定了微
12、电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料:砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等;是4G时代的大部分通信设备的材料,起源于20世纪90年代,奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(ALN)、氧化镓(Ga2O3)等,近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中,碳化硅(SiC)为第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件,适用于600V以上高压场景,包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),
13、碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGB
14、T的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势,将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率,未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 新能源车带来百亿级市场空间,光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆,主要为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆(其中,美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆)。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆,单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆,则对应一年消耗6英
15、寸SiC37.5万片,目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年,供给端产能吃紧。同时,目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上,共48颗SiCMOSFET,对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等,单车SiC器件使用量将达到100-150颗,市场需求将进一步扩大(单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底)。新能源车需求快速爆发,SiC产能吃紧,全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据,2021年全球电动汽车销量有望达631万辆(占总销量约6%),同比增长101%
16、。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年,市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域,市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中,基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右,是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变器、大跨度支架、大组串”时代,光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上,就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网,使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器,转换效率可从96%提升至99%以上,能量损耗降低50%以上,设备循环寿命
17、提升50倍,从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据,2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%,预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%,2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年(2020-2030年)10倍大赛道,预计2030年中国光伏新增装机需求达416-537GW,CAGR达24%-26%;全球新增装机需求达1246-1491GW,CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大,产能扩张需求势在必行。据CASAResea
18、rch整理,2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产,主要为衬底产能的扩张,其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划,分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。三、 衬底为技术壁垒最高环节,价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节,以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节,是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底:价值量占比46%,为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺,核心难点在提升良率。类型可分为导
19、电型、和半绝缘型衬底,分别用于功率和射频器件领域。外延:价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为:导电型SiC衬底用于SiC外延,进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延,进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造:价值量占比约20%(包括设计+制造+封装)。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块(SiC二级管和SiCMOSFET构成)、SiC混合模块(SiC二级管和SiCIGBT构成)。4)应用:半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽
20、车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。第三章 产品规划方案一、 建设规模及主要建设内容(一)项目场地规模该项目总占地面积66667.00(折合约100.00亩),预计场区规划总建筑面积121770.42。(二)产能规模根据国内外市场需求和xxx(集团)有限公司建设能力分析,建设规模确定达产年产xxx万片碳化硅衬底,预计年营业收入90200.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整,各年生
21、产纲领是根据人员及装备生产能力水平,并参考市场需求预测情况确定,同时,把产量和销量视为一致,本报告将按照初步产品方案进行测算。产品规划方案一览表序号产品(服务)名称单位单价(元)年设计产量产值1碳化硅衬底万片xxx2碳化硅衬底万片xxx3碳化硅衬底万片xxx4.万片5.万片6.万片合计xxx90200.00SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一:由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁带宽度是硅的3倍;导热率为硅的4-5倍;击穿电压为硅的8-10倍;电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在:耐高压特性:更低的阻抗、禁
22、带宽度更宽,能承受更大的电流和电压,带来更小尺寸的产品设计和更高的效率;耐高频特性:SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象,能有效提高元件的开关速度(大约是Si的3-10倍),适用于更高频率和更快的开关速度;耐高温特性:SiC相较硅拥有更高的热导率,能在更高温度下工作。第四章 建筑工程方案分析一、 项目工程设计总体要求(一)设计原则本设计按照国家及行业指定的有关建筑、消防、规划、环保等各项规定,在满足工艺和生产管理的条件下,尽可能的改善工人的操作环境。在不额外增加投资的前提下,对建筑单体从型体到色彩质地力求简洁、鲜明、大方,突出现代化工业建筑的个性。在整个建筑设计中,力求采用新材料、新技术,
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