抚顺碳化硅衬底设备项目申请报告（模板参考）.docx

《抚顺碳化硅衬底设备项目申请报告（模板参考）.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《抚顺碳化硅衬底设备项目申请报告（模板参考）.docx（112页珍藏版）》请在淘文阁 - 分享文档赚钱的网站上搜索。

1、泓域咨询/抚顺碳化硅衬底设备项目申请报告抚顺碳化硅衬底设备项目申请报告xxx有限公司目录第一章 项目建设背景及必要性分析9一、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期9二、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%11三、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期12四、 狠抓营商环境13五、 项目实施的必要性14第二章 市场分析15一、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越15二、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒16三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心17第三章 项目总论20一、 项目名称及项目单位20二、 项目建设地点20三、

2、 可行性研究范围20四、 编制依据和技术原则21五、 建设背景、规模22六、 项目建设进度23七、 环境影响23八、 建设投资估算23九、 项目主要技术经济指标24主要经济指标一览表24十、 主要结论及建议26第四章 产品规划方案27一、 建设规模及主要建设内容27二、 产品规划方案及生产纲领27产品规划方案一览表28第五章 选址分析29一、 项目选址原则29二、 建设区基本情况29三、 狠抓项目建设31四、 项目选址综合评价31第六章 建筑工程技术方案32一、 项目工程设计总体要求32二、 建设方案33三、 建筑工程建设指标34建筑工程投资一览表34第七章 发展规划36一、 公司发展规划36

3、二、 保障措施37第八章 运营管理40一、 公司经营宗旨40二、 公司的目标、主要职责40三、 各部门职责及权限41四、 财务会计制度45第九章 进度实施计划48一、 项目进度安排48项目实施进度计划一览表48二、 项目实施保障措施49第十章 原辅材料供应50一、 项目建设期原辅材料供应情况50二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理50第十一章 节能方案52一、 项目节能概述52二、 能源消费种类和数量分析53能耗分析一览表53三、 项目节能措施54四、 节能综合评价55第十二章 环境保护方案56一、 编制依据56二、 环境影响合理性分析57三、 建设期大气环境影响分析58四、 建设期水环境影

4、响分析61五、 建设期固体废弃物环境影响分析61六、 建设期声环境影响分析62七、 环境管理分析62八、 结论及建议64第十三章 投资方案66一、 投资估算的依据和说明66二、 建设投资估算67建设投资估算表71三、 建设期利息71建设期利息估算表71固定资产投资估算表73四、 流动资金73流动资金估算表74五、 项目总投资75总投资及构成一览表75六、 资金筹措与投资计划76项目投资计划与资金筹措一览表76第十四章 经济收益分析78一、 经济评价财务测算78营业收入、税金及附加和增值税估算表78综合总成本费用估算表79固定资产折旧费估算表80无形资产和其他资产摊销估算表81利润及利润分配表8

5、3二、 项目盈利能力分析83项目投资现金流量表85三、 偿债能力分析86借款还本付息计划表87第十五章 招标及投资方案89一、 项目招标依据89二、 项目招标范围89三、 招标要求90四、 招标组织方式92五、 招标信息发布92第十六章 项目总结94第十七章 附表附件96主要经济指标一览表96建设投资估算表97建设期利息估算表98固定资产投资估算表99流动资金估算表100总投资及构成一览表101项目投资计划与资金筹措一览表102营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表103固定资产折旧费估算表104无形资产和其他资产摊销估算表105利润及利润分配表106项目投资现金流量表1

6、07借款还本付息计划表108建筑工程投资一览表109项目实施进度计划一览表110主要设备购置一览表111能耗分析一览表111报告说明SiC衬底设备主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高，设备+工艺合作研发是关键。根据谨慎财务估算，项目总投资23301.16万元，其中：建设投资19019.36万元，占项目总投资的81.62%；建设期利息265.15万元，占项目总投资的1.14%；流动资金4016.65万元，占项目总投资的17.24%。项目正常运营每年营业收入50000.00万元，综合总成本费用40435.82万元，净利润6999.40万元

7、，财务内部收益率24.58%，财务净现值13162.29万元，全部投资回收期5.19年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。项目产品应用领域广泛，市场发展空间大。本项目的建立投资合理，回收快，市场销售好，无环境污染，经济效益和社会效益良好，这也奠定了公司可持续发展的基础。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目建设背景及必要性分析一、 新能源车带来百亿级市场空间，光伏逆变器应用前景可期2021年特斯拉全球销量达93.6万辆，主要

8、为Model3/ModelY车型贡献。预计特斯拉未来2年Model3/ModelY年产能将达到200万辆（其中，美国工厂100万辆+中国工厂50万辆+德国柏林工厂50万辆）。假设2022年Model3/ModelY产量150万辆，单车消耗0.25片6英寸SiC晶圆，则对应一年消耗6英寸SiC37.5万片，目前全球SiC晶圆总产能约在5060万片/年，供给端产能吃紧。同时，目前特斯拉Model3的SiCMOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共48颗SiCMOSFET，对应单车消耗约0.25片6英寸SiC衬底。如未来延伸用在包括OBC、DC/DC转换器、高压辅驱控制器、主驱控制器、充电器等，单车

9、SiC器件使用量将达到100-150颗，市场需求将进一步扩大（单车消耗有望达0.5片6英寸SiC衬底）。新能源车需求快速爆发，SiC产能吃紧，全球产能扩产有望加速。据DIGITIMESResearch数据，2021年全球电动汽车销量有望达631万辆（占总销量约6%），同比增长101%。对应2025年新能源车市场6英寸SiC衬底需求达587万片/年，市场空间达231亿元。如未来SiC器件更多广泛的应用于充电桩、光伏逆变器、5G通信、轨交等领域，市场空间有望进一步扩大。n在光伏发电应用中，基于硅基器件的传统逆变器成本约占系统10%左右，是系统能量损耗的主要来源之一。随着光伏产业迈入“大组件、大逆变

10、器、大跨度支架、大组串”时代，光伏电站电压等级从1000V提升至1500V以上，就必须使用碳化硅功率器件。据中国汽车工业信息网，使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。据CASAResearch数据，2020年光伏逆变器中使用碳化硅功率器件的占比为10%，预计2025年碳化硅光伏逆变器占比将达到50%，2048年将达到85%。光伏装机需求未来十年（2020-2030年）10倍大赛道，预计2030年中国

11、光伏新增装机需求达416-537GW，CAGR达24%-26%；全球新增装机需求达1246-1491GW，CAGR达25%-27%。拥有巨大的市场空间。预计碳化硅衬底在新能源车+光伏逆变器领域2025年市场空间达261亿元。行业供需缺口较大，产能扩张需求势在必行。据CASAResearch整理，2019年有6家国际巨头宣布了12项扩产，主要为衬底产能的扩张，其中最大的项目为科锐公司投资近10亿美元的扩产计划，分别在北卡罗来纳州和纽约州建造全新的可满足车规级标准的8英寸功率和射频衬底制造工厂。二、 衬底为技术壁垒最高环节，价值量占比46%SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造

12、环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。衬底：价值量占比46%，为最核心的环节。由SiC粉经过长晶、加工、切割、研磨、抛光、清洗环节最终形成衬底。其中SiC晶体的生长为核心工艺，核心难点在提升良率。类型可分为导电型、和半绝缘型衬底，分别用于功率和射频器件领域。外延：价值量占比23%。本质是在衬底上面再覆盖一层薄膜以满足器件生产的条件。具体分为：导电型SiC衬底用于SiC外延，进而生产功率器件用于电动汽车以及新能源等领域。半绝缘型SiC衬底用于氮化镓外延，进而生产射频器件用于5G通信等领域。器件制造：价值量占比约20%（包

13、括设计+制造+封装）。产品包括SiC二级管、SiCMOSFET、全SiC模块（SiC二级管和SiCMOSFET构成）、SiC混合模块（SiC二级管和SiCIGBT构成）。4)应用：半绝缘碳化硅器件主要用于5G通信、车载通信、国防应用、数据传输、航空航天。导电型碳化硅器件主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设。三、 竞争格局：国内外差距逐步缩小，国产替代可期SiC衬底供应商竞争格局：海外龙头垄断、实现6英寸规模化供应、向8英寸进军。国产厂家以小尺寸为主、向6英寸进军。（一）导电型SiC衬底全球市场：美国科锐公司（Wolfspeed）占据了60%以上的市场份额，基本控制了国

14、际碳化硅单晶的市场价格和质量标准。其他公司包括：美国二六（II-VI）、德国SiCrystalAG、道康宁（DowCorning）、日本新日铁等。主流产品已经完成从4寸向6寸的转化。国内公司：总体处于发展初期，主要以4英寸小尺寸产能为主。2018年，天科合达以1.7%的市场占有率排名全球第六、国内第一。其他公司包括山东天岳、河北同光、世纪金光、中电集团2所等。（二）半绝缘型SiC衬底全球市场美国科锐（WOLFSPEED）、贰陆公司（II-VI）依旧合计占据近70%的市场份额。国内公司山东天岳已挤进全球前三，2020年市占率达30%。国内外差距缩小，进口替代可期。由于全球行业龙头企业在碳化硅领域

15、起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（

16、下游客户工业级为主）。四、 狠抓营商环境牢固树立“人人都是营商环境，个个都是开放形象”的理念，对标“办事方便、法治良好、成本竞争力强、生态宜居”的要求，持续深化“放管服”改革，坚决破除数据壁垒、打通信息孤岛，“实际网办率”达到70%以上。制定“全市通办”事项清单，实现一次申报、全市可办。推广容缺受理、告知承诺等审批模式，建设类工程项目行政审批时限压缩50%以上。强化法治政府、诚信政府建设，为各类市场主体营造稳定、公平、透明、可预期的发展生态。五、 项目实施的必要性（一）现有产能已无法满足公司业务发展需求作为行业的领先企业，公司已建立良好的品牌形象和较高的市场知名度，产品销售形势良好，产销率超过

17、 100%。预计未来几年公司的销售规模仍将保持快速增长。随着业务发展，公司现有厂房、设备资源已不能满足不断增长的市场需求。公司通过优化生产流程、强化管理等手段，不断挖掘产能潜力，但仍难以从根本上缓解产能不足问题。通过本次项目的建设，公司将有效克服产能不足对公司发展的制约，为公司把握市场机遇奠定基础。（二）公司产品结构升级的需要随着制造业智能化、自动化产业升级，公司产品的性能也需要不断优化升级。公司只有以技术创新和市场开发为驱动，不断研发新产品，提升产品精密化程度，将产品质量水平提升到同类产品的领先水准，提高生产的灵活性和适应性，契合关键零部件国产化的需求，才能在与国外企业的竞争中获得优势，保持

18、公司在领域的国内领先地位。第二章 市场分析一、 第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三代：1、第一代元素半导体材料：硅（Si）和锗(Ge)；为半导体最常用的材料，起源于20世纪50年代，奠定了微电子产业的基础。2、第二代化合物半导体材料：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等；是4G时代的大部分通信设备的材料，起源于20世纪90年代，奠定了信息产业的基础。3、第三代宽禁带材料：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（ALN）、氧化镓（Ga2O3）等，近10年世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。其中，碳化硅（SiC）为

19、第三代半导体材料核心。核心用于功率+射频器件，适用于600V以上高压场景，包括光伏、风电、轨道交通、新能源汽车、充电桩等电力电子领域。SiC碳化硅是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一：由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料。相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。核心优势体现在：耐高压特性：更低的阻抗、禁带宽度更宽，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；耐高频特性：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍

20、），适用于更高频率和更快的开关速度；耐高温特性：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的1/100。相同规格的碳化硅基MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，未来将主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。二、 SiC衬底设备：与传统晶硅差异较小，工艺调教为核心壁垒SiC衬底设备主要包括：长晶炉、切片机、研磨机、抛光机、清

21、洗设备等。与传统传统晶硅设备具相通性、但工艺难度更高，设备+工艺合作研发是关键。长晶炉：主要由衬底制造厂商自研开发，可基本实现国产化（与传统晶硅级长晶炉有相同性，炉子结构不是非常复杂），市场没有形成商业性的独立第三方企业。因为长晶环节主要用的PVT（物理气相传输）的技术路线，温度很高，不可实施监控，难点不在设备本身，而是在工艺本身。因为基本上每家衬底厂商工艺不一样，也是各家的核心机密所在，只有衬底制造企业内部通过对“设备+工艺”合作研发效率更高。主要设备厂商包括：Wolfspeed,Aymont,Aixtron，LHT，中国电科二所，山东天岳，天科合达，中科院硅酸盐所，中国电科四十六所等。切片

22、机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫氏硬度达9.5，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度非常大，切一刀可能需几百个小时，对系统设备的稳定性很高，国内设备很难满足这个要求。目前日本高鸟的切片机设备（金刚石多线切割机）占据80%以上市场份额。其他公司包括MeryerBurger、NTC、中国电科四十五所、湖南宇晶、苏州郝瑞特等。研磨、抛光、SMT设备：和传统硅机台基本类似，主要差别在于研磨盘和研磨液。国内外主要企业包括：日本不二越、韩国NTS、美国斯德堡、中电科四十五所、湖南宇晶、苏州赫瑞特等。三、 大尺寸大势所趋，衬底是SiC产业化降本的核心成本下降是SiC

23、碳化硅产业化推广的核心。在碳化硅器件的成本占比当中，衬底、外延、器件分别占比46%、23%、20%。衬底为碳化硅降本的核心。目前6英寸碳化硅衬底价格在1000美金/片左右，数倍于传统硅基半导体，核心降本方式包括：提升材料使用率（向大尺寸发展）、降低制造成本（提升良率）、提升生产效率（更成熟的长晶工艺）。（一）提升材料使用率（向大尺寸发展）目前行业内公司主要量产产品尺寸集中在4英寸（半绝缘型）及6英寸（导电型）。行业龙头美国科锐（已改名Wolfspeed）已成功研发8英寸产品。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低（6英寸衬底面积为4英寸衬底的2.25倍）。衬底的尺寸越大，

24、边缘的浪费就越小，有利于进一步降低芯片的成本。但与此同时，随着晶体尺寸的扩大，其生长难度工艺呈几何级增长。（二）降低制造成本（提升良率）长晶端：SiC包含200多种同质异构结构的晶型，但只有4H型（4H-SiC）等少数几种是所需的晶型。而PVT长晶的整个反应处于2300C高温、完整密闭的腔室内（类似黑匣子），极易发生不同晶型的转化，任意生长条件的波动都会影响晶体的生长、参数很难精确调控，很难从中找到最佳生长条件。目前行业主流良率在50-60%左右（传统硅基在90%以上），有较大提升空间。机加工端：碳化硅硬度与金刚石接近（莫氏硬度达9.5），切割、研磨、抛光技术难度大，工艺水平的提高需要长期的研

25、发积累。目前该环节行业主流良率在70-80%左右，仍有提升空间。（三）提升生产效率（更成熟的长晶工艺）SiC长晶的速度极为缓慢，行业平均水平每小时仅能生长0.2-0.3mm，较传统晶硅生长速度相比慢近百倍以上。未来需PVT工艺的进一步成熟、或向其他先进工艺（如液相法）的延伸。第三章 项目总论一、 项目名称及项目单位项目名称：抚顺碳化硅衬底设备项目项目单位：xxx有限公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准），占地面积约48.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围投资必要性：主要根

26、据市场调查及分析预测的结果，以及有关的产业政策等因素，论证项目投资建设的必要性；技术的可行性：主要从事项目实施的技术角度，合理设计技术方案，并进行比选和评价；财务可行性：主要从项目及投资者的角度,设计合理财务方案,从企业理财的角度进行资本预算，评价项目的财务盈利能力，进行投资决策，并从融资主体的角度评价股东投资收益、现金流量计划及债务清偿能力；组织可行性：制定合理的项目实施进度计划、设计合理组织机构、选择经验丰富的管理人员、建立良好的协作关系、制定合适的培训计划等，保证项目顺利执行；经济可行性：主要是从资源配置的角度衡量项目的价值，评价项目在实现区域经济发展目标、有效配置经济资源、增加供应、创

27、造就业、改善环境、提高人民生活等方面的效益；风险因素及对策：主要是对项目的市场风险、技术风险、财务风险、组织风险、法律风险、经济及社会风险等因素进行评价，制定规避风险的对策，为项目全过程的风险管理提供依据。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、承办单位关于编制本项目报告的委托；2、国家和地方有关政策、法规、规划；3、现行有关技术规范、标准和规定；4、相关产业发展规划、政策；5、项目承办单位提供的基础资料。（二）技术原则按照“保证生产，简化辅助”的原则进行设计，尽量减少用地、节约资金。在保证生产的前提下，综合考虑辅助、服务设施及该项目的可持续发展。采用先进可靠的工艺流程及设备和完善的现代企业

28、管理制度，采取有效的环境保护措施，使生产中的排放物符合国家排放标准和规定，重视安全与工业卫生使工程项目具有良好的经济效益和社会效益。五、 建设背景、规模（一）项目背景由于全球行业龙头企业在碳化硅领域起步较早，各尺寸量产推出时间方面，国内与全球行业龙头企业存在差距：以天岳先进的半绝缘型碳化硅衬底为例，在4英寸至6英寸衬底的量产时间上全球行业龙头企业分别早于天岳10年以上及7年以的时间。目前主流的6英寸SiC衬底国外起步于2010年左右，SiC领域国内外整体差距小于传统硅基半导体，国内迎头赶上龙头企业的机会更大。在SiC衬底往大尺寸发展的趋势中，可观察到国内企业已迎头赶上，国内外差距正在缩小（举例

29、：天岳6英寸衬底与龙头量产时间差距已小于4英寸，预计8英寸国内外量产时间差距有望进一步缩小）。目前海外龙头已向8吋发力（下游客户车规级为主），国内小尺寸为主、6吋有望未来2-3年具备大规模量产能力（下游客户工业级为主）。（二）建设规模及产品方案该项目总占地面积32000.00（折合约48.00亩），预计场区规划总建筑面积56866.23。其中：生产工程34635.78，仓储工程9781.25，行政办公及生活服务设施7869.87，公共工程4579.33。项目建成后，形成年产xxx套碳化硅设备的生产能力。六、 项目建设进度结合该项目建设的实际工作情况，xxx有限公司将项目工程的建设周期确定为12

30、个月，其工作内容包括：项目前期准备、工程勘察与设计、土建工程施工、设备采购、设备安装调试、试车投产等。七、 环境影响本项目建成后产生的各项污染物如能按本报告提出的污染治理措施进行治理，保证治理资金落实到位，保证污染治理工程与主体工程实行“三同时”，且加强污染治理措施和设备的运行管理，实施排污总量控制，则本项目建成后对周围环境不会产生明显的影响，从环境保护角度分析，本项目是可行的。八、 建设投资估算（一）项目总投资构成分析本期项目总投资包括建设投资、建设期利息和流动资金。根据谨慎财务估算，项目总投资23301.16万元，其中：建设投资19019.36万元，占项目总投资的81.62%；建设期利息2

31、65.15万元，占项目总投资的1.14%；流动资金4016.65万元，占项目总投资的17.24%。（二）建设投资构成本期项目建设投资19019.36万元，包括工程费用、工程建设其他费用和预备费，其中：工程费用16405.15万元，工程建设其他费用2168.04万元，预备费446.17万元。九、 项目主要技术经济指标（一）财务效益分析根据谨慎财务测算，项目达产后每年营业收入50000.00万元，综合总成本费用40435.82万元，纳税总额4495.03万元，净利润6999.40万元，财务内部收益率24.58%，财务净现值13162.29万元，全部投资回收期5.19年。（二）主要数据及技术指标表主

32、要经济指标一览表序号项目单位指标备注1占地面积32000.00约48.00亩1.1总建筑面积56866.231.2基底面积20480.001.3投资强度万元/亩380.972总投资万元23301.162.1建设投资万元19019.362.1.1工程费用万元16405.152.1.2其他费用万元2168.042.1.3预备费万元446.172.2建设期利息万元265.152.3流动资金万元4016.653资金筹措万元23301.163.1自筹资金万元12478.913.2银行贷款万元10822.254营业收入万元50000.00正常运营年份5总成本费用万元40435.826利润总额万元9332.

33、547净利润万元6999.408所得税万元2333.149增值税万元1930.2510税金及附加万元231.6411纳税总额万元4495.0312工业增加值万元15415.5613盈亏平衡点万元17989.65产值14回收期年5.1915内部收益率24.58%所得税后16财务净现值万元13162.29所得税后十、 主要结论及建议该项目的建设符合国家产业政策；同时项目的技术含量较高，其建设是必要的；该项目市场前景较好；该项目外部配套条件齐备，可以满足生产要求；财务分析表明，该项目具有一定盈利能力。综上，该项目建设条件具备，经济效益较好，其建设是可行的。第四章 产品规划方案一、 建设规模及主要建设

34、内容（一）项目场地规模该项目总占地面积32000.00（折合约48.00亩），预计场区规划总建筑面积56866.23。（二）产能规模根据国内外市场需求和xxx有限公司建设能力分析，建设规模确定达产年产xxx套碳化硅设备，预计年营业收入50000.00万元。二、 产品规划方案及生产纲领本期项目产品主要从国家及地方产业发展政策、市场需求状况、资源供应情况、企业资金筹措能力、生产工艺技术水平的先进程度、项目经济效益及投资风险性等方面综合考虑确定。具体品种将根据市场需求状况进行必要的调整，各年生产纲领是根据人员及装备生产能力水平，并参考市场需求预测情况确定，同时，把产量和销量视为一致，本报告将按照初步

35、产品方案进行测算。SiC产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块制造环节，以及下游的应用环节。其中衬底的制造是产业链技术壁垒最高、价值量最大环节，是未来SiC大规模产业化推进的核心。产品规划方案一览表序号产品（服务）名称单位单价（元）年设计产量产值1碳化硅设备套xxx2碳化硅设备套xxx3碳化硅设备套xxx4.套5.套6.套合计xxx50000.00第五章 选址分析一、 项目选址原则1、符合城乡建设总体规划，应符合当地工业项目占地使用规划的要求，并与大气污染防治、水资源和自然生态保护相一致。2、项目选址应避开自然保护区、风景名胜区、生活饮用水源地和其它特别需要保护的敏感性目标。3、节约

36、土地资源，充分利用空闲地、非耕地或荒地，尽可能不占良田或少占耕地。4、项目选址选择应提供足够的场地以满足工艺及辅助生产设施的建设需要。5、项目选址应具备良好的生产基础条件，水源、电力、运输等生产要素供应充裕，能源供应有可靠的保障。6、项目选址应靠近交通主干道，具备便利的交通条件，有利于原料和产成品的运输。通讯便捷，有利于及时反馈市场信息。7、地势平缓，便于排除雨水和生产、生活废水。8、应与居民区及环境污染敏感点有足够的防护距离。二、 建设区基本情况抚顺市，辽宁省地级市，辽宁省重要的工业基地，沈阳经济区副中心城市。位于辽宁省东部，东与吉林省接壤，西距省会沈阳市45公里，北与铁岭毗邻，南与本溪相望

37、。地理坐标为东经12355，北纬4152，抚顺境内平均海拔80米，地处中温带，属大陆性季风气候，市区位于浑河冲积平原上，三面环山；抚顺市辖四个市辖区及三个县，总面积11271.5平方千米。根据第七次人口普查数据，截至2020年11月1日零时，抚顺市常住人口为1861372人。抚顺市境内有2条铁路、2条高速公路。抚顺是清王朝的发祥地，是雷锋的第二故乡和雷锋精神的发祥地。抚顺地处长白山余脉，呈东南高、西北低之势，是辽宁省重要水源保护地，是国内重要的老工业基地，历史上素有“煤都”之称。抚顺是中国最具幸福感城市，中国优秀旅游城市，国家森林城市。这五年，积极探索经济转型之路。坚持“工业立市、工业强市、产

38、业兴市”不动摇，进一步形成了建设“两大基地”、发展“六大产业”、推进“三个融合”、建设“五个抚顺”的总体思路，发展路径更加清晰。“十四五”时期，我们面临重大机遇和有利条件。中央推动东北振兴的各项政策持续发力；省里制定“一圈一带两区”区域协调发展规划，为我们定义了新的发展格局；石化、冶金、装备制造产业基础雄厚，国有民营、大中小企业融通发展潜力巨大；企业职工基本养老保险全省全国统筹，民生保障能力进一步提高；人心思变、人心思进，全市上下谋发展、求突破的愿望更加强烈。三、 狠抓项目建设没有项目，一切都是空谈。坚持“项目为王”，建立政府组织、企业参与、统筹谋划的工作机制，抢抓机遇，加大项目、政策、资金争

39、取力度，落地开工项目总投资额达到800亿元以上。以新一轮国土空间规划编制为契机，用好用足采煤影响区综合治理相关政策，充分利用老旧城区闲置、低效土地，保障项目建设需求。支持高新区建立精细化工产业引导基金，助推项目建设按下“快捷键”、跑出“加速度”。四、 项目选址综合评价项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求，同时具备便捷的陆路交通和方便的施工场址，并且与大气污染防治、水资源和自然生态资源保护相一致。第六章 建筑工程技术方案一、 项目工程设计总体要求（一）土建工程原则根据生产需要，本项目工程建设方案主要遵循如下原则：1、布局合理的原则。在平面布置上，充分利用好每寸土地，功能设施分区

40、设置，人流、物流布置得当、有序，做到既利于生产经营，又方便交通。2、配套齐全、方便生产的原则。立足厂区现有基础条件，充分利用好现有功能设施，保证水、电供应设施齐全，厂区内外道路畅通，方便生产。在建筑结构设计，严格执行国家技术经济政策及环保、节能等有关要求。在满足工艺生产特性，设备布置安装、检修等前提下，土建设计要尽量做到技术先进、经济合理、安全适用和美观大方。建筑设计要简捷紧凑，组合恰当、功能合理、方便生产、节约用地；结构设计要统一化、标准化、并因地制宜，就地取材，方便施工。（二）土建工程采用的标准为保证建筑物的质量，保证生产安全和长寿命使用，本项目建筑物严格按照相关标准进行施工建设。1、工业

41、企业设计卫生标准2、公共建筑节能设计标准3、绿色建筑评价标准4、外墙外保温工程技术规程5、建筑照明设计标准6、建筑采光设计标准7、民用建筑电气设计规范8、民用建筑热工设计规范二、 建设方案（一）结构方案1、设计采用的规范（1）由有关主导专业所提供的资料及要求；（2）国家及地方现行的有关建筑结构设计规范、规程及规定；（3）当地地形、地貌等自然条件。2、主要建筑物结构设计（1）车间与仓库：采用现浇钢筋混凝土结构，砖砌外墙作围护结构，基础采用浅基础及地梁拉接，并在适当位置设置伸缩缝。（2）综合楼、办公楼:采用现浇钢筋砼框架结构，（二）建筑立面设计为使建筑物整体风格具有时代特征，更加具有强烈的视觉效果

42、，更加耐人寻味、引人入胜。建筑外形设计时尽可能简洁明了，重点把握个体与部分之间的比例美与逻辑美，并注意各线、面、形之间的相互关系，充分利用方向、形体、质感、虚实等多方位的建筑处理手法。三、 建筑工程建设指标本期项目建筑面积56866.23，其中：生产工程34635.78，仓储工程9781.25，行政办公及生活服务设施7869.87，公共工程4579.33。建筑工程投资一览表单位：、万元序号工程类别占地面积建筑面积投资金额备注1生产工程11468.8034635.784417.591.11#生产车间3440.6410390.731325.281.22#生产车间2867.208658.941104

43、.401.33#生产车间2752.518312.591060.221.44#生产车间2408.457273.51927.692仓储工程4915.209781.251141.202.11#仓库1474.562934.38342.362.22#仓库1228.802445.31285.302.33#仓库1179.652347.50273.892.44#仓库1032.192054.06239.653办公生活配套1347.587869.871198.423.1行政办公楼875.935115.42778.973.2宿舍及食堂471.652754.45419.454公共工程2662.404579.33458

44、.83辅助用房等5绿化工程5046.4089.63绿化率15.77%6其他工程6473.6017.037合计32000.0056866.237322.70第七章 发展规划一、 公司发展规划（一）战略目标与发展规划公司致力于为多产业的多领域客户提供高质量产品、技术服务与整体解决方案，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。（二）措施及实施效果公司立足于本行业，以先进的技术和高品质的产品满足产品日益提升的质量标准和技术进步要求，为国内外生产商率先提供多种产品，为提升转换率和品质保证以及成本降低持续做出贡献，同时通过与产业链优质客户紧密合作，为公司带来稳定的业务增长和持续的收益。公司通过产品和商业模式的

45、不断创新以及与产业链企业深度融合，建立创新引领、合作共赢的模式，再造行业新格局。（三）未来规划采取的措施公司始终秉持提供性价比最优的产品和技术服务的理念，充分发挥公司在技术以及膜工艺技术的扎实基础及创新能力，为成为百亿级产业领军企业而努力奋斗。在近期的三至五年，公司聚焦于产业的研发、智能制造和销售，在消费升级带来的产业结构调整所需的领域积极布局。致力于为多产业的多领域客户提供中高端技术服务与整体解决方案。在未来的五至十年，以蓬勃发展的中国市场为核心，利用中国“一带一路”发展机遇，利用独立创新、联合开发、并购和收购等多种方法，掌握国际领先的技术，使得公司真正成为国际领先的创新型企业。二、 保障措施(一)做好人才引进服务依托高等院校，建立人才培训和职业教育基地，培养高素质、实用型管理、技术和蓝领人才队伍。加强与海内外人才合作，多种方式引进国内外专家，形